• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.726-729
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• 2000

Though L $a_{1+x}$S $r_{2-x}$M $n_2$ $O_{7}$ n=2 R-P phases have been well known to have CMR effect, it was generally believed that n=1 phase was insulating. But recently monolayered perovskite $Ca_{2-x}$L $n_{x}$Mn $O_4$phase has been reported to show magnetoresistance. In this study, layered perovskite $Ca_{2-x}$L $n_{x}$Mn $O_4$ (x=0, 0.5, Ln=Pr, Nd, Sm, Gd) phases were synthesized by solid state reaction and their structures were refined by Rietveld method. The space groups of $Ca_2$Mn $O_4$, N $d_{0.5}$C $a_{1.5}$Mn $O_4$phases were refined as C2cb and Fmmm, respectively.y.ely.y.y.y.y.y.y.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제49권3호
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• pp.357-360
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• 2011

플라즈마 원자층증착 방법을 이용하여 질소를 도핑한 산화아연 나노박막을 Si(111) 기판에 제조하였다. $Zn(C_{2}H_{5})_{2}$, $O_{2}$ 및 $N_{2}$을 사용하여 rf 파워 세기를 50-300 W로 변화시키면서 N-doped ZnO 박막을 제조하였다. 박막의 구조적 광학적 전기적 특성을 각각 XRD, PL, Hall 효과를 측정하여 분석하였다. 플라즈마 rf 파워가 증가함에 따라 ZnO 나노 박막 내의 질소(N) 함유 농도가 높아지고, p형 ZnO의 특성을 보였다.

• 청정기술
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• 제25권1호
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• pp.40-45
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• 2019

본 연구에서는 도시고형폐기물 소각시설을 대상으로 2018년 8월 27일부터 2018년 10월 22일 동안 총 3회에 걸쳐 도시고형폐기물의 소각에 의해 발생되는 $N_2O$ 농도를 24시간 동안 연속적으로 측정하여 발생량과 배출특성을 조사하였으며, 배출가스 중 $N_2O$ 농도측정은 비분산 적외선 분석기(NDIR)를 이용하였다. $N_2O$ 배출특성을 조사한 결과 도시고형폐기물 소각시설의 $N_2O$ 발생량 및 발생농도는 폐기물의 성상 보다는 소각시설의 소각로 온도와 산소농도 같은 운전조건에 따라 상이하게 발생하는 것으로 판단된다. 도시고형폐기물 소각시설의 $N_2O$ 일일평균 발생농도는 53.6 ~ 59.5 ppm이며, 전체 평균농도는 55.6 ppm으로 측정되었다. 또한 $N_2O$ 농도를 이용하여 계산된 $N_2O$ 발생량은 $90.41{\sim}108.44kg\;day^{-1}$이며, 평균 발생량은 $98.05kg\;day^{-1}$로 조사되었다. 이러한 결과를 바탕으로 도시고형폐기물 소각시설의 $N_2O$ 배출계수를 산출한 결과 $1,066.13g_{N_2O}\;ton_{waste^{-1}}$로 생활폐기물의 Tier 2 방법으로 산출된 $N_2O$ 배출계수에 비해 약 20배 정도 높은 결과를 얻었다. 따라서, 폐기물 종류와 소각량을 이용한 폐기물 소각시설의 $N_2O$ 발생량 산출방식은 정확성에 대한 보완이 필요할 것으로 판단된다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제46권3호
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• pp.1-5
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• 2009

고전력, 고온에서 사용되는 소자에서 RuO2는 다른 전극 물질에 비해 많은 장점을 가지고 있으며, 특히 GaN를 이용하는 소자의 전극물질로서 매우 우수한 특성을 갖음을 확인할 수 있었다. RuO2을 이용한 GaN 소자의 제작은 새로운 전기화학 금속증착법을 통하여 금속배선을 형성하였으며, 과염소산(HClO4)용액을 수용액 사용하였다. RuO2의 두께는 인가전압과 시간에 의존하며, 두께를 조절함으로서 정류성 및 비정류성 소자의 전극으로의 사용 가능성을 확인할 수 있었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제5권5호
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• pp.199-203
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• 2004

Superconducting B $i_2$S $r_2$C $a_{n-l}$C $u_{n}$ $O_{x}$(n=2～4) thin films were prepared by single target DC-magnetron sputtering. And, that was compared with the B $i_2$S $r_2$C $a_{n-l}$C $u_{n}$ $O_{x}$(n=1～3) thin film fabricated by using the ion beam sputtering. Phase intergrowth among n=2-3, 3-4 and 4-5 phases was observed. The molar fraction of each phase in the mixed crystal of the deposited films was determined by x-ray diffraction analyses and investigated as a function of $O_2$ gas pressure during sputtering. We investigated the changes of the superconducting properties by molar fraction of each phase. Also, the thin film surface observation was carried out by atomic force microscope. The images show the average particle size decreases, and the distribution density of particles on the film surface was to increase with lower gas pressures. The fabrication conditions for selective growth of the single n=2, 3 and 4 phases in BiSrC $a_{n-l}$C $u_{n}$ $O_{x}$(n=2～4) thin film are discussed.e discussed.ussed.

• 대한화학회지
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• 제30권4호
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• pp.389-393
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• 1986

선택적 환원시약인 사카르보닐 철산염(O)을 상압의 일산화탄소하 실온 및 60${\circ}C$에서 2,5헥산디온과 각종 일차아민과 반응시켜 대응하는 N-치환 2,5-디메틸 피로리딘 유도체를 좋은 수득율로 얻을 수 있었다. 또한 미리 합성된 5-nitro-2-hexanone과 벤즈알데히드는 사카르보닐 철산염의 존재하, 상압의 일산화탄소, 150${\circ}C$의 고압솥반응에서 N-qoswkf-2,5-디메틸 피로디딘이 보통 수득율로 얻어졌다. 이들 반응의 메카니즘도 검토 하였다.

• 한국토양비료학회지
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• 제3권1호
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• pp.35-41
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• 1970

10a 당(當) N 10, 15, 20kg, 인산(燐酸) 8, 12, 16kg 및 가리(加里) 8, 12, 16kg의 각각(各各) 3수준(水準)의 조합(組合)인 삼요소증비(三要素增肥) 요인실험(要因實驗)을 농광(農光)을 공시(供試)하여 숙답구(熟畓區), 저(低) 및 고염분구(高鹽分區)(4월말(月末) 각염분농도(各鹽分濃度) 0.5%와 1%)에서 적기재배(適期栽培)로 실시(實施)하여 아래와 같은 결과(結果)를 얻었다. 1. 인산(燐酸)과 가리시비(加里施肥)를 10a 당(當) 8kg으로 고정(固定)하고 N시비(施肥)를 1.5배(倍)와 2배(倍)로 증가(增加)시켰을 때 숙답구(熟畓區)와 염분구(鹽分區)들에서는 다 같이 시비량(施肥量)에 비례(比例)하여 N 흡수(吸收)가 증가(增加)되었다. 그리고 이때의 N 흡수(吸收)는 대체(大體)로 염분구(鹽分區)에서 더 많았다. N 증비처리(增肥處理)를 하거나 삼요소(三要素) 증비처리(增肥處理)를 하면 염분구(鹽分區)에서는 Ca와 Si의 흡수조해(吸收阻害)가 보였다. 2. 숙답구(熟畓區)에서는 N, P, K의 증비(增肥)는 증수(增收)를 가져오지 못하였고 가리(加里) 2배비(倍肥)는 유의(有意)하게 감수(減收)를 가져왔다. 3. 저염분구(低鹽分區)에서 N 증비(增肥)는 고도(高度)의 유의차(有意差)로 증수(增收)에 효과가 있었으며 N 1.5 배비(倍肥)는 12%, N 2배비(倍肥)는 21% 증수(增收)되었다. 인산(燐酸)과 가리(加里)의 증비(增肥)로는 증수(增收)되지 않았다. 4. 고염분구(高鹽分區)에서도 N 증비(增肥)는 유의(有意)하게 증수효과가 있었으며 인산(燐酸)과 가리(加里)의 증비(增肥)로 증수(增收)되는 것 같으나 유의성(有意性)은 없었다. 5. N 증비(增肥)는 숙답구(熟畓區)에서 1.5배(倍)까지는 수수(穗數)가 증가(增加)되었으나 2배비(倍肥)에서는 더 증가(增加)를 보이지 않았으며 저(低) 및 고염분구(高鹽分區)에서는 시비량(施肥量)에 비례(比例)하여 늘었다. 인산증비(燐酸增肥)는 각(各) 실험구(實驗區)에서 수수증가(穗數增加)의 경향(傾向)이 보였으나 가리증비(加里增肥)는 증가(增加)에 효과가 없었다. 6. 수중(穗重)에 대(對)한 N 증비(增肥)의 효과는 숙답구(熟畓區)에서는 감소(減少)로 나타났으며 양염분구(兩鹽分區)에서는 1.5배비(倍肥)까지는 증가(增加)되나 2배비(倍肥)는 1.5배비(倍肥)와 거의 같았다. 인산(燐酸), 가리(加里)의 증비(增肥)는 어느 실험구(實驗區)에서도 수중(穗重)에 영향(影響)을 미치지 못하였다. 천립중(千粒重)에 대(對)한 N, P, K의 증비효과는 숙답구(熟畓區)와 염분구(鹽分區)에서 모두 뚜렷하지 않았다. 수당립수(穗當粒數)에 대(對)한 N 증비효과는 숙답구(熟畓區)에서 감소(減少)의 경향(傾向)이었으나 양염분구(兩鹽分區)에 있어서는 증가(增加)되었다. 수당립수(穗當粒數)에 대(對)한 인산(燐酸), 가리(加里)의 증비효과는 없는것 같았다. 7. 임실율(稔實率)에 대(對)한 N 증비(增肥)의 효과는 숙답구(熟畓區)에서 감소(減少)되었으며 저(低) 및 고염분구(高鹽分區)에서는 N 증비효과가 없었고 인산(燐酸) 및 가리(加里)의 증비(增肥)는 어느 실험구(實驗區)에서도 효과가 없었다. 8. 정현비율(精玄比率)에 대(對)한 N, P, K의 증시효과는 각각(各各) 어느 실험구(實驗區)에서도 없었으나 설미(屑米)는 N 증비(增肥)에 의하여 숙답구(熟畓區) 및 염분구(鹽分區)들에서 다 같이 증가(增加)되었으며 숙답구(熟畓區)에서는 더 현저(顯著)하였다. 9. 고중(藁重)에 대한 N 증비(增肥)의 효과는 숙답구(熟畓區)와 고(高) 및 저염분구(低鹽分區)에서 다같이 증가(增加)되었으며 인산(燐酸), 가리(加里)의 증비(增肥)는 효과가 없었다. 정조중(精租重)/고중(藁重)에 대(對)한 N 증비(增肥)의 효과는 숙답구(熟畓區)에서는 감소(減少)되었으나 저(低) 및 고염분구(高鹽分區)에서는 증가(增加)되었고 인산(燐酸) 및 가리(加里)의 증비효과는 없었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권2호
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• pp.41-45
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• 2012

백색 LED용 산질화물계 녹색발광 형광체를 합성하고, 광특성을 분석하였다. $SrSi_2O_{2-{\delta}}N_{2+2/3{\delta}}:Eu^{2+}$의 조성을 갖는 $SrSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$ 경우 합성조건에 따라서 N/O비 ($\delta$)가 변하고 있었다. 수소 분위기로 $1700^{\circ}C $에서 합성된 시편이 Eu의 농도가 5 mol%일 때 $Eu^{2+}$의 $5d{\rightarrow}4f$ 전이에 의한 545 nm 근처에서의 가장 높은 녹색 발광강도를 얻을 수 있었다. $Ca_{0.5m-0.005}Yb_{0.005}Si_{12-(m+n)}Al_{m+n}O_nN_{16-n}$의 조성을 갖는 $Ca-{\alpha}-SiAlON:Yb^{2+}$는 m = 3 (n = 0.15)에서 잘 발달된 결정성과 균일한 크기를 갖는 입자를 얻을 수 있었고, 이 것이 550 nm 근처에서 가장 높은 녹색 발광을 하고 있었다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1998년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.186-191
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• 1998

$UO_2$-5wt%CeO$_2$ 분말에서 소결온도(1600, 1$700^{\circ}C$), 소결분위기(H$_2$, $N_2$-7vol.%H$_2$) 및 Li$_2$O 첨가량(0.05-2wt%)에 따른 소결성의 변화를 관찰하였다. $UO_2$-5wt%CeO$_2$를 attrition mill에서 2 시간까지 분쇄한 후, 1$700^{\circ}C$에서 H$_2$, N2-7vol.%H$_2$ 분위기에서 소결하면 소결밀도가 각각 10.46, 10.36 g/㎤이지만, 각 분위기에서 소결체내의 결경립크기가 일정하지 않고 Ce agg1omerate도 소결체내의 여러 곳에 분포되어 있어 분말처리만으로 소결성을 개선하는데는 한계가 있었다. 반면에, $UO_2$-5wt%CeO$_2$에 0.lwt%Li$_2$O를 첨가하여 1 시간동안 분쇄란 후, 1$600^{\circ}C$에서 H$_2$$N_2$-7vol.%H$_2$ 분위기로 소결하면 밀도는 각각 10.51, 10.48 g/㎤이었고, 결정립크기는 각각 8.9, 42.1 $\mu\textrm{m}$이었다. 즉, Li$_2$O의 첨가에 의해 밀도와 결정립크기가 모두 증가했으며, H$_2$ 분위기보다는 $N_2$-7vol.%H$_2$ 분위기에서 결정립이 더 크게 성장하였고, 1$700^{\circ}C$에서도 유사한 경향을 나타내었다. $UO_2$-5wt%CeO$_2$와 이 조성에 0.lwt%Li$_2$O를 첨가한 분말들을 H$_2$ 및 $N_2$-7vol.%H$_2$ 분위기에서 소결하여 기공크기 및 기공부피의 변화를 관찰한 결과, H2 분위기에서 소결하였을 때는 Li$_2$O의 첨가에 의해 치밀화가 주로 일어났고, 반면에 $N_2$-7vol.%H$_2$ 분위기에서 소결하면 Li$_2$O의 첨가에 의해 작은 기공은 소멸되고 큰 기공이 생성되었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.2-9
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• 1966

실리콘 프래너트 npn 랜짓스터 제작과정을 기술하였다. 표면처리, 산화, K.P.R. boron 확산, 인확산 및 Al 증착등은 중요한 과정들이다. Boron층은 box method로 B2O3-SiO2계확산물을 사용하여 만들었고 린은 P2O5-SiO2계확산물을 사용하였다. 이 중간과정으로서 "실리콘·프래너·다이오드"도 제작되었다.