• 한국세라믹학회지
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• 제33권3호
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• pp.307-312
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• 1996

In following addition of 0.3, -0.6, 0.8, 1.0 and 5 weight percent MgSiF66H2O studies have been made of the setting and hardening characteristics of ordinary portland cement. MgSiF66H2O retarded the setting time of ordinary portland cement and extended the induction pariod of the hydration. In ordinary portland cement the setting characteristics were drastically altered especially at high MgSiF66H2O contents. Evidence was also obtained by the formation of a KSiF6 which was very fine particle. The results wee as follows. 1. Slump was slightly decreased when MgSiF66H2O added. 2. Setting time was retarded depending on the amount of retarding agent 2 to 8 hours 3. Compressive strength was almost same or some increased in comparision with opc. 4. When MgSiF66H2O was added to cement paste K2SiF6 were formed It was fine-sized distributed uniformly in cement grain and caused retardation of cement setting.

• 한국재료학회지
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• 제28권12호
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• pp.709-713
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• 2018

To improve the etch rate of $Si_3N_4$ thin film, $H_2SiF_6$ is added to increase etching rate by more than two times. $SiO_3H_2$ is gradually added to obtain a selectivity of 170: 1 at 600 ppm. Moreover, when $SiO_3H_2$ is added, the etching rate of the $SiO_2$ thin film increases in proportion to the radius of the wafer. In $Si_3N_4$ thin film, there is no difference in the etching rate according to the position. However, in the $SiO_2$ thin film, the etching rate increases in proportion to the radius. At the center of the wafer, the re-growth phenomenon is confirmed at a specific concentration or above. The difference in etch rates of $SiO_2$ thin films and the reason for regrowth at these positions are interpreted as the result of the flow rate of the chemical solution replaced with fresh solution.

• 대한화학회지
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• 제55권4호
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• pp.570-574
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• 2011

최대 0.20 mm 크기를 가진 아날심 단결정은 $3.00SiO_2$ : $1.50NaAlO_2$ : 8.02NaOH : $454H_2O$ : 5.00TEA의 겔 조성으로부터 합성되어졌다. $Na^+$ 이온으로 완전히 이온교환 된 아날심은 0.1 M 농도의 NaCl 수용액으로부터 준비하였다(이온교환용액의 pH는 NaOH 용액을 첨가하여 6에서 11로 맞추었다). $|Na_{0.94}(H_2O)|[Si_{2.06}Al_{0.94}O_6]-ANA(a=13.703(3){\AA})$의 분자식을 가지는 수화된 아날심 단결정의 구조는 294 K에서 Ibca의 orthorhombic 공간군으로 단결정 X-선 회절기법에 의해 결정되었다. 결정 구조의 최종 에러값은 $R_1/wR_2$= 0.054/0.143에 수렴되었다. 약 15개의 $Na^+$ 이온이 팔면체 배위로 3군데의 비동등한 위치에서 발견되었다. 합성된 아날심의 화학적 조성은 $Na_{0.94}(H_2O)Si_{2.06}Al_{0.94}O_6$ 확인되었으며, Si/Al 비는 단결정 구조 정밀화를 통하여 찾은 양이온의 점유수인 14.79개에 의해 2.19로 결정되었다.

• 한국진공학회지
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• 제4권S1호
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• pp.1-6
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• 1995

Polycrystalline Si films have been used in many applications such as thin film transistors(TFT), image sensors and LSI applications. In this research deposition of Si films at low temperatures with remote plasma enhanced CVD from Si2H6-SiF4-H2 on SiO2 was studied and their crystallinity was investigated. It was condluded that growth of crystalline Si films was favorable with (1) low Si2H6 flow rates, (2) moderate plasma power, (3) moderate SiF4 flow rates, (4) moderate substrate temperature, and (5) suitable method of surface cleaning.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권2호
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• pp.163-170
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• 1997

대표적인 무기계 지연제인 규불하마그네슘(MgSiF6.6H2O)을 시멘트 수화반응시 첨가했을 때의 수화반응의 지연 효과 및 특성과 수용액 이온농도 변화 고찰하기 위하여 규불화마그네슘을 시멘트 질랴의 0.3wt%에서 5wt%까지 변화시키면서 그 영향을 연구 검토하였다. 시멘트 모르타르의 flow는 지연제의 첨가에 따라 감소하는 경향이 있으며 응결 시간은 지연제의 첨가량에 따라 지연되었다. 모르타르의 압축 강도는 지연제의 첨가량에 따라 3일, 7일까지는 지연제를 첨가하지 않은 plain mortar에 비하여 약간 낮은 강도를 나타내나, 시간이 지남에 따라 회복되어 28일이 지나면 plain 모르타르와 같은 강도를 나타낸다. 규불화마그네슘이 첨가되면 수화 초기 단계에서 시멘트로부터 용출된 알카리 이온과 반응하여 K2SiF6의 생성이 일어나며 그와 동시에 Ca++와 F++와의 반응에 따라 CaF2화합물이 생성됨을 확인하였다. 이때 생성된 K2SiF6 및 CaF2생성물의 비표면적은 대단히 컸으며 이들 물질이 수화반응 초기에 미수화 시멘트시 입자 표면에 생성되어 시멘트의 수화가 지연되는 것으로 검토된다. 또한 수화초기의 수화용액의 Ca++ 및 K+이온 농도의 저하 역시 포틀랜드 수화반응속도를 지연시켜 주는 이유가된다.

• 한국재료학회지
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• 제9권4호
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• pp.414-418
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• 1999

Typical metal oxide thin films having optical and electrical properties are widely used as inorganic functional materials. Liquid phase deposition(LPD) method, a new low temperature process, has been developed for the several advantages of no vacuum system, low cost, high throughput, and low processing temperature(<$50^{\circ}C$). Silica powder was added to 40wt% hydrofluoro-silicic acid($H_2$SiF\ulcorner) to obtain an immersing solution of silica-saturated hydrofluorosilicic acid solution. Boric acid solution was continuously added in the range from 0 to 0.05M to prepare supersaturated hydrofluorosilicic acid solution. LPD $SiL_2$film was formed with the variation of added amount of $H_2$O. The SiO$_2$thin film could be prepared from hydrofluorosilicic acid by LPD method. The thickness of LPD $_SiO2$film was influenced by the boric acid concentration and added amount of $H_2$O. Silicon in thin film existed as SiF\ulcorner by Raman spectrum.

• 공업화학
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• 제29권1호
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• pp.122-126
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• 2018

비이온성 계면활성제 수용액 중에서 $Na_2SiO_3$와 $H_2SiF_6$의 빠른 반응을 통하여 메조포러스 분자체를 제조하였다. 침전은 수초 이내에 형성되었으며, 시료의 XRD분석은 d-spacing이 3.1-5.8 nm인 잘 발달된 피크를 나타내어 메조포러스분자체임을 확인할 수 있었다. 비표면적은 비이온 계면활성제에 따라 $290-1,018m^2/g$의 큰 값을 나타내었으며, 기공분포는 2.5-3.1 nm의 일정한 값을 보여주었다. SEM을 통해 관찰한 입자의 모양은 크기가 ${\sim}0.5{\mu}m$로 균일하고 잘 분리된 구형이었으며, TEM은 기공의 형태가 일정크기의 벌레구멍 모양임을 보여주었다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제5권3호
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• pp.215-218
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• 2007

In this paper, amorphous semiconductor and insulator thin film are etched using reactive ion etcher. At that time, we experiment in various RIE conditions (chamber pressure, gas flow rate, rf power, temperature) that have effects on quality of thin film. The using gases are $CF_4,\;CF_4+O_2,\;CCl_2F_2,\;CHF_3$ gases. The etching of a-Si:H thin film use $CF_4,\;CF_4+O_2$ gases and the etching of $a-SiO_2,\;a-SiN_x$ thin film use $CCl_2F_2,\;CHF_3$ gases. The $CCl_2F_2$ gas is particularly excellent because the selectivity of between a-Si:H thin film and $a-SiN_x$ thin film is 6:1. We made precise condition on dry etching with uniformity of 5%. If this dry etching condition is used, that process can acquire high yield and can cut down process cost.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권6호
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• pp.30-37
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• 1989

Silane($SiH_4$), methane($CH_4$), diborane(B_2H_6)그리고 phosphine($PH_3$)을 이용하여 rf글로방전분해법으로 PIN형 a-SiC:H/a-Si:H 이종접합 태양전지를 제작하였다. $SnO_2/ITO$층 형성치 태양전지의 효율은 ITO 투명전극만의 경우보다 1.5% 향상되었다. 제작조건은 P층의 경우 $CH_4/SiH_4$의 비를 5로 하고 두께는 $100{\AA}$이었다. I층은 P층위에 증착하였으나 진성이 아니고 N형에 가깝다. 이 I층을 진성으로 바꾸기 위해서 0.3ppm의 $B_2H_6$를 $SiH_4$에 혼합하여 5000${\AA}$증착했다. 또한 N층은 $PH_4/SiH_4$의 비를 $10^{-2}$로 하여 $400{\AA}$ 증착시켰다. 그 결과 입사강도가 15mW/$cm^2$일 때 개방전압 $V_{oc}=O'$단락전류밀도 $J_{sc=14.6mA/cm^2}$, 충진율 FF=58.2%, 그리고 효율 ${eta}=8.0%$를 나타내었다. 빛의 반사에 의한 손실을 감소시키기 위하여 $MgF_2$를 유리기판위에 도포하였다. 이에 의한 효율은 0.5% 향상되어 전체적인 효율은 8.5%였다.

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.145-152
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• 1992

Si surfaces exposed to CHF3/C2F6 gas plasmas ih reactive ion etching (RIE) have been characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). CHF3/C2F6 gas plasma exposure of Si surface leads to the deposition of residual film containing carbon and fluorine. The narrow scan spectra of C 1s show various bonding states of carbon as C-Si, C-F/H, C-CFx(x $\leq$ 3), C-F, C-F2, and C-F3. The chemical bonding states of fluorine are described with F-Si, F-C and F-O. And the oxygen and silicon are also detected. The effects of parameters for reactive ion etching as CHF3/C2F6 gas ratio, RF power, and pressure are investigated.