• 한국세라믹학회지
• /
• 제23권4호
• /
• pp.23-26
• /
• 1986

The synthetic conditions of $ ZrSiO_4-Cd(S_xS_{1-x})$ stains from CdS, Se, $SiO_2$ , 4ZrO_2$ and Lif were investigated and the colors were examined. Colors of the stains prepared were yellow orange red pink ruby and violet in relation to both the content of CdS-Se in $ZrSiO_4$ and firing temperature. Colors of these series stains were thermally stabilized probably by the structural stability of zirconium silicate. Furthermore by the result of X-ray diffraction analysis it is assumed that color of the zircon cadmium sulphoselenide $ ZrSiO_4-Cd(S_xS_{1-x})$ stain is developed by neither the coloring ions in $ZrSiO_4$ lattice nor the solid solution of $ZrSiO_4$ and $Cd(S_xS_{1-x})$ but by the small crystals of $Cd(S_xS_{1-x})$ being occluded by the zirconium silicate during sintering process.

• 분석과학
• /
• 제20권5호
• /
• pp.413-418
• /
• 2007

방사선 방법에 의해 실리카 나노입자에 CdS 나노입자를 코팅하였다. TEM분석결과, $SiO_2$ 나노입자 표면에 CdS의 입자의 크기는 대략 20 nm임을 확인 하였다. 또한, XRD 분석결과 결정체 화합물임을 확인하였다. PL 분석결과 PVP-CdS 나노입자와 $SiO_2$@CdS 복합체의 경우, 방출특성이 상당히 다르다는 것이 확인되었다. PVP-CdS의 경우, 방출스펙트럼이 550 nm-600 nm 에서 나타나고, $SiO_2$@CdS의 방출스펙트럼의 경우 단파장 이동함을 확인하였다. 또한 새로운 피이크 (450 nm) 나타남을 확인하였는데, 이는 CdS 의 유발양자 제한 효과에 의한 것으로 사료된다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제30권11호
• /
• pp.897-904
• /
• 1993

CdS doped SiO2 glass coating films which are good candidates for the nonlinear optical materials were prepared by the Sol-Gel method. TEOS, C2H5OH, H2O and HCl were used as starting materials to obtain SiO2 matrix solutions. Then Cd(NO3)2.2H2O and CS(NH2)2 were dissolved into the SiO2 matrix solutions. Coating was performed several times in order to increase the thickness of coated film by the dip-coating method. Then heat treatments were carried out to control the size of CdS microcrystals doped in SiO2 glass matrix with respect to temperatures and times. CdS-doped SiO2 transparent coating films were successfully obtained. CdS crystals were changed from cubic to hexagonal type about $600^{\circ}C$.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제33권12호
• /
• pp.1353-1364
• /
• 1996

Recently semiconductor doped glasses have attracted attention as nonlinear optical materials because of their large third order nonlinear optical properties. The transparent and homogeneous CdS-doped SiO2 glass thin films were obtained by the dip=coating process of the sol-gel method. Thin films were consisted of glasses containing CdS microcrystallites which were formed by dissolved Cd2+ and S2- ions in a SiO2 matrix solutions. A subsequent thermal treatment of this samples led the formation of colloidal agglomerates and finally of microcrystallites. The size of CdS microcrystallites was about 4 to 15 nm after thermal treatments at various heating conditions. From the optical absorption spectra of the CdS-doped SiO2 glass films it was found that the absorption edge was blue-shifted compared with that of the bulk CdS crystal(~2, 4 eV) and that the amount of energy shift was inversely proportional to the crystal size. And the band gap energy increased with the decrease in crystallite size indicating that the quantum size effects occured.

• 한국재료학회지
• /
• 제9권8호
• /
• pp.782-786
• /
• 1999

진공증착법으로 CdS 박막을 제작하여 열처리한 시료를 상온에서 SEM, XRD, EDX와 PL 특성을 측정하여 $50^{\circ}C 와 450^{\circ}C$ 사이에서 cubic to hexagonal phase transition을 확인하였다. 열처리 결과 S-빈자리에 $O_2$와 Si불순물이 보상되어 CdO 또는 $Cd_2SiO_4$주개준위(donor level)를 만드는데 광발광 측정에서 열처리온도 $350^{\circ}C$에서는 2.34eV, $550^{\circ}C$는 2.42eV에서 EE 피이크를 나타내었다. 이러한 특성결과 본 연구에서 결정구조변환 온도는 $370{\circ}C$를 나타내었으며 Ariza-Calderon 등의 CBD박막에 대한 결과인 $374^{\circ}C$와 유사한 것으로 확인되었다.

• 한국군사과학기술학회지
• /
• 제15권4호
• /
• pp.502-506
• /
• 2012

In order to find the structural characteristics of the thin films of group II-VI semiconductor compounds compared with those of powder materials, films were made of 4 powders of ZnS, CdS, CdSe, and CdTe(Aldrich), each with 99.99 % purity. For the ZnS/CdS multi-layers, the ZnS layer was coated over the CdS layer on an $AlO_x$ membrane, which served as a protective layer within a vacuum at the average speed of 1 ${\AA}$/sec. After studying the structures of the group II-VI semiconductor thin films by using X-ray spectroscopy, we found that the ZnS, ZnS/CdS, CdS, and CdSe films were hexagonal and exhibited some degree of preferred orientation. Also, the particles of the thin films of II-VI semiconductor compounds proved to be more homogeneous in size compared to those of the powder materials. These results were further verified through scanning electron microscopy(SEM), EDX analysis, and powder and thin film X-ray diffraction.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제23권2호
• /
• pp.50-54
• /
• 1986

Effects of additionof $NH_4Cl$, NaBr and LiF on the formation of Zircon and the synthesis of CdS-Se red stain were investigated by means of XRD, DTA and the color standard and color nomenclature. The red stain of CdS-Se system shows a little difference dependent on firing temperature on firing conditon. Consequently it forms a good soid-solution with red color under the ratio of CdS and Se 3.5 -4.1 at 58$0^{\circ}C$. But it changes to dark red as increasing Se. LiF is the most effective in mineralizer to preparae zircon with the equilbrant molar $SiO_2$ and ZrO Zircon makes a good preparation in 0.33 mole LiF from 90$0^{\circ}C$.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제24권2호
• /
• pp.155-160
• /
• 1987

본 연구는 제2보에서 합성한 $ZrSiO_4-Cd(SxSe_{1-x})$ 채료의 실용성을 조사하기 위하여 행하였다. 기존의 유명회사 제품의 채료와 본 합성채료를 비교 검사하였다. 우선 각각의 채료에 Frit를 적당한 비로 혼합하고 일정조성의 Tile에 시유하여 각각다른 온도(850-120$0^{\circ}C$)에서 소성한 다음 colorimeter를 사용하여 XYZ 주파장에 따른 색도도를 측정하였다. 또한 Munsell 계의 ISCC-NBS 색명법을 적용하여 색을 정량화 시킴으로서 채료의 적응성을 연구하였다. 그 결과 $ZrSiO_4-Cd(SxSe_{1-x})$ 채료는 V나 P 계통의 여타 채료와 같이 Frit 대 Stain의 비가 9:1의 최소비로 사용이 가능하며 100$0^{\circ}C$의 높은 온도에서도 밝은 적색으로 재현 될 뿐만 아니라 내산성이 강하고 고온에서 적응성이 있음을 확인하였다.

• 청정기술
• /
• 제26권4호
• /
• pp.263-269
• /
• 2020

정수슬러지를 이용하여 제올라이트(zeolite)를 수열합성하고, 제올라이트의 결정화에 대한 반응온도, 반응시간, Na2O/SiO2 몰비의 영향을 살펴보았다. 제조한 제올라이트의 결정구조, 물성 및 열적 특성은 각각 X-선 회절분석, FTIR, BET 질소흡착 및 TGA로 분석하였다. 제올라이트의 흡착성능을 조사하기 위해 암모니아성 질소, 중금속이온 및 TOC 제거효율을 측정하였다. 정수슬러지의 주성분은 Al2O3와 SiO2로서 각각 28.79%와 27.06%을 나타내었으며, 제올라이트 합성을 위한 실리카 및 알루미나 원료는 정수슬러지 이외에 어떠한 화학원료도 추가로 첨가하지 않고 합성을 진행하였다. 정수슬러지를 이용하여 제조한 제올라이트는 A형 제올라이트의 구조를 나타내었으며, 반응기질의 조성을 2.1Na2O-Al2O3-1.6SiO2-65H2O으로 하고, 반응온도 90 ℃, 반응시간 5시간, Na2O/SiO2 몰비가 1.3인 경우에 가장 높은 결정성을 나타내었다. 합성 제올라이트의 비표면적은 55 ㎡ g-1로서 상업용 제올라이트 A 보다 높게 나타났다. 합성 제올라이트의 암모니아성 질소(NH4+) 제거율은 3시간 반응한 경우 68%를 나타내었으며, 제올라이트의 Pb2+ 및 Cd2+ 이온에 대한 흡착실험 결과 제거율은 각각 99.1% 및 99.3%를 나타내었다. 이는 제올라이트의 격자 내에 존재하는 Na+ 이온과 Pb2+ 및 Cd2+ 이온 간의 원활한 이온교환이 이루어졌음을 나타낸다. 300 ppm 부식산 용액에 제올라이트의 첨가량을 변화시켜 3시간 동안 흡착실험을 수행한 결과 제올라이트 5 g을 첨가한 경우 TOC 제거율이 83%로서 가장 높게 나타났다.

• 한국재료학회지
• /
• 제18권7호
• /
• pp.379-383
• /
• 2008

We report on the light-emitting diode (LED) characteristics of core-shell CdSe/ZnS nanocrystal quantum dots (QDs) embedded in $TiO_2$thin films on a Si substrate. A simple p-n junction could be formed when nanocrystal QDs on a p-type Si substrate were embedded in ${\sim}5\;nm$ thick $TiO_2$ thin film, which is inherently an n-type semiconductor. The $TiO_2$ thin film was deposited over QDs at $200^{\circ}C$ using plasma-enhanced metallorganic chemical vapor deposition. The LED structure of $TiO_2$/QDs/Si showed typical p-n diode currentvoltage and electroluminescence characteristics. The colloidal core-shell CdSe/ZnS QDs were synthesized via pyrolysis in the range of $220-280^{\circ}C$. Pyrolysis conditions were optimized through systematic studies as functions of synthesis temperature, reaction time, and surfactant amount.