• 한국세라믹학회지
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• 제34권2호
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• pp.163-170
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• 1997

대표적인 무기계 지연제인 규불하마그네슘(MgSiF6.6H2O)을 시멘트 수화반응시 첨가했을 때의 수화반응의 지연 효과 및 특성과 수용액 이온농도 변화 고찰하기 위하여 규불화마그네슘을 시멘트 질랴의 0.3wt%에서 5wt%까지 변화시키면서 그 영향을 연구 검토하였다. 시멘트 모르타르의 flow는 지연제의 첨가에 따라 감소하는 경향이 있으며 응결 시간은 지연제의 첨가량에 따라 지연되었다. 모르타르의 압축 강도는 지연제의 첨가량에 따라 3일, 7일까지는 지연제를 첨가하지 않은 plain mortar에 비하여 약간 낮은 강도를 나타내나, 시간이 지남에 따라 회복되어 28일이 지나면 plain 모르타르와 같은 강도를 나타낸다. 규불화마그네슘이 첨가되면 수화 초기 단계에서 시멘트로부터 용출된 알카리 이온과 반응하여 K2SiF6의 생성이 일어나며 그와 동시에 Ca++와 F++와의 반응에 따라 CaF2화합물이 생성됨을 확인하였다. 이때 생성된 K2SiF6 및 CaF2생성물의 비표면적은 대단히 컸으며 이들 물질이 수화반응 초기에 미수화 시멘트시 입자 표면에 생성되어 시멘트의 수화가 지연되는 것으로 검토된다. 또한 수화초기의 수화용액의 Ca++ 및 K+이온 농도의 저하 역시 포틀랜드 수화반응속도를 지연시켜 주는 이유가된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권3호
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• pp.307-312
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• 1996

In following addition of 0.3, -0.6, 0.8, 1.0 and 5 weight percent MgSiF66H2O studies have been made of the setting and hardening characteristics of ordinary portland cement. MgSiF66H2O retarded the setting time of ordinary portland cement and extended the induction pariod of the hydration. In ordinary portland cement the setting characteristics were drastically altered especially at high MgSiF66H2O contents. Evidence was also obtained by the formation of a KSiF6 which was very fine particle. The results wee as follows. 1. Slump was slightly decreased when MgSiF66H2O added. 2. Setting time was retarded depending on the amount of retarding agent 2 to 8 hours 3. Compressive strength was almost same or some increased in comparision with opc. 4. When MgSiF66H2O was added to cement paste K2SiF6 were formed It was fine-sized distributed uniformly in cement grain and caused retardation of cement setting.

• 한국재료학회지
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• 제1권4호
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• pp.214-220
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• 1991

실리콘 산화막을 $CHF_{3/}C_2F_6$ 혼합가스를 사용하여 반응성이온 건식식각을 행할 때 실리콘 표면에 형성되는 잔류막과 손상층을 X-선 광전자 분광기(XPS)와 이차이온 질량 분석기(SIMS)를 사용, 연구하였다. 실리콘, 탄소, 산소 및 불소의 angle-resolved XPS분석기술을 이용한 비파괴적 화학결합상태의 깊이분포 분석을 통하여 잔류막의 표면부에 O-F 결합이 존재하며 잔류막은 주로 탄소와 불소의 결합체인 C-F 플리머로 구성되어져 있고 Si-O, Si-C 및 Si-F 결합 등이 존재함을 알았다. 손상층은 실리콘 표면에서 약 60nm 깊이까지 탄소와 불소의 침투에 의해 형성되어져 있음을 알았다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권2호
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• pp.178-183
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• 2002

금속염으로 산화아연(ZnO)과 규불화수소산($H_2SiF_6$)을 이용하여 용액법으로 규불화아연($ZnSiF_6$, 농도 15%)을 제조하고 이를 시멘트용 혼화제로 첨가하여 시멘트의 유동성과 수화특성에 미치는 영향을 파악하였다. 규불화아연의 첨가량을 시멘트량 대비 1.0∼4.0%로 증가시켜 첨가한 시멘트 페이스트의 초기 유동성과 유동성의 경시변화를 측정하였다. 초기 유동성은 mini-slump 시험을 통해 평가하였고, 유동성의 경시변화는 slump loss 시험을 통해 평가하였다. 또한 규불화아연을 시멘트에 1.0∼3.0%로 첨가하였을 때 시멘트의 응결시간에 미치는 영향과 시멘트 수화열 변화에 미치는 영향을 파악하였다. 시멘트 페이스트의 유동성은 규불화아연이 2.1% 첨가되었을 때 가장 높게 나타났으나 경시변화는 다소 큰 것으로 나타났다. 시멘트 응결시간은 규불화아연의 첨가량 증가에 따라 지연되는 특성을 보였으며, 시멘트 수화열은 첨가량에 비례하여 감소되는 경향을 보였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권12호
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• pp.3738-3742
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• 2013

The reaction mechanism of $SiF_2$ radical with HNCO has been investigated by the B3LYP method of density functional theory(DFT), while the geometries and harmonic vibration frequencies of reactants, intermediates, transition states and products have been calculated at the B3LYP/$6-311++G^{**}$ level. To obtain more precise energy result, stationary point energies were calculated at the CCSD(T)/$6-311++G^{**}$//B3LYP/$6-311++G^{**}$ level. $SiF_2+HNCO{\rightarrow}IM3{\rightarrow}TS5{\rightarrow}IM4{\rightarrow}TS6{\rightarrow}OSiF_2CNH(P3)$ was the main channel with low potential energy, $OSiF_2CNH$ was the main product. The analyses for the combining interaction between $SiF_2$ radical and HNCO with the atom-in-molecules theory (AIM) have been performed.

• 비파괴검사학회지
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• 제34권1호
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• pp.23-30
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• 2014

$SiC_f$/SiC 복합재를 제작하여, $SiC_f$/SiC 복합재의 섬유배향 방향에 따르는 마모 특성을 평가하고, 마모시에 발생하는 탄성파를 검출하고 분석하였다. $SiC_f$/SiC 복합재는 섬유의 종 횡방향에 의한 마찰계수와 마모손실은 비슷하였으나, 섬유의 수직방향은 가장 작은 값을 나타내었다. 이것은 섬유의 취성 특성 때문이라 판단되며, 마모손실과 마찰계수는 정비례의 관계를 나타내었다. SiC 단상재의 탁월주파수는 58.6 kHz를 나타내고, $SiC_f$/SiC 복합재의 탁월주파수는 117.2와 136.7 kHz였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제20권1호
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• pp.37-42
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• 1983

An attempt was made to derive a possible synthetic mechanism of Fluoro-phlogopite (Mica, 4Mg.$Al_2O_3$.$6SiO_2$.$K_2O$.$2MgF_2$) The pevention of fluorine vaporization turned out to be the key in the synthesis of Mica in question.l Consequently the quinary system of Mica was seperately synthesized ; frist 4MgO.$Al_2O_3-6SiO_2$(ternary system) was sintered at 135$0^{\circ}C$ and $K_2O$ and $MgF_2$ were added and second 4MgO.$Al_2O_3-6SiO_2$.$K_2O$ (quarternary system) was heat-treated at 135$0^{\circ}C$ and $MgF_2$ was added. The ternary system resulted in Proto-enstatite Cordierite and Spinel phases while Forsterite and Leucite were shown in the quarternay system . In both methods Fluoro-phlogopite was systhesized but the solid state reactions to form Mica from the ternary system and the quarternary system were different. High temperature reactions in the formation of Mica were investigated employing XRD, DTA and SEM The study of the synthesis of Mica indirectly suggested a method of phase analysis of quinary system(MgO-$Al_2O_3-SiO_2-K_2O-MgF_2$) and quarternary system(MgO-$Al_2O_3-SiO_2-K_2O-MgF_2$) at various temperatures.

• 한국재료학회지
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• 제7권11호
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• pp.969-973
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• 1997

저유전율 층간절연물질인 불소첨가 SiO$_{2}$박막을 ECR(electron cyclotron resonance) Plasma chemical vapor deposition 법으로 성막하였다. SiOF박막의 증착은 SiF$_{4}$/O$_{2}$의 가스유량비를 변수로하여 0.2에서 1.6까지 변화시켜 증착하였고, 이때 마이크로파 전력은 700W, 기판온도는 30$0^{\circ}C$에서 행하였다. 증착된 SiOF박막의 흡습특성을 알아보기 위하여 Fourier transformed infrared spectroscopy(FTIR)을 이용하여 분석한 결과, 가스유량비 (SiF$_{4}$O$_{2}$)가 0.2 에서 1.6으로 증가하였을 때 Si-Ostretching피크의 위치는 1072$cm^{-1}$ /에서 1088$cm^{-1}$ /로 증가하였으며, Si-F$_{2}$피크는 가스유량비가 1.0이상에서 나타나기 시작하였다. 또한 가스유량비가 0.2에서 0.8까지 변화하여 증착한 시편은 Si-OH 피크가 관찰되지 않았지만 가스유량비가 1.0이상(11.8at.% F함유)의 시편의 경우 Si-OH 피크가 관찰되어 내흡습성이 저하되고 있음을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제4권S2호
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• pp.64-68
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• 1995

Silicon films were deposited at $430^{\circ}C$ by remote plasma chemical vapor deposition(RPECVD) with a gas mixture of $Si_2H_6/SiF_4/H_2$. The silicon films deposited without and with $SiF_4$ were characterized using atomic force microscopy(AFM), transmission electron microscopy(TEM) and X-ray diffraction(XRD). Both silicon films have the same rugged surface morphology, but, the silicon film deposited with $SiF_4$ exhibits more rugged. The silicon film deposited without $SiF_4$ is amorphous, whereas the silicon film deposited with $SiF_4$ is polycrystalline with very small needle-like grains which are perpendicular to the substrate and uniformly distributed in the thickness of the film. The silicon film deposited with $SiF_4$ was found to have a preferred orientation along the growth direction with the<110> of the film parallel to the <111> of the substrate. The effect of $SiF_4$ during RPECVD was discussed.

• 자원리싸이클링
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• 제18권4호
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• pp.62-69
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• 2009

반도체 웨이퍼 제조 공정 중 발생하는 질산, 불산, 초산으로 구성된 혼합폐산을 재활용하기 위한 연구를 수행하였다. 초기에 $NaNO_3$와 Si powder를 사용하여 불산을 $Na_2SiF_6$로 침전시켜 불소화합물을 제조하였고, 이 때 혼산 중 불산의 농도는 초기 127g/L에서 0.5g/L로 낮아져 불산 회수율은 99.5%였다. $Na_2SiF_6$ 제조 후 남은 혼산의 질산과 초산의 농도는 각각 502g/L, 117g/L였고, 이 혼산에 NaOH를 투입하여 pH=4로 맞춘 후 -440 mmHg, $95^{\circ}C에서 증발농축을 하여 초산 분리 회수하였다. 회수된 초산의 농도는 약 15%였고, 회수율은 85.3% 이상이었다. 또한, 농축여액을 $20^{\circ}C$까지 냉각하여 $NaNO_3$ 결정을 석출시킴으로 질산나트륨을 제조하였고, 그 회수율은 약 93%이상이었다. 제조된 $Na_2SiF_6$와 $NaNO_3$를 $90^{\circ}C$에서 건조시킨 후, XRD 분석한 결과, 순수 $Na_2SiF_6$와 $NaNO_3$만 합성된 것을 확인하였고, 그 순도는 각각 약 97%, 98%로 시판용과 유사하였다.