대기오염에 따른 토양 및 식물체중의 Cd 및 Zn의 함량변화 차이를 구명하기 위하여 대기형 오염물질 방출지역으로 장항제련소 인근지역의 영향을 받는 논토양을 중심으로 1982년도, 1990년도에 표토와 심토로 구분 채취한 토양시료를 그리고 1990년도의 토양 채취지역에서 재배된 수도체 시료 중 Cd 및 Zn 함량을 분석하여 그 변화를 분석하였다. 제련소 인근지역의 토양 중 이들 중금속의 분포는 Cd이 0.09-4.42, Zn이 16.0-959.5mg $kg^{-1}$이었으며 평균함량이 1982년도 보다 1990년도에 더 많아지고 있었고 Cd의 경우 년도간에 유의한 상관성이 나타나고 있었다. 배연중심으로부터 동쪽방향이 거리가 멀어짐에 따라 Cd 및 Zn의 함량이 감소하는 변화가 뚜렷하였고, 방향별 토양 중 Cd 및 Zn의 함량은 배연으로부터 동쪽>북북동쪽>북동쪽>북쪽 순으로 작아지고 있었다. 오염반경은 동쪽이 4km, 북북동, 북동쪽의 경우는 3km로 볼 수 있었고, 표토중 Cd 및 Zn의 함량이 심토보다 많았다, 또한 이 지역의 1982년 토양 중의 Cd 및 Zn의 함량은 이들 금속의 상호간에, 이들 금속과 토양 중 Cu및 Pb함량과 그리고 토양의 유기물함량, 유효인산, CEC, 치환성 $Ca^{++}$$Na^+$ 함량과 유의성 있는 상관관계를 나타내었다. 수도체의 경우 부위별 Cd 함량은 현미중의 함량이 가장 낮았으며, 이 양은 엽신 및 엽초중 Cd 함량의 7분의 1의 수준이었고, 엽신, 줄기 및 화서축 중 Cd함량은 토양 중 Zn, Cu, Pb 함량과 유의성 있는 상관관계를 나타내었다. 또한 엽신 중 Zn 함량은 토양 중 Cd, Cu 및 Pb 함량과 유의성 있는 상관관계를 나타내었고, 줄기 중의 Zn 함량은 토양 중 Cu와 Pb 함량과 유의성 있는 상관관계를 나타냈다. 장항제련소 지역의 현미 중 Cd의 함량은 0.05-0.25mg $kg^{-1}$, Zn의 함량은 10.5-30.9mg $kg^{-1}$ 범위였다.
국내 폐광산 주변 중금속 오염 농경지 토양 복원을 위해 석회(CaO)와 분쇄한 석회암($CaCO_3$)을 안정화제로 이용한 토양 안정화 공법의 효율을 규명하는 배치 및 대형 칼럼실험을 실시하였다. 오염토양은 경북 군위군에 위치한 아연 폐광산 지역의 오염 농경지 토양을 이용하였으며, 안정화제의 함량은 오염토양 대비 0, 0.5, 2, 5%로 다양하게 적용함으로써, 안정화제에 의해 토양으로부터 용출되는 중금속 농도 변화를 시간에 따라 측정하여 안정화제의 중금속 저감 효율을 규명하였다. 배치실험 결과, 가루상의 석회나 석회암 0.5%를 토양과 혼합하여 안정화제로 사용한 경우, 오염토양으로부터 As, Cd, Pb, Zn의 중금속 용출 농도는 안정화제를 사용하지 않은 토양으로부터의 용출 농도를 기준으로 각각 70, 77, 94, 그리고 95% 감소하여 중금속 용출 저감 효과가 매우 높은 것으로 나타났다. 토양 객토법을 모사한 대형 칼럼실험 결과, 2% 입상 석회 첨가에 의해서 As, Cd, Zn의 토양 용출은 안정화제를 사용하지 않은 토양 용출 농도를 기준으로 각각 63, 97, 98% 감소하였다. 입상 석회암을 안정화제로 이용한 칼럼에서는 2% 석회암 첨가에 의해서 As 용출 농도는 135.6${\mu}g/L$에서 30.2 ${\mu}g/L$ 감소하여 약 46% 이상의 감소율을 나타내었으며, Cd와 Zn의 경우에는 97% 이상 감소하였다. 배치 및 칼럼실험 결과 석회암의 중금속 용출 저감 효율이 석회의 저감 효율과 매우 비슷한 것으로 나타나, 토양으로부터 중금속을 안정화시키는데 입상 석회와 석회암 모두 효과가 매우 좋은 것으로 나타났다. 토양 산성화 방지를 위해 토양개량제로 주로 사용하였던 석회의 과도한 토양 내 첨가가 토양의 급격한 pH 증가를 일으켜 농작물 재배에 악 영향을 주게 되는 한계를 극복하기 위하여, 본 배치 및 대형 칼럼실험을 통하여 토양 내 첨가에 의한 pH 증가가 거의 없으며 비용 측면에서도 석회보다 훨씬 저렴하지만 중금속 용출 저감 효과가 비슷한 석회암이 중금속 오염 농경지 토양 복원을 위한 새로운 안정화제로 유용하게 사용될 수 있음을 입증하였다.
은 튜브에 장입되기 전의 초기 분말의 입자 크기가 Ag/Bi-2223초전도 선재의 미세구조와 상전이, 임계 전류 밀도등에 미치는 영향에 대해 고찰하였다. 분말의 입자 크기는 하소 분말을 볼밀을 이용하여 0-48 시간 동안 분쇄하여 조절하였다. 열처리 후 최종 초전도 선재의 전기적 성질은 초기 분말의 입자 크기에 영향을 받는 것으로 나타났으며 분말의 분쇄에 의한 반응성의 증가에 의해 열처리시 2223 상으로의 상전이가 빠르게 일어났고 이차상의 크기와 분율이 감소된 미세구조를 얻을 수 있었다. 그러나 과다한 분쇄에 의한 반응성의 증가에 의해 열처리시 2223상으로의 상전이가 빠르게 일어났고 이차상의 크기와 분율이 감소된 미세구조를 얻을 수 있었다. 그러나 과다한 분쇄는 분말의 비정질화를 유발하여 2223 상으로의 전이를 방해함으로써 선재의 임계 전류 밀도를 감소시키는 결과를 나타내었다.
The application of the ultrasonic nozzle has been extended because it is possible atomization of liquid material. In this study, the driving characteristics of the ultrasonic nozzle on the driving circuit were investigated. And the characteristics of the ceramic oscillator were investigated for the temperature stability. The ceramic oscillator were made the Pb[(Sb$\sub$1/2/,Nb$\sub$1/2/)$\sub$0.035/-(Mn$\sub$1/3/Nb$\sub$2/3/)$\sub$0.065/- (Zr$\sub$x/Ti$\sub$l-x/)$\sub$0.9/]O$_3$with mole ratio of Zr/Ti. The ceramis oscillator were need the curie temperature of the over 300[$^{\circ}C$] for the temperature stability. When the Zr/Ti ratio was 49/51, it's curie temperature is 322[$^{\circ}C$] and the electromechanical coupling factor(k$\sub$p/) and mechanical quality factor(Q$\sub$m/) showed the values of 0.555, 1,214, respectively The resonance frequency of ceramic oscillator were from 40KHz to 45KHz. So that, the driving circuit were made a possibility that the frequency are variable. The driving current of ultrasonic nozzle showed the value of maximum 80[mA]. Also, The surface temperature of ceramic oscillator showed 80[$^{\circ}C$] at driving time 10[min]. We knew that the ultrasonic nozzle had stabile driving above 10[min.].
The application of the ultrasonic nozzle has been extended because it is possible atomization of liquid material. In this study, the characteristics of the ultrasonic nozzle and ceramic oscillator were investigated. The oscillator for the ultrasonic nozzle were made piezoelectric ceramic of $Pb[(Sb_{1/2}Nb_{1/2})_{0.035}-(Mn_{1/3}Nb_{2/3})_{0.065}-(Zr_{0.49}Ti_{0.51})_{0.90}]O_3$. The electromechanical coupling factor$(k_p)$ and mechanical quality factor$(Q_m)$ showed the values of 0.555, 1,214 respectively when the Zr/Ti ratio was 49/51. Moreover, this oscillator will have the temperature stability because it's curie temperature is $322[^{\circ}C]$. The driving current of ultrasonic nozzle showed the value of 80[mA] when the driving time was 10[min.]. Also, The surface temperature of ceramic oscillator showed $80[^{\circ}C]$ at driving time 10[min.] We knew that the ultrasonic nozzle had stabile driving above 10[min.].
150~$190^{\circ}C$에서 2시간 동안의 수열반응을 통해 입방체 모양을 갖는 0.5~5 $\mu\textrm{m}$의 ($Pb_{0.95}Sr_{0.05})(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ 결정분말을 제조하였다. 실험결과 반응온도가 증가함에 따라 PSZT의 핵생성과 결정성장 속도가 빨라져서 평균입경이 커짐을 알 수 있었다. 광화제로 사용한 KOH의 농도를 증가시켜 평균입경이 작고 입도분포의 폭이 좁은 분말을 얻을 수 있었으며 결정화가 일어나는 반응온도를 낮출 수 있었다. Zr/Ti의 조성비가 0.40/0.60에서 0.60/0.40으로 증가함에 따라 PSZT의 주요 결정상은 정방정의 결정상에서 능면정의 결정상으로 전이되었다.
Ferroelectric Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 thin films were successfully fabricated on ITO/Glass substrate by sol-gel proces-sing and characterized to determine the dielectric and electric properties. Viscosity of PEN sol measured to investigate rheological properties was 3.25 cP which was proper for coating. The sol also showed Newtonian behavior. RTA(Rapid Thermal Annealing) was used for the annealing of the thin film and 1200~1700$\AA$ thick PEN thin films were fabricated by repeating the intermediate and the final annealing. After the deposition of Pt as top electrode by vacuum evaporation dielectric and electric properties were measured. Dielectric properties of FFN thin film were enhanced by increasing the perovskite phase fraction with increasing the annealing temperature. Measured dielectric constant of 1700$\AA$ PFN thin film annealed at $650^{\circ}C$ was 890 at 1kHz Capacitatnce density and dielectric loss were 47 fF/${\mu}{\textrm}{m}$2 and 0.47 respectively. As a result of measuring Curie temperature PFN thin films had Curie point with a rang of 110~12$0^{\circ}C$ and showed broad dielectric peak at that point. Leakage current of the PFN thin films were increased with increasing the annealing tempera-ture.
We have studied the effects of La concentration on the optical and electrical properties of lead lanthanum titanate (PLT) thin films by using sol-gel method. Both the optical and electrical properties are greatly affected by the La concentration. The refreactiv eindices of the films varied from 2.23 to 1.93 with varying La concentration in the range from 15 to 33 mol%. The dielectric constants of the films vary form 340 to 870 with varying La concentration in the range form 15 to 33 mol%. Hysteresis loop becomes slimmer with the increase of La concentration form 15 to 28mol% and little fatter again with the increase of La concentration form 28 to 33 mol%. Among the films investigated in this research, PLT(28) thin film shows the best dielectric properties for the application to the dielectrics of ULSI DRAM's. At the frequency of 100Hz, the dielectric constant and the loss tangent of PLT(28) thin films are 940 and 0.08 respectively. Its leakage current density at 1.5${\times}10^{5}$V/cm is 1${\times}10^{-6}A/cm^{2}$. The comparision between the simulated and the experimental curves for the switching transient characteristics shows that PLT (28) thin films behaves like normal dielectrics.
We jointed Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O multifilament tapes and evaluated their electrical and mechanical properties. In order to improve connectivity of multifilaments, one or two single-filament tape was inserted between two multifilament tapes. The critical current ratio(CCR) and n-value of the jointed tapes were evaluated as a function of uniaxial pressure. It was observed that critical current ratio and n-value were 24.8-29.0% and 2.5-2.8 for MM lap-jointed tape. On the other hand, the corresponding values were improved to 24.7-53.9% and 3.1-4.2 for MSM jointed tape, and 63.4-76.0% and 3.4-5.1 for double MS:vr lap-jointed tape, respectively. The highest electrical properties of double MSM lap-jointed tape are considered to be owing to the presence of single core, causing better interconnections of multifilaments between the two tapes. The mechanical property of jointed tape was evaluated and correlated to the microstructural evolution. The strength of jointed tapes was 44-64% less than that of the unjoined tape. The strain tolerance of jointed tape was also reduced compared to that of the unjoined tape. These lower mechanical properties of jointed tape are probably due to the induced nonuniform microstructure such as the existence of cracks and Ag-intrusion in the joined region.
In this study, the temperature coefficient of resonant frequency(TC $F_{r}$), dielectric and piezoelectric properties of Pb[(S $b_{1}$2/N $b_{1}$2/)$_{0.0035}$-(M $n_{1}$3/N $b_{2}$3/)$_{0.0065}$-(Z $r_{x}$$Ti_{1-x}$ )$_{0.90}$] $O_3$ceramics is investigated with Zr/Ti ratio. The dielectric constant and electromechanical coupling factor( $k_{p}$) showed the highest values of 1257, 0.562 respectively when the Zr/Ti ratio is 49.5/50.5. The mechanical quality factor( $Q_{m}$) is the lowest value of 713 when the Zr/Ti ratio is 49.5/50.5, and increased with the decrease of the Zr/Ti ratio. The temperature coefficient of resonant frequency(TC $F_{r}$) change abruptly at the morphotropic phase boundary(MPB), which is between the rhombohedral phase with highly negative TC $F_{r}$ of -106ppm/$^{\circ}C$ and the tetragonal phase with highly positive TC $F_{r}$ of +64pp $m^{\circ}C$ as Zr/Ti ratio changes from 50/50 to 49.5/50.5.50.5..5.50.5.5.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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