• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.127-127
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• 2011

We investigate the transparent TFTs using a transparent ZnSnO3 (ZTO)/Ag/ZTO multilayer electrode as S/D electrodes with low resistivity of $3.24{\times}10^{-5}$ ohm-cm, and high transparency of 86.29% in ZTO based TFTs. The Transparent TFTs (TTFTs) are prepared on glass substrate coated 100 nm of ITO thin film. On atomic layer deposited $Al_2\;O_3$, 50 nm ZTO layer is deposited by RF magnetron sputtering through a shadow mask for channel layer using ZTO target with 1 : 1 molar ratio of ZnO : $SnO_2$. The power of 100W, the working pressure of 2mTorr, and the gas flow of Ar 20 sccm during the ZTO deposition. After channel layer deposition, a ZTO (35 nm)/Ag (12 nm)/ZTO(35 nm) multilayer is deposited by DC/RF magnetron sputtering to form transparent S/D electrodes which are patterned through the shadow mask. Devices are annealed in air at 300$^{\circ}C$ for 30 min following ZTO deposition. Using UV/Visible spectrometer, the optical transmittances of the TTFT using ZTO/Ag/ ZTO multilayer electrodes are compared with TFT using Mo electrode. The structural properties of ZTO based TTFT with ZTO/Ag/ZTO multilayer electrodes are analyzed by high resolution transmission electron microscopy (HREM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The transfer and output characterization of ZTO TTFTs are examined by a customized probe station with HP4145B system in are.

• 한국재료학회지
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• 제20권10호
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• pp.535-542
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• 2010

In this study, we used coal-based activated carbons and charcoal as startingmaterials, phenolic resin (PR) as a binder, and TOS as a titanium source to prepare $TiO_2$ combining spherical shaped activated carbon photocatalysts. The textural properties of the activated carbon photocatalysts (SACP) were characterized by specific surface area (BET), energy dispersive X-ray spectroscopy (XRD), scanning electron microscopy (SEM), iodine adsorption, strength intensity, and pressure drop. The photocatalytic activities of the SACPs were characterized by degradation of the organic dyes Methylene Blue (MB), Methylene Orange (MO), and Rhodamine B (Rh. B) and a chemical oxygen demand (COD) experiment. The surface properties are shown by SEM. The XRD patterns of the composites showed that the SACP composite contained a typical single, clear anatase phase. The EDX spectro for the elemental indentification showed the presence of C and O with Ti peaks. According to the results, the spherical activated carbon photocatalysts sample of AOP prepared with activated carbon formed the best spherical shape, a high BET surface area, iodine adsorption capability and strength value, and the lowest pressure drop, and the photocatalytic activity was better than samples prepared with charcoal. We compared the degradation effects among three kinds of dyes. MB solution degraded with the SACP is better than any other dye solutions.

• 대한화학회지
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• 제25권3호
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• pp.131-139
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• 1981

Cholesteryl hexanoate의 결정 및 분자구조를 실온과 $-75{\circ}C$에서 X-ray 회절방법으로 결정하였다. 이 화합물의 결정은 단사형계에 속하며 a = 12.162(3), b = 9.314(3), c = 13.643(5) ${\AA}$, ${\beta}$ = $93. 55{\circ}(3)$이며 단위세포안에 두개의 분자가 있다. 분자구조는 cholesteryl octanoate의 원자좌표를 trial 구조로 하여 Fourier 방법으로 결정하여 정밀화하였다. 최종 R값은 실온과 저온에서 얻은 X-ray 회절강도들에 대하여 각각 0.129와 0.105이다. 분자들은 서로 반대로 나란히 길게 놓여 있으며 이들이 monolayer를 만들면서 모여져 있다. Monolayer들 안에서는 cholesteryl군들이 서로 촘촘히 쌓인 구조를 가지고 있다. 결정구조는 cholesteryl octanoate와 cholesteryl oleate와 매우 비슷하다.

• 공업화학
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• 제1권1호
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• pp.83-90
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• 1990

PbTe, SnTe, PbSnTe계 반도체는 저온 열전재료로서 이들의 화학조성과 비화학양(nonstoichiometry)은 열전 특성에 중요한 인자가 된다. 본 연구에서는 $(Pb_1\;_xSn_x)_1$ $_yTe_y$의 x=0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5인 고용체 시편을 제조하여 이들의 조성을 분석하고 화학조성과 전기전도도 및 열기전력과의 상관 관계를 조사하였다. 조성분석을 위하여 Pb의 함량은 EDTA와 Pb(II) 표준용액을 이용한 착화합물 역적정법을, Te의 함량은 $KMnO_4$와 Fe(II)표준용액을 이용한 산화환원 역적정법을 사용하였다. 또한 300K-750K의 온도범위에서 직류 4접점법에 의해 전기전도도를, Heat Pulse법에 의해 열기전력을 측정하였다. 모든 시편은 금속성분 (Pb+Sn) 보다는 Te의 양이 많은 비화학양의 조성을 보이며 p - 형의 반도성을 가졌고 주석의 함량이 증가할수록 비화학양도 증가하였다. 열기전력의 측정으로 시편의 주 전하나르개는 정공임을 확인할 수 있었고 비화학양에 따른 열기전력의 변화를 saturation 영역 내에서 온도에 따른 Fermi Level의 변화폭과 관련지어 설명하였다. x=0.1인 시편은 약 670K 에서 p - 형으로부터 n - 형으로 전도특성이 전환되었는데 이는 이온도에서 saturation영역에서 intrinsic영역으로 전이되며 전자의 이동도가 정공의 이동도보다 크다는 사실로부터 설명되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.196-196
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• 2008

We have investigated that the effect of post annealing on the structural and electrical properties of $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ thin films. The BST thin films were deposited on n-type 4H-silicon carbide(SiC) using pulsed laser deposition (PLD). The deposition was carried out in oxygen ambient 100mTorr for 5 minutes, which results in about 300nm-thick BST films. For the BST/4H-SiC, 200nm thick silver was deposited on the BST films bye-beam evaporation. The X-ray diffraction patterns of the BST films revealed that the crystalline structure of BST thin films has been improved after post-annealing at $850^{\circ}C$ for 1 hour. The root mean square (RMS) surface roughness of the BST film measured by using a AFM was increased after post-annealing from 5.69nm to 11.49nm. The electrical properties of BST thin film were investigated by measuring the capacitance-voltage characteristics of a silver/BST/4H-SiC structure. After the post-annealing, dielectric constant of the film was increased from 159.67 to 355.33, which can be ascribed to the enhancement of the crystallinity of BST thin films.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.357-357
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• 2012

박막트랜지스터의 전극으로 Au, Ag, Mo, ITO와 같은 물질들이 이미 많이 연구되어 왔으며, 투명 Source/Drain 전극을 활용한 물질로는 ITO에 초점이 맞춰져 왔다. 하지만 ITO의 높은 가격과 Indium의 인체 유해한 독성 때문에 ITO를 대체하는 물질에 대해 많은 연구가 진행되고 있다. 그 중 Al이 도핑된 ZnO (AZO) 는 가시광 영역에서 85% 이상의 높은 투과율과 높은 전도성, 낮은 비저항으로 다양한 광전소자의 전극과 윈도우 물질로 많은 응용 가능성을 보여주고 있다. 본 실험에서는 고 품질의 박막성장이 가능하고, 박막의 두께를 세밀하게 조절할 수 있는 Pulsed Laser Deposition (PLD) 을 이용하여 온도변화에 따라 AZO 박막을 성장시키고 구조적, 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. 또한 온도변화가 AZO 박막 특성에 미치는 영향을 분석하여 Source/Drain 전극으로 사용하기 위한 조건을 최적화하였고, 실제 투명박막트랜지스터 제작을 통해 소자의 I-V Curve 와 Transfer 특성을 확인하고, Transfer Length Method 방법을 이용하여 투명박막트랜지스터의 접촉저항, 채널 비저항 등을 확인해 보았다. 소결된 타겟으로는 99.99%의 순도를 갖는 ZnO-$Al_2O_3$ (98:2 wt%) 타겟을 이용하였으며, 장비조건으로는 355 nm의 파장대역을 갖는 Nd:YAG 레이저를 사용하였고, 실험변수로는 온도범위 RT, $200^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $600^{\circ}C$에서 실험을 진행하였다. AZO 박막의 구조적, 전기적 특성을 분석하기 위해 각각 X-Ray Diffraction (XRD), Hall measurement 장비를 사용하였으며, 광학적 특성을 분석하기 위한 투과도의 측정은 UV-Visible spectrophotometer 장비를 사용하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제13권4호
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• pp.363-367
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• 1992

The crystal structure of (1,3,6,9,11,14-hexaazatricycol[12.2.1.$1^{6,9}$]octadecane)copper(Ⅱ) perchlorate, Cu($C_{12}H_{26}N_6$)$(ClO_4)_2$, has been determined by the X-ray diffraction methods. The crystal data are as follows: Mr=516.9, triclinic, ${\alpha}=8.572\;(2)$, b=8.499 (3), c=15.204 (3) ${\AA}$, ${\alpha}=80.42\;(5),\;{\beta}=73.57\;(3),\;{\gamma}=69.82\;(4)^{\circ},\;V=994.2\;{\AA}^3,\;D_C=1.726\;gcm^{-3}$, space group $P{\tilde{1}},\;Z=2,\;{\mu}=21.27\;cm^{-1}&, F(000)=534 and T=297 K. The structure was solved by direct methods and refined by full-matrix least-squares methods to and R value of 0.081 for 1608 observed reflections measured with graphite-mono-chromated Mo Ka radiation on a diffractometer. There are two independent complexes in the unit cell. The two copper ions lie at the special positions (1/2, 0, 0) and (0, 1/2, 1/2)and each complex possesses crystallographic center of symmetry. Each Cu ion is coordinated to four nitrogen donors if the hexaazamacrotricyclic ligand and weakly interacts with two oxygen atoms of the perchlorate ions to form a tetragonally distorted octahedral coordination geometry. The Cu_N (sec), Cu_N(tert) and Cu_O coordination distances are 1.985 (14), 2.055 (14) and 2.757 (13) ${\AA}$ for the complex A and 1.996 (10), 2.040 (11) and 2.660 (13) ${\AA}$ for the complex B, respectively. The macrocycles in the two independent cations assume a similar conformation with the average r.m.s. deviation of 0.073 ${\AA}$. Two 1,3-diazacyclopentane ring moieties of the hexaazamacrotricyclic ligand are placed oppositely and almost perpendicularly to the square coordination plane of the ruffled 14-membered macrocycle. The secondary N atoms are hydrogen-bonded to the perchlorate O atoms with distances of 3.017 (23) and 3.025 (19) ${\AA}$ for the complexes A and B, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.297-297
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• 2007

The $(B_{0.5},Sr_{0.5})TiO_3$ ceramics, which added with low sintering materials $Li_2CO_3$ and ZnBO, was investigated for LTCC(low temperature co-fired ceramic) applications. To compare sintering temperature of $(B_{0.5},Sr_{0.5})TiO_3$ respectively, we added 1, 2, 3, 4, and 5wt% of $Li_2CO_3$ and ZnBO to $(B_{0.5},Sr_{0.5})TiO_3$. For confirming the sintering temperature, the respective specimens were sintered from $750^{\circ}C$ to $1200^{\circ}C$ by $50^{\circ}C$. The case of $Li_2CO_3$ greatly lowered the sintering temperature of $(B_{0.5},Sr_{0.5})TiO_3$ ($1350^{\circ}C$) below $900^{\circ}C$. The addition of ZnBO improved the loss tangent of $(B_{0.5},Sr_{0.5})TiO_3$. The crystalline structure of $LiCO_3$ doped $(B_{0.5},Sr_{0.5})TiO_3$ and ZnBO doped $(B_{0.5},Sr_{0.5})TiO_3$ was analyzed with the X-ray diffraction (XRD) analysis. The dielectric permittivity and loss tangent of $Li_2CO_3$ doped BST and ZnBO doped BST were measured with the HP 4284A precision. From the electrical characterization, we respectively obtained the dielectric permittivity 1361, loss tangent $6.94{\times}10^{-3}$ at $Li_2CO_3$ doped $(B_{0.5},Sr_{0.5})TiO_3$ (3wt%) and the dielectric constant 1180, loss tangent $3.70{\times}10^{-3}$ at ZnBO doped $(B_{0.5},Sr_{0.5})TiO_3$(5wt%).

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.463-463
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• 2012

ITRS (international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 MOS(metal-oxide-semiconductor)의 CD (critical dimension)가 45 nm node이하로 줄어들면서 poly-Si/$SiO_2$를 대체할 수 있는 poly-Si/metal gate/high-k dielectric이 대두된다고 보고하고 있다. 일반적으로 high-k dielectric를 식각시 anisotropic 한 식각 형상을 형성시키기 위해서 plasma를 이용한 RIE (reactive ion etching)를 사용하고 있지만 PIDs (plasma induced damages)의 하나인 PIED (plasma induced edge damage)의 발생이 문제가 되고 있다. PIED의 원인으로 plasma의 direct interaction을 발생시켜 gate oxide의 edge에 trap을 형성시키므로 그 결과 소자 특성 저하가 보고되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 이에 차세대 MOS의 high-k dielectric의 식각공정에 HDP (high density plasma)의 ICP (inductively coupled plasma) source를 이용한 원자층 식각 장비를 사용하여 PIED를 줄일 수 있는 새로운 식각 공정에 대한 연구를 하였다. One-monolayer 식각을 위한 1 cycle의 원자층 식각은 총 4 steps으로 구성 되어 있다. 첫 번째 step은 Langmuir isotherm에 의하여 표면에 highly reactant atoms이나 molecules을 chemically adsorption을 시킨다. 두 번째 step은 purge 시킨다. 세 번째 step은 ion source를 이용하여 발생시킨 Ar low energetic beam으로 표면에 chemically adsorbed compounds를 desorption 시킨다. 네 번째 step은 purge 시킨다. 결과적으로 self limited 한 식각이 이루어짐을 볼 수 있었다. 실제 공정을 MOS의 high-k dielectric에 적용시켜 metal gate/high-k dielectric CMOSFETs의 NCSU (North Carolina State University) CVC model로 구한 EOT (equivalent oxide thickness)는 변화가 없으면서 mos parameter인 Ion/Ioff ratio의 증가를 볼 수 있었다. 그 원인으로 XPS (X-ray photoelectron spectroscopy)로 gate oxide의 atomic percentage의 분석 결과 식각 중 발생하는 gate oxide의 edge에 trap의 감소로 기인함을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.182.1-182.1
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• 2015

Transparent conducting oxides (TCOs)는 높은 투과율과 낮은 전기전도도를 갖고 있어 광다이오드, 태양전지 등 광소자에 적용하기 위해 많은 연구가 진행되어 왔다. 특히 Indium oxide 계열의 박막은 TCO 물질 중 하나로서 3.6 eV 의 wide bandgap을 가지고 있고, 높은 투과율과 낮은 전기 전도도 (< $10-3{\Omega}cm$)를 보여 다양한 응용이 가능해 오랫동안 연구 되어 지고 있다. 게다가 Indium oxide 계열의 박막은 낮은 가격과 화학적 안정성, 공정과정의 편의성 등 다양한 이점을 가지고 있어서 현재는 더 낮은 가격으로 생성해 더 높은 효율을 만드는데 관심이 집중되고 있다. 이러한 박막은 태양광 흡수층에서 생성되는 캐리어의 이동 및 외부 전극과의 접촉에서 발생하는 손실을 줄이기 위한 전극용 소재로 연구되어지고 있다. 본 연구에서는 Indium Molybdenum Oxide 박막을 Indium oxide와 Molybdenum 타겟을 이용하여 co-sputtering 방법으로 증착하였다. Indium molybdenum oxide 박막은 일정한 Mo 도핑농도와 일정한 Ar 개스 분압에서 다양한 기판온도 변화를 통해 증착하였다. 제작된 Indium molybdenum oxide 박막은 Hall Effect Measurement, Ultraviolet-Visible spectroscopy 및 X-Ray Diffraction (XRD) 등을 분석해 기판의 온도변화에 따른 전기비저항 및 광 투과도의 특성변화를 조사하였다.