• 제목/요약/키워드: $P_2O_5-V_2O_5-ZnO$

검색결과 109건 처리시간 0.035초

한반도 동남부 제3기 연일, 어일분지에 나타나는 현무암질암의 암석학적 연구 (Petrology of the Tertiary Basaltic Rocks in the Yeonil and Eoil Basins, Southeastern Korea)

  • 심성호;박병준;김태형;장윤득;김정훈;김정진
    • 암석학회지
    • /
    • 제20권1호
    • /
    • pp.1-21
    • /
    • 2011
  • 한반도 남동부에 자리잡고 있는 제3기 분지 중에서 장기, 어일 분지에 대한 암석학적인 기재 및 지화학적 자료를 바탕으로 과거 조구조적 위치와 현무암질암을 생성한 기원마그마의 특성을 고찰하였다. 어일 현무암질 암내 사장석 반정에서는 여러 형태의 누대구조와 융식구조 및 체구조가 나타나며 반정의 성분변화에서 핵부분은 $An_{63.46-98.38}\;Ab_{1.62-32.96}\;Or_{0-3.58}$의 영역 (anorthite-labradorite)에 도시되고, 최외각은 $An_{40.89-82.44}\;Ab_{17.10-46.43}\;Or_{0-12.68}$의 영역 (bytownite-labradorite)에 해당한다. 주원소 분석결과, 이들 암석들은 현무암질 안산암 영역에 점시되며, 비알칼리암(sub-alkaline)계열에 해당한다. TAS도에 현무암과 현무암질 안산암의 영역에 점시되며, 비알칼리암(sub-alkaline)계열에 해당한다. $SiO_2$ 값이 커질수록 $Na_2O$$K_2O$는 증가하며 $TiO_2$, $FeO^*$, CaO, MgO, $P_2O_5$는 감소하는 경향을 보여준다. $K_2O-SiO_2$도표에서도 중-K계열의 칼크알칼리계열에 해당함을 보여준다. 미량원소 및 희토류 원소의 경향은 분화가 진행됨에 따라 Co, Ni, V, Zn, Sc 등과 같은 호정성 원소는 감소하고, Ba, Rb 등의 불호정성 원소들은 증가하는 특징을 보여준다. 0.81~1.00의 $Eu/Eu^*$값은 사장석 분별작용이 일부 암석에서는 거의 일어나지 않았거나 사장석의 분별이 약했다는 것을 시사한다. 동위원소 분석결과 $^{87}Sr/^{86}Sr$은 0.704090~0.704717, $^{143}Nd/^{144}Nd$은 0.512705~0.512822로서 Nd에 비해 Sr의 변화폭이 크지만 0.0007 내외의 변화폭을 보인다. 이러한 동위원소의 변화는 연구지역 현무암이 해양판의 섭입에 의해 결핍맨틀과 부화맨틀이 혼합되어 형성된 마그마에 기원함을 추정할 수 있게 한다. 동위원소비는 맨틀 경향에 잘 따르며 결핍맨틀(DMM)과 부화맨틀(EM)의 섞임 현상에 의한 맨틀조성을 갖는 마그마에 기원을 두고 있다.

덕평지역의 탄질 변성니질암에 관한 환경적 독성원소의 지구화학적 기원, 거동 및 부화 (Geochemical Origin, Behavior and Enrichment of Environmental Toxic Elements in Coaly Metapelite from the Deokpyeong Area, Korea)

  • 이현구;이찬희
    • 자원환경지질
    • /
    • 제30권6호
    • /
    • pp.553-566
    • /
    • 1997
  • Origin, behavior and enrichment of environmental toxic elements from the Deokpyeong area were investigated on the basis of major, trace and rare earth element geochemistry. Coaly metapelites of the Deokpyeong area are subdivided into grey phyllite, dark grey phyllite, coaly slate and black slate, which are interbedded along the Ogcheon Supergroup. The coaly slate had been mined for coal, but mining is closed. The coaly and black slates are lower contents of $SiO_2$ and $Al_2O_3$, and higher contents of LOI, CaO, $Na_2O$ and BaO as compared with the phyllitic rocks. Rare earth elements are highly enriched in the coaly and black slate. Average compositions (ppm) of minor and/or environmental toxic elements in the coaly and black slate are revealed as As=127, Ba=30,163, Cd=18, Cr=740, Cu=84, Mo=378, Pb=43, Sb=12, Se=44, U=144, V=8,147 and Zn=292, which are extremely high concentrations than those in the NASC compositions. Major elements (average enrichment index; 5.34) in the coaly metapelites are mostly depleted, excepting $P_2O_5$ and BaO, normalized by NASC. Rare earth elements (average enrichment index; 1.48) are enriched in the coaly slate. On the basis of NASC, minor and/or environmental toxic elements in the coaly metapelites were strongly enriched of all the elements with the exception of Co, Cs, Ni and Sr. Average enrichment index of trace elements in coaly metapelite is 31.51 (coaly slate; 51.94 and black slate; 15.46). Especially, enrichment index of potentially toxic elements (As, Ba, Cr, Cu, Mo, Ni, Sb, Se, U, V and Zn) of the rock is 46.10 (grey phyllite; 7.15, dark grey phyllite; 4.77, coaly slate; 88.96 and black slate; 22.11). These coal formations were deposited in basin of boundary between terrestrial and marine environments deduced to carbon, sulfur (C/S=2.2 to 275.7), trace and rare earth elements characteristics. Irregular behavior and dispersion between major, minor and rare earth elements of those metapelites indicates a variable source materials, incomplete mixing of differential source and/or reequilibrium of diagenesis and metamorphism.

  • PDF

GaP단결정의 성장과 특성에 관하여 (On the growth and properties of GaP single crystals)

  • 김선태;문동찬
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
    • /
    • 제5권3호
    • /
    • pp.284-294
    • /
    • 1992
  • 합성용질확산법으로 GaP단결정을 성장시키고 몇가지 성질을 조사하였다. 정지상태에서 결정의 성장속도는 1.75[mm/day]이었고 결정성장용 석영관을 전기로내에서 하강시키므로써 양질의 GaP 단결정을 성장하였다. 에치피트밀도는 결정의 성장축 방향으로 3.8*$10^{4}$[$cm^{-2}$]부터 2.3*$10^{5}$[$cm^{-2}$] 까지 증가하였다. 성장된 GaP결정의 이동도와 캐리어농도는 실온에서 197.49[$cm^{2}$/V.sec]와 6.75*$10^{15}$[$cm^{-3}$]이었고 77K의 온도에서는 266.91[$cm^{2}$ /V.sec]와 3.13*$10^{14}$[$cm^{-3}$]이었다. 에너지갭의 온도의존성은 실험적으로 $E_{g}$(T)=2.3383-(6.082*$10^{-4}$) $T^{2}$/(373.096+T)[eV]로 구하여졌다. 저온에서 측정된 광루미네센스 스펙트럼은 구속된 여기자의 복사재결합과 재결합 과정에 포논의 참여로 인하여 에너지갭 부근의 복잡한 선 스펙트럼이 나타났고 얕은 준위의 Si도너와 Zn억셉터준위 사이에서의 복사재결합 및 이에 대한 1LO, 2LO의 포논복제가 나타났으며 S $i_{Ga}$ -S $i_{p}$의 쌍방출에 의하여 1.8932[eV]에서 넓은 반치전폭의 피크가 나타났다. GaP의 적외선 흡수는 TO, LO, LA, T $A_{1}$, T $A_{2}$ 포논들의 이중결합모드와 G $a_{2}$O의 진동모드 및 Si도너와 Zn억셉터들에 의하여 일어났다. Zn를 확산시키어 제작한 p-n GaP발광다이오드는 실온에서의 발광중심피크가 6250[.angs.]이었고 최대광출력은 0.0916[mW], 양자효율은 0.51%이었다.이었다.

  • PDF

Lead free, Low temperature sealing materials for soda lime glass substrates in Plasma Display Panel (PDP)

  • Lee, Heon-Seok;Hwang, Jong-Hee;Lim, Tae-Young;Kim, Yoon-Hee;Lee, Suk-Hwa;Kim, Il-Won;Lee, Jong-Koo
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
    • /
    • pp.373-376
    • /
    • 2008
  • New glass compositions for lead free, low temperature sealing glass frit was examined in $ZnO-V_2O_5-P_2O_5$ glass system which can be used sealing material for PDP to be made of soda lime glass substrates. Among many glass compositions, KFS-C glass showed low glass transition point (Tg) and good fluidity and adhesion characteristics when it was tested by flow button method at low temperature of $420^{\circ}C$. Its Tg was $317^{\circ}C$ and thermal expansion coefficient (CTE) was $70{\times}10^{-7}/K$. The glass frit was mixed with an organic vehicle to make a paste and it was dispensed and sealed with soda lime glass substrates at $420^{\circ}C$ for 10min. Sealed glass panels also showed good adhesion strength even sealed at low temperature of $420^{\circ}C$.

  • PDF

Process effects on morphology, electrical and optical properties of a-InGaZnO thin films by Magnetic Field Shielded Sputtering

  • 이동혁;김경덕;홍문표
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
    • /
    • pp.217-217
    • /
    • 2016
  • The amorphous InGaZnO (a-IGZO) is widely accepted as a promising channel material for thin-film transistor (TFT) applications owing to their outstanding electrical properties [1, 2]. However, a-IGZO TFTs have still suffered from their bias instability with illumination [1-4]. Up to now, many researchers have studied the sub-gap density of states (DOS) as the root cause of instability. It is well known that defect states can influence on the performances and stabilities of a-IGZO TFTs. The defects states should be closely related with the deposition condition, including sputtering power, and pressure. Nevertheless, it has not been reported how these defects are created during conventional RF magnetron sputtering. In general, during conventional RF magnetron sputtering process, negative oxygen ions (NOIs) can be generated by electron attachment in oxygen atom near target surface and then accelerated up to few hundreds eV by a self-bias; at this time, the high energy bombardment of NOIs induce defects in oxide thin films. Recently, we have reported that the properties of IGZO thin films are strongly related with effects of NOIs which are generated during the sputtering process [5]. From our previous results, the electrical characteristics and the chemical bonding states of a-IGZO thin films were depended with the bombardment energy of NOIs. And also, we suggest that the deep sub-gap states in a-IGZO as well as thin film properties would be influenced by the bombardment of high energetic NOIs during the sputtering process.In this study, we will introduce our novel technology named as Magnetic Field Shielded Sputtering (MFSS) process to prevent the NOIs bombardment effects and present how much to be improved the properties of a-IGZO thin film by this new deposition method. We deposited a-IGZO thin films by MFSS on SiO2/p-Si and glass substrate at various process conditions, after which we investigated the morphology, optical and electrical properties of the a-IGZO thin films.

  • PDF

GaP 단결정의 성장과 특성에 관하여 (On the Growth and Properties of GaP Single Crystals)

  • 김선태;문동찬
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
    • /
    • pp.50-53
    • /
    • 1992
  • The GaP crystals are growth by Synthesis Solute Diffusion(SSD) method and its properties are investigated. Etch pits density along vertical direction of ingot is increased from 3.8${\times}$10$^4$cm$\^$-2/ of first freeze to 2.3${\times}$10$\^$5/cm$\^$-2/ of last freeze part. The carrier concentration and mobilities are measured to 197.49$\textrm{cm}^2$/V. sec and 6.75${\times}$10$\^$15/cm$\^$-3/ at room temperature. The temperature dependence of optical energy gap is empilically fitted to E$\_$g/(T)=2.3383-(6.082${\times}$10$\^$-4/T${\times}$/(373.096+T)[eV]. Photo-luminescence spectra measured at low temperature are consist with sharp line-spectra near band-gap energy and radiative recombination between shallow Si-donor to Zn-acceptor and its phonon reprica, and broad emission. The infrared absorption in GaP is cause to phonon coupling modes of TO, LO, LA, TA$_1$, TA$_2$and vibration modes of Ga$_2$O, Si-donor and Zn-acceptor, respectively.

  • PDF

Streptococcus thermophilus 510에 의한 $\beta$-Galactosidase의 생산, 정제 및 특성 (Production, Purification and Characterization of $\beta$-Galactosidase from Streptococcus thermophilus 510)

  • 강국희;박신인
    • 한국미생물·생명공학회지
    • /
    • 제17권1호
    • /
    • pp.35-45
    • /
    • 1989
  • Streptococcus thermophilus 510으로부터 $\beta$-galactosidase의 생성조건은 탄소원으로 0.5% lactose를 첨가한 배지에서 초기 pH7.0, 배양온도 37$^{\circ}C$, 배양기간 18시간이었다. 배양여액으로부터 $\beta$-galactosidase를 ammonium sulfate 분획, 핵산의 제거, Sephadex G-200 gel filtration 및 DEAE-Sephadex A-50 ion exchange chromatography 등의 4단계 정제과정을 거쳐 정제한 결과 18배 정제되어 단일 단백질로 분리되었다. 정제효소의 활성 최적온도는 5$0^{\circ}C$, 최적 pH는 7.0이었고, 효소활성이 Mn$^{2+}$, $K^+$과 같은 금속이온과 dithiothreitol, 2-mercaptoethanol에 의해 촉진되었고, Hg$^{2+}$, $Zn^{2+}$, Co$^{2+}$, $Ca^{2+}$, EDTA, 8-hydroxyquinoline, galactose 등에 의해 저해되었다. 효소의 분자량이 520,000, 합성기질인 ONPG에 대한 $K_{m}$ 은 1,25mM, V$_{max}$는 88.50 $\mu$mole/min.mg protein이었고, 주종 아미노산은 glutainic acid, aspartic acid, leucine 및 valine이었다.

  • PDF

Banded Iron Formations in Congo: A Review

  • Yarse Brodivier Mavoungou;Anthony Temidayo Bolarinwa;Noel Watha-Ndoudy;Georges Muhindo Kasay
    • 자원환경지질
    • /
    • 제56권6호
    • /
    • pp.745-764
    • /
    • 2023
  • In the Republic of Congo, Banded iron formations (BIFs) occur in two areas: the Chaillu Massif and the Ivindo Basement Complex, which are segments of the Archean Congo craton outcropping in the northwestern and southwestern parts of the country. They show interesting potential with significant mineral resources reaching 2 Bt and grades up to 60% Fe. BIFs consist mostly of oxide-rich facies (hematite/magnetite), but carbonate-rich facies are also highlighted. They are found across the country within the similar geological sequences composed of amphibolites, gneisses and greenschists. The Post-Archean Australian Shale (PAAS)-normalized patterns of BIFs show enrichment in elements such as SiO2, Fe2O3, CaO, P2O5, Cr, Cu, Zn, Nb, Hf, U and depletion in TiO2, Al2O3, MgO, Na2O, K2O, Sc, Th, Ba, Zr, Rb, Ni, V. REE diagrams show slight light REEs (rare earth elements; LREEs) compared to heavy REEs (HREEs), and positive La and Eu anomalies. The lithological associations, as well as the very high (Eu/Eu*)SN ratios> 1.8 shown by the BIFs, suggest that they are related to Algoma-type BIFs. The positive correlations between Zr and TiO2, Al2O3, Hf suggest that the contamination comes mainly from felsic rocks, while the absence of correlations between MgO and Cr, Ni argues for negligeable contributions from mafic sources. Pr/Pr* vs. Ce/Ce* diagram indicates that the Congolese BIFs were formed in basins with redox heterogeneity, which varies from suboxic to anoxic and from oxic to anoxic conditions. They were formed through hydrothermal vents in the seawater, with relatively low proportions of detrital inputs derived from igneous sources through continental weathering. Some Congolese BIFs show high contents in Cr, Ni and Cu, which suggest that iron (Fe) and silicon (Si) have been leached through hydrothermal processes associated with submarine volcanism. We discussed their tectonic setting and depositional environment and proposed that they were deposited in extensional back-arc basins, which also recorded hydrothermal vent fluids.

Aspergillus sp. CC-2-1에 의해 생산되는 Cyclodextrin Glucanotransferase의 생산 및 특성 (Production of Cyclodextrin Glucanotransferase from Aspergillus sp. CC-2-1 and its Characterization)

  • 조영제;김명욱
    • 한국식품과학회지
    • /
    • 제32권5호
    • /
    • pp.1158-1167
    • /
    • 2000
  • {\beta}-CD를 생산하기 위하여 CGTase를 생성하는 Aspergillus sp. CC-2-1 균주를 토양으로부터 분리하였으며, CGTase생성을 위하여 0.1% albumin, 2% $(NH_4)_2S_2O_8$, 2% soluble starch, 0.2% $KH_2PO_4$를 밀기울 배지에 첨가하여 $37^{\circ}C$에서 5일간 배양 시 최대의 활성을 나타내었다. Sephadex G-100과 G-150을 사용한 gel filtration과 DEAE-cellulose를 이용한 이온 교환크로마토그래피로 13.14배 정제하였으며, specific activity는 172.14 unit/mg이었다. 정제효소는 poly-acrylamide gel 전기영동에 의하여 단일밴드로 확인되었으며, 분자량은 gel filtration과 SDS-polyacryl amide 전기영동으로 측정한 결과 27,800정도로 측정되었다. CGTase의 효소학적 특성은 최적 pH, 최적 온도는 pH 9.0과 $80^{\circ}C$였으며, pH $8.0{\sim}11.0$$60{\sim}80^{\circ}C$에서 안정하였다. 금속이온 중 $K^+,\;Cu^{++},\;Zn^{++}$에서 효소활성이 증대하였고, 효소활성 저해제 중 iodine과 DNP에 의해서 저해가 나타나 효소분자 중 tyrosine의 phenolic hydroxyl group과 histidine imidazole group과 말단아미노기가 효소구조에서 활성중심에 존재한다고 판단되었다. 효소의 $K_m$값과 $V_{max}$값은 18.182 g/L, 188.68 ${\mu}mol/min$이며, 활성화 에너지는 1.548 kcal/mol이였다.

  • PDF

플렉서블 실리콘 박막 태양전지용 Ag/ZnO 후면반사막의 광산란 특성 향상 (Improvement of light scattering properties of Ag/ZnO back-reflectors for flexible silicon thin film solar cells)

  • 백상훈;이정철;박상현;송진수;윤경훈;왕진석;조준식
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
    • /
    • pp.97.1-97.1
    • /
    • 2010
  • 유연금속기판위에 DC 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 Ag/ZnO 이중구조의 후면반사막을 증착하고 Ag 표면조도 변화에 따른 후면반사막의 반사특성 변화와 플렉서블 비정질 실리콘 박막 태양전지의 셀 특성에 미치는 영향을 조사하였다. Substrate구조를 갖는 플렉서블 실리콘 박막 태양전지에서는 실리콘 박막 광흡수층의 상대적으로 낮은 광 흡수율로 인하여 입사광에 대한 태양전지 내에서의 광 산란 및 포획이 태양전지 효율을 증대시키는데 매우 중요한 역할을 하는 것으로 알려져 있다. 플렉서블 실리콘 박막 태양전지에서의 후면반사막은 광 흡수층에서 흡수되지 않는 입사광을 다시 반사시켜 광 흡수를 증대시키며 이때 후면반사막 표면에서 반사 빛을 효율적으로 산란시켜 이동경로를 증대시킴으로써 광 흡수율을 더욱 향상시킬 수 있다. 본 연구에서는 유연금속 기판위에 Ag와 ZnO:Al($Al_2O_3$ 2.5wt%) 타겟을 사용한 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 Ag/AZO 이중구조의 후면반사막을 제조하고, Ag 박막의 표면형상 변화와 이에 따른 후면반사막의 반사도 변화를 비교, 분석하였다. 증착 조건 변화에 따른 표면 형상 및 반사 특성은 Atomic Force Mircroscope(AFM), Scanning electron miroscopy(SEM), UV-visible-nIR spectrometry를 통하여 분석하였다. 서로 다른 표면 거칠기를 갖는 후면반사막 위에 n-i-p구조의 a-Si:H 실리콘 박막 태양전지를 제조한 후 태양전지 동작 특성에 미치는 영향을 조사하였다. n,p층은 13.56MHz PECVD, i층은 60MHz VHF CVD를 사용하여 각각 제조 하였으며, Photo I-V, External Quantum Efficiency(EQE) 분석을 통하여 태양전지 특성을 조사 하였다. SEM 분석결과 공정 온도가 증가 할수록 Ag 박막의 표면 결정립 크기도 증가하였으며, AFM분석을 통한 Root-mean-square(Rms)값은 상온에서 $500^{\circ}C$로 증착온도가 증가함에 따라 6.62nm에서 46.64nm까지 증가하였다. Ag 박막의 표면 거칠기 증가에 따라 후면반 사막의 확산 반사도도 함께 증가하였다. 공정온도 $500^{\circ}C$에서 증착된 후면반사막을 사용하여 a-Si:H 태양전지를 제조하였을 때 상온에서 제조한 후면반사막에 비하여 단락전류밀도 (Jsc)값은 9.94mA/$cm^2$에서 13.36mA/$cm^2$로 증가하였으며, 7.6%의 가장 높은 태양전지 효율을 나타내었다.

  • PDF