• 제목/요약/키워드: $Nd:YVO_4$ Laser

검색결과 47건 처리시간 0.026초

Effect of Nd:YVO4 Laser Beam Direction on Direct Patterning of Indium Tin Oxide Film

  • Ryu, Hyungseok;Lee, Dong Hyun;Kwon, Sang Jik;Cho, Eou Sik
    • 반도체디스플레이기술학회지
    • /
    • 제18권3호
    • /
    • pp.72-76
    • /
    • 2019
  • A Q-switched diode-pumped neodymium-doped yttrium vanadate (YVO4, λ =1064nm) laser was used for the direct patterning of indium tin oxide (ITO) films on glass substrate. During the laser direct patterning, the laser beam was incident on the two different directions of glass substrate and the laser ablated patterns were compared and analyzed. At a low scanning speed of laser beam, the larger laser etched lines were obtained by laser beam incident in reverse side of glass substrate. On the contrary, at a higher scanning speed, the larger etched pattern sizes were found in case of the beam incidence from front side of glass substrate. Furthermore, it was impossible to find no ablated patterns in some laser beam conditions for the laser beam from reverse side at a much higher scanning speed and repetition rate of laser beam. The laser beam is expected to be transferred and scattered through the glass substrate and the laser beam energy is thought to be also dispersed and much more influenced by the overlapping of each laser beam spot.

합주파에 의한 청색레이저 발생 (Blue Laser Generated by Sum Frequency)

  • 이영우
    • 한국정보통신학회논문지
    • /
    • 제10권2호
    • /
    • pp.224-227
    • /
    • 2006
  • 809nm의 고출력 반도체 레이저(500mV의 출력광과 LD(Laser Diode) 여기 Nd:YVO4레이저의 파장 1064nm를 공진기 내부에서 비선형 광학 소자 KTP(Potassium titanyl posphate : KTPiOPO4)를 사용하여 합주파 발생 파장인 459nm의 청색레이저를 얻었다. 제2의 위상 정합 정합조건(${\psi}=90^{\circ},\;{\theta}=90^{\circ}$)에서 반도체 레이저의 입력광 세기가400mW일 때 청색레이저의 최대 출력 0.95mW를 얻었으며, 청색레이저의 발진문턱입력 세기는 120mW이었다.

$Nd:YVO_4$ CW 레이저로 결정화한 다결정 실리콘 박막의 이온도핑 연구 (Ion doping effect on the $Nd:YVO_4$ CW laser crystallized poly-Si film)

  • 김은현;김기형;박성진;구유미;김채옥;장진
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
    • /
    • pp.76-79
    • /
    • 2005
  • $Nd:YVO_4$ 연속발진 레이저(CW laser:Continuous wave laser)로 제작한 다결정 실리콘 박막의 이온도핑 효과를 조사하였다. PECVD로 증착한 비정질 실리콘 박막을 CW 레이저를 조사하여 결정화한 후 $B_2H_6$ 플라즈마 이온 도즈량을 변화시켜 이온 도핑을 하고 급속열처리 방법과 퍼니스 어닐링 방법으로 도펀트 활성화를 하였다. 이온 도핑된 CW 다결정 실리콘 박막의 이온 도즈량에 따른 판저항 변화를 비교하고, 급속열처리(RTA: Rapid Thermal Annealing)와 퍼니스 어닐링(FA: Furnace Annealing) 전후의 결정성 변화를 라만 스펙트럼(Raman spectrum) 을 통하여 분석하였다. 이온 도즈량이 증가함에 따라 판저항은 감소하고, 어닐링 후 이온 도핑에 의해 손상된 박막이 복원됨을 확인 할 수 있다.

  • PDF

Characteristics of Laser Direct Patterned Indium Tin Oxide Layer by Overlapping Rates of Laser Beam

  • Li, Zhao-Hui;Ahn, Min-Hyung;Choi, Kyung-Min;Im, Seung-Hyeok;Jung, Kyung-Seo;Cho, Eou-Sik;Kwon, Sang-Jik
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
    • /
    • pp.1496-1499
    • /
    • 2009
  • A diode-pumped Nd:$YVO_4$ laser was used to obtain indium tin oxide (ITO) patterns on glass substrate with various overlapping rates. The results showed that the overlapping rate of laser beam influences on the edge structure of ITO pattern and the surface roughness of ablated groove bottom. At a laser repetition rate of 40 kHz, the optimized condition of overlapping rate was 75 %.

  • PDF

고효율 플라즈마 디스플레이 패널을 위한 T-형 ITO 전극의 레이저 직접 패터닝시 레이저 스캔 속도의 영향 (Effect of Laser Scanning Speed on the Laser Direct Patterning of T-shaped Indium Tin Oxide (ITO) Electrode for High Luminous AC Plasma Display Panels)

  • 이조휘;조의식;권상직
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제23권2호
    • /
    • pp.133-136
    • /
    • 2010
  • Laser direct patterning is one of new methods which are able to replace a conventional photolithography. In order reduce the fabrication cost and to improve the luminous efficiency of AC plasma display panels (PDPs), in this experiment, a Q-switched Nd:$YVO_4$ laser was used to fabricate T-shaped indium tin oxide (ITO) display electrodes. For the laser beam scanning speed from 100 mm/sec to 800 mm/sec, T-shaped ITO patterns were clearly obtained and investigated. The experimental results showed that the optimized T-shaped ITO electrode was obtained when the lasers scanning speed was 300 mm/s.

스퍼터링된 산화 아연 박막의 레이저 직접 식각 시 기판에 의한 영향 (Effects of Various Substrates on the Laser Direct Etching of the Sputtered ZnO Films)

  • 오기택;권상직;조의식
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제26권12호
    • /
    • pp.894-898
    • /
    • 2013
  • Zinc oxide(ZnO) was sputtered on various glass and flexible substrates such as polyethylene terephthalate(PET) and polycarbonate(PC). A Q-switched $Nd:YVO_4$ laser with a wavelength of 1,064 nm was used for the direct etching of ZnO films. It was possible to obtain laser etched line patterns on the ZnO films on PC substrate at some specific laser beam conditions. In the flexible substrates, more thermal energy of laser beam is expected to be spreaded for the etching process.

Q-Switching of a Diode-Pumped Nd:YVO4 Laser with a Closely Folded Resonator

  • Lee Hyuncheol;Lee Yongwoo;Kwak Chonghoon;Kwon Jinhyuk;Yi Jonghoon;Lim Yong-Sik
    • Journal of the Optical Society of Korea
    • /
    • 제9권2호
    • /
    • pp.64-67
    • /
    • 2005
  • A diode-pumped $Nd:YVO_4$ laser is developed. The laser has a closely folded resonator. The laser beam in two arms of the folded resonator passes the same acousto-optic modulator. The laser output power and pulsewidth dependence on a Q-switching frequency were measured. It is found that the newly proposed geometry provides an effective means for reducing the pulsewidth while maintaining almost the same output power compared with the usual folded resonator, where the beam in one arm of the resonator passes the acousto-optic modulator.

광영상정보 응용을 위한 compact blue laser (Compact Blue Laser for Optical Imaging Information Application)

  • 황대석;김규식;이영우;류광렬;김정태
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
    • /
    • pp.938-940
    • /
    • 2003
  • 고출력 반도체 레이저(500mW)의 출력광 파장 809nm과 반도체 레이저로 여기되는 Nd:YVO4레이저의 출력광 파장 1064nm를 공진기 내부에서 비선형 광학 소자인 KTP(Potassium titanyl posphate : KTPiOPO$_4$)를 사용하여 합주파 발생 실험을 행하여 459nm의 청색레이저를 얻었다. 제2의 위상 정합 정합조건($\psi$=90$^{\circ}$, $\theta$=90$^{\circ}$)에서 반도체 레이저의 입력광 세기가 400mW일 때 청색레이저의 최대 출력 0.95mW를 얻었으며, 청색레이저의 발진문턱입력 세기는 120mW이었다.

  • PDF

레이저를 이용한 PDP ITO 전극의 직접 패터닝

  • 권상직;김광호;전종록
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
    • /
    • pp.94-98
    • /
    • 2007
  • AC PDP에 사용되는 ITO 전극의 공정시간을 단축시키고 생산성을 향상시키기 위해서 $Nd:YVO_4$ laser(${\lambda}=1064\;nm$)를 사용하여 ITO 전극 패턴을 형성하였다. ITO etchant를 사용하여 ITO 전극 패턴을 형성한 샘플과 비교해서 laser를 사용하여 제작한 샘플은 ITO 라인 가장자리에 shoulder와 물결무늬를 형성했다. Q스위치 $Nd:YVO_4$ laser와 갈바노메트릭 스캐닝 시스템을 사용하여 500 mm/s의 스캔속도와 40 kHz의 펄스 반복 율을 기본조건으로 결정했다. PDP 테스트 샘플을 제작하여 방전 테스트를 진행하였다. 사진식각공정을 이용하여 만든 PDP 샘플과 비교해서 laser를 이용하여 제작한 PDP 샘플의 최소 방전유지전압은 더 높게 측정됐다. 이것은 ITO 라인의 shoulder와 물결무늬의 형성과 관련이 있다고 판단된다. 본 실험을 통해 레이저를 이용한 PDP용 ITO 전극막의 직접 패터닝 가능성을 확인할 수 있었다.

  • PDF