• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.435-438
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• 2004

The effects sintering additives such as $xwt%(0.242Bi_2O_3-0.782V_2O_5)$ on the microwave dielectric and sintering properties of $MgCo_2(VO_4)_2$ ceramics were investigated. Highly dense samples were obtained for $MgCo_2(VO_4)_2$ at the sintering temperature of $950^{\circ}C$ with $0.242Bi_2O_3-0.758V_2O_5$ additions of $0.5{\sim}5wt%$. The microwave dielectric properties of $MgCo_2(VO_4)_2$ with $0.5wt%(0.242Bi_2O_3-0.758V_2O_5)$ sintered at $950^{\circ}C$ were as follows : $Q{\times}f_0\;=\;45,375GHz,\;\epsilon_r\;=\;9.7\;and\;\tau_f\;=\;-23.2ppm/^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.220-223
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• 2005

We studied the effect of composition, processing, and sintering temperature on the microwave properties of $Mg_{3-x}Co_x(VO_4)_2$ system which is applicable to LTCC. When $Mg_{3-x}Co_x(VO_4)_2$ was fabricated by solid-state reaction process and sintered at the temperature range of $800\sim910^{\circ}C$, it was found that the optimum composition of x was 2 at which microwave properties of 910$^{\circ}C$-sintered one were as follows: $Q\times f_0\sim55,200GHz$ and $\varepsilon_r\sim10$. When $(MgCo_2)(VO_4)_2$ was fabricated by sol-gel process and sintered at 800$^{\circ}C$, $Q\timesf_0$was 34,400GHz which is much high compared to those fabricated by solid-state reaction process at the same sintering temperature.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.288-289
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• 2006

We studied the effect of sol-gel processing and sintering temperature on the microwave properties of $MgCo_2(VO_4)_2$ system(MCV) which is applicable to LTCC(low-temperature cofired ceramics). The MCV was synthesized by sol-gel process using solution that contains precursor molecules for Mg, Co, and V. SEM analysis shows that the average particle size is ${\sim}1{\mu}m$ and size distribution is very uniform compared to the one prepared by conventional solid-state reaction process. Highly dense samples were obtained at the sintering temperature range of $750^{\circ}C{\sim}930^{\circ}C$. The maximum $Q{\times}f_0$ value of 55,700GHz, dielectric constant(${\varepsilon}_r$) of 10.41 and temperature coefficient(${\tau}_f$) of $-85ppm/^{\circ}C$ was obtained at the sintering temperature of $930^{\circ}C$. The superior microwave properties of sol-gel processed MCV relative to conventional solid-state reaction processed one is remarkable especially at lower sintering temperatures such as $750^{\circ}C$ and $800^{\circ}C$.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제4권1호
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• pp.31-37
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• 1991

습도센서용 기판으로 사용하기 위한 MgFe$_{2}$O$_{4}$ 세라믹스의 성능개선을 위하여 Li$_{2}$CO$_{3}$와 V$_{2}$O$_{5}$를 첨가한 MgFe$_{2}$O$_{4}$-LiMgVO$_{4}$ 세라믹스를 만들고, 기공율, 기공분포, 센서특성, 응답속도 등을 조사하여 다음의 결과를 얻었다. 기공율은 MgFe$_{2}$O$_{4}$ 세라믹스가 29[%]에서 34[%]인데 비하여 본 연구결과는 34.5[%]에서 39[%]로 증가하였으며 센서특성은 $10^{7}$ [.OMEGA.] 단위의 변화에서 $10^{7}$ [.OMEGA.]에서 $10^{6}$[.OMEGA.] 단위로 변화함을 알수 있었고 응답속도는 10초정도 빨라졌음을 알수 있었다. 또한 기공분포를 이용하여 모형 센서를 제안하여 시뮬레이션을 하고 실제 특성과 이론적인 특성을 비교하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제32권3호
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• pp.26-37
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• 2023

바나듐광 염배소 산물의 수침출 용액으로부터 바나듐을 회수하기 위해서는 수용액의 pH 와 온도 조절 과정이 필요한데, 이 과정에서 알루미늄-바나듐, 소듐-바나듐 공침이 일어나면서 바나듐 회수율에 큰 영향을 미친다. 그러므로 본 연구에서는 바나듐을 회수하기 위한 암모늄메타바나데이트[NH₄VO₃], 암모늄폴리바나데이트[(NH₄)₂V₆O₁₆·H₂O] 침전 과정에서 바나듐 함유 수용액 특성이 이들의 침전에 미치는 영향을 검토하여 바나듐 회수율을 높일 수 있는 회수공정에 대하여 알아보았다. 바나듐 함유 수침출 용액으로부터 암모늄메타바나데이트를 침전시키기 위하여 수용액 pH 9로 조절하는 과정에서 수용액의 알루미늄 함량은 바나듐의 손실에 많은 영향을 미치며, 따라서 수침출 과정에서 알루미늄 침출을 최소화 하는 과정이 필요하다. 수용액 pH 9, 상온에서 바나듐 함량 대비 3당량의 염화암모늄 첨가에 의하여 수용액에 존재하는 바나듐의 약 99% 이상을 암모늄메타바나데이트를 침전회수하였다. 또한 수용액 pH 9로 조절하는 과정에서 발생하는 알루미늄-바나듐 공침전물로부터 암모늄폴리바나데이트 침전를 위해서는 pH 2.5 수용액에 용해시키고, 수용액의 소듐 함량은 2,000 mg/L이하로 조절되어야 한다. 바나듐 함량 2,200 mg/L, 소듐 함량 1,875 mg/L인 수용액 pH 2.5, 온도 95℃ 이상에서 바나듐 함량 대비 약 3당량의 염화암모늄 첨가에 의하여 98% 이상의 암모늄폴리바네데이트를 침전회수하였다. 이와 같은 일괄공정 조건에서 수침출용액의 바나듐 함량 대비 약 91.2% 이상의 바나듐을 암모늄(메타, 폴리)바나데이트로 침전회수하였다.