• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제16권2호
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• pp.1-6
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• 1991

상온에서 사용할 수 있는 감마선 검출 소자로서 $HgI_2$ 소자의 응용성을 판단하기 위하여 기상 성장법으로 $HgI_2$ 단결정을 성장시켰고 이를 이용하여 검출 소자를 제작한 후 감마선 검출 특성을 조사하였다 성장된 단결정의 비저항과 전하 운반자 포획 밀도는 상온에서 각각 $10^{11}{\Omega}\;cm$와 $1.8{\times}10^{14}/cm^3$였으며 단결정의 Photoluminescence를 측정한 결과 성장된 $HgI_2$ 단결정의 밴드갭의 온도계수는 20K부터 77K에서 $-1.53{\times}10^{-4}eV/K$였다. 감마선 검출실험 결과 제작된 $HgI_2$ 검출 소자는 상온에서 우수한 계수 특성과 시간에 대한 선형적 축적 계수 특성을 나타내었으나 온도변화에 따라 계수의 특성의 변화는 심하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.291.1-291.1
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• 2013

We examined the temperature-dependent structural and magnetic properties of HgI2 in the temperature range of 300~400 K. HgI2 is a diamagnetic material and can be used for X-ray or γ-ray detectors. DCmagnetization measurements on HgI2 showed that there is a small but distinguishable change in its diamagnetic properties near 375 K. The magnetic property change is not expected because Hg and I are known as nonmagnetic elements. X-ray diffraction (XRD) measurements revealed a structural transition in the temperature of 350~400 K. Temperature-dependent x-ray absorption fine structure (XAFS) demonstrated that the chemical valence states of both Hg and I did not changed in the temperature range of 300~400 K. However, XAFS revealed that the bond-length disorder was slightly increased in the temperature range, particularly, near Hg atoms. The structural changes of HgI2 are likely related to its diamagnetic property change. We will discuss the relation between the diamagnetic properties and local structural properties of HgI2 in detail.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.345-345
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• 2007

본 연구는 x선 영상검출기 적용을 위한 $HgI_2$ 필름의 누설전류 특성 향상을 위한 연구로서, $HgI_2$기반의 다양한 물질을 이용하여 다층구조 방식으로 제작된 필름의 누설전류 특성평가 및 제작된 다층구조의 상부전극물질의 변화에 따른 누설전류 특성을 평가하였다. $HgI_2$기반 다층구조의 제작 물질은 Parylene, $PbI_2$, a-Se을 사용하여 시편(parylene/ITO, ITO/$HgI_2/PbI_2$/ITO, ITO/$HgI_2$/a-Se/ITO)을 제작하였으며, 필름 제작공정은 Screen print, PVD공정으로 다층구조 필름을 제작하였다. 또 한, 다층구조로 제작된 필름에 상부 전극물질은 Au, In, ITO를 사용하여 누설전류의 특성을 평가하였다. 측정 장치로 DC Power Supply(556H. EG&G : 50~200V), X 선 발생장치(Toshiba KXO-50N), 차폐체 (Al 및 Cu), Oscilloscope (LeCroy, LC334AM, USA), Electrometer (Keithley, 6517), Ion chamber 2060 (Radical Co.)을 이용하여, 제작된 $HgI_2$기반 다층구조 sample의 누설전류 특성을 실험하였다. 이 결과로 다층구조에 제작된 물질 및 상부전극에 따른 누설전류의 특성을 평가하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.456-459
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• 2004

Analog film/screen systems have been being changed to a digital x-ray imaging device using direct conversion materials. Photocoductors for a direct detection flat-panel imager require high x-ray absorption, ionization and charge collection, low leakage current and large area deposition. In this work, $HgI_2$ films with excellent properties for x-ray detector were deposited by screen printing method. The thickness of $HgI_2$ film was about $150\;{\mu}m$. The passivation layer is fabricated using a-Se and parlyene, the both fabrication $HgI_2$ film were compared for analyzing the leakage current reduction. We measured electrical properties-leakage current, photosensitivity, SNR though I-V measurement, As the result, $HgI_2$ film using a-Se passivation layer had the greater

• 대한화학회지
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• 제55권1호
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• pp.38-45
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• 2011

전이금속 이온인 수은(II) 및 은(I)에 대한 $\alpha$-케토안정화된 일리드화 인 $Ph_3P$=CHC(O) $C_6H_4$-X (X=Br, Ph)의 착물 반응 행동을 연구하였다. 수은(II) 착물 {$HgX_2$ [Y]} 2 ($Y_1$=4-bromo benzoyl methylene triphenyl phosphorane; X=Cl(1), Br(2), I(3), $Y_2$=4-phenyl benzoyl methylene triphenyl phosphorane; X=Cl(4), Br(5), I(6))는 $Y_1$ 및 $Y_2$를 $HgX_2$ (X=Cl, Br, I)와 각각 반응시켜 제조하였다. $\alpha$-케토안정화된 일리드화 인($Y_2$)의 은(I) 착물 [Ag$(Y_2)_2$] X(X=$BF_4$(7), OTf(8))는 이러한 일리드와 AgX(X=$BF_4$, OTf)를 아세톤에서 반응시켜 얻었다. 착물 (1)과 (4)의 결정구조를 고찰하였다. 일리드의 C-배위 이핵착물과 트랜스-구조의 착물$[Y_1HgCl_2]_2$. $CHCl_3$ (1) 및 $[Y_2HgCl_2]_2$ (4)를 형성하는 이들 반응에 대해 단결정 X-선 분석을 통해 고찰하였다. 모든 착물(1-3)은 IR, $^1H$ 및 $^{31}P$ NMR 뿐만아니라 $^{13}$CNMR을 통하여 확인하였다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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• pp.260-260
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• 1999

We compared c-axis tunneling characteristics of small stacked intrinsic Josephson junctions prepared on the surface of pristine, I-, and HgI$_2$-intercalated Bi$_2Sr_2CaCu_2O_{8+x}$ (Bi2212) single crystals. The R(T) curves are almost metallic in I-Bi2212 specimens, but semiconducting in HgI$_2$-Bi2212 ones.· The transition temperatures were 82.0 K, 73.0 K, and 76.8 K for pristine Bi2212, I-Bi2212, and HgI2-Bi2212 specimens, respectively, consistent with p-T$_c$ phase diagram. Current-voltage (IV) characteristics of both kinds of specimens show multiple quasiparticle branches with well developed gap features, indicating Josephson coupling is established between neighboring CuO$_2$ planes. The critical current I$_c$ of I-Bi2212 is almost the same as of that of pristine crystals, but I$_c$ is much reduced in Hgl$_2$-Bi2212. In spite of expanded interlayer distances, the interlayer coupling is not significantly affected in I-Bi2212due to holes generated by iodine atoms. The coupling in HgI$_2$-Bi2212 is, however, weakened due to inertness of HgI$_2$ molecules and the expansion of interlayer distance. Relation between the superconducting transition temperature T$_c$ and the critical current I$_c$ seems to contradict Anderson's interlayer-pair-tunneling theory but agree with a modified version of it.

• Journal of Photoscience
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• 제1권1호
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• pp.47-52
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• 1994

Effects of HgCl$_2$-treatment on electron transport, chlorophyll a fluorescence and its quenching were studied using isolated barley (Hordeum vulgare L. cv. Albori) chloroplasts. Depending on the concentration of HgCI$_2$, photosynthetic oxygen-evolving activities of photosystem II (PS II) were greatly inhibited, whereas those of photosystem I (PS I) were slightly decreased. The inhibitory effects of HgCl$_2$ on the oxygen-evolving activity was partially restored by the addition of hydroxyamine, suggesting the primary inhibition site by HgCl$_2$2-treatment is close to the oxidizing site of PS tl associated with water-splitting complex. Addition of 50 $\mu$M HgCI$_2$ decreased both photochemical and nonphotochemical quenching of chlorophyll fluorescence. Especially, energy dependent quenching (qE) was completely disappeared by HgCl$_2$-treatment as observed by NH$_4$CI treatment. In the presence of HgCI$_2$, F'o level during illumination was also increased. These results suggest that pH gradient across thylakoid membrane can not be formed in the presence of 0 $\mu$M HgCl$_2$. In addition, antenna pigment composition might be altered by HgCl$_2$-treatment.

• 한국방사선학회논문지
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• 제3권4호
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• pp.29-33
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• 2009

최근 디지털 방사선 영상획득을 위한 평판형 X선 검출기에 이용되는 광도전체(a-Se, $HgI_2$, PbO, CdTe, $PbI_2$ 등)에 대한 관심이 증대되고 있다. 본 연구에서는 $HgI_2$ 와 a-Se 필름 변환체에 대해 X선에 대한 전기적 신호검출 특성을 조사하였다. 수백 마이크로의 두꺼운 광도전체 필름 제작을 위해 $HgI_2$는 입자침전방법을 이용하였고, a-Se은 종래의 진공열증착법을 이용하였다. 제작된 시편에 대한 전기적 특성 실험은 누설전류, 신호응답 특성, 민감도 등을 측정하였다. 실험결과로부터, $HgI_2$는 상용화된 a-Se에 비해 낮은 동작전압특성과 우수한 신호 발생율을 보임을 알 수 있었다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권12호
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• pp.189-194
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• 2014

본 연구에서는 새로운 구조의 X선 영상 검출기로써 광민감 $HgI_2$ 층이 포함된 CsI:Na 형광층의 구조를 설계하였다. 이러한 구조에서 X선은 두꺼운 CsI:Na 층에서 가시광선으로 변환된 후 하부의 얇은 $HgI_2$ 층에서 전하로 변환된다. CsI:Na와 $HgI_2$로 구성된 복합구조의 두께를 최적화하기 각 층의 두께를 변화시켜 X선에 대한 흡수효율을 시뮬레이션 하였다. 현재 상용화된 a-Se 단일층의 검출기는 수십 kV의 고전압이 요구되고, CsI:Na/a-Si 구조의 간접변환 방식은 낮은 변환효율을 가지는 단점이 있다. 본 연구의 결과로 제시된 새로운 형태의 CsI:Na/$HgI_2$ 복층 구조의 x-ray 검출기는 고전압이 필요한 직접 변환방식의 단점과 간접 변환방식의 낮은 효율을 보완할 수 있을 것으로 생각된다.

• Animal cells and systems
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• 제15권3호
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• pp.181-187
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• 2011

Transient receptor potential vanilloid type 1 (TRPV1) receptor plays an important role as a molecular detector of noxious signals in primary sensory neurons. Activity of TRPV1 can be modulated by the change in the environment such as redox state and extracellular cations. In the present study, we investigated the effect of the mercury chloride ($HgCl_2$) on the activity of TRPV1 in rat dorsal root ganglia (DRG) neurons using whole-cell patch clamp technique. Extracellular $HgCl_2$ reversibly reduced the magnitudes of capsaicin-activated currents ($I_{cap}$) in DRG neurons in a dose-dependent manner. The blocking effect of $HgCl_2$ was prevented by pretreatment with the reducing agent dithiothreitol (DTT). Inhibition of $I_{cap}$ by $HgCl_2$ was abolished by point mutation of individual cysteine residues located on the extracellular surface of TRPV1. These results suggest that three extracellular cysteines of TRPV1, Cys616, Cys634 and Cys621, are responsible for the oxidative modulation of $I_{cap}$ by $HgCl_2$.