• 한국재료학회지
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• 제9권4호
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• pp.414-418
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• 1999

Typical metal oxide thin films having optical and electrical properties are widely used as inorganic functional materials. Liquid phase deposition(LPD) method, a new low temperature process, has been developed for the several advantages of no vacuum system, low cost, high throughput, and low processing temperature(<$50^{\circ}C$). Silica powder was added to 40wt% hydrofluoro-silicic acid($H_2$SiF\ulcorner) to obtain an immersing solution of silica-saturated hydrofluorosilicic acid solution. Boric acid solution was continuously added in the range from 0 to 0.05M to prepare supersaturated hydrofluorosilicic acid solution. LPD $SiL_2$film was formed with the variation of added amount of $H_2$O. The SiO$_2$thin film could be prepared from hydrofluorosilicic acid by LPD method. The thickness of LPD $_SiO2$film was influenced by the boric acid concentration and added amount of $H_2$O. Silicon in thin film existed as SiF\ulcorner by Raman spectrum.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.387-390
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• 2002

This paper presents deposition and characterizations of microcrystalline silicon(${\mu}$c-Si:H) films prepared by hot wire chemical vapor deposition at substrate temperature below 300$^{\circ}C$. The SiH$_4$ concentration[F(SiH$_4$)/F(SiH$_4$).+(H$_2$)] is critical parameter for the formation of Si films with microcrystalline phase. At 6% of silane concentration, deposited intrinsic ${\mu}$c-Si:H films shows sufficiently low dark conductivity and high photo sensitivity for solar cell applications. P-type ${\mu}$c-S:H films deposited by Hot-Wire CVD also shows good electrical properties by varying the rate of B$_2$H$\_$6/ to SiH$_4$ gas. The solar cells with structure of Al/nip ${\mu}$c-Si:H/TCO/g1ass was fabricated with single chamber Hot-Wire CVD. About 3% solar efficiency was obtained and applicability of HWCVD for thin film solar cells was proven in this research.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제5권3호
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• pp.215-218
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• 2007

In this paper, amorphous semiconductor and insulator thin film are etched using reactive ion etcher. At that time, we experiment in various RIE conditions (chamber pressure, gas flow rate, rf power, temperature) that have effects on quality of thin film. The using gases are $CF_4,\;CF_4+O_2,\;CCl_2F_2,\;CHF_3$ gases. The etching of a-Si:H thin film use $CF_4,\;CF_4+O_2$ gases and the etching of $a-SiO_2,\;a-SiN_x$ thin film use $CCl_2F_2,\;CHF_3$ gases. The $CCl_2F_2$ gas is particularly excellent because the selectivity of between a-Si:H thin film and $a-SiN_x$ thin film is 6:1. We made precise condition on dry etching with uniformity of 5%. If this dry etching condition is used, that process can acquire high yield and can cut down process cost.

• 대한화학회지
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• 제55권4호
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• pp.570-574
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• 2011

최대 0.20 mm 크기를 가진 아날심 단결정은 $3.00SiO_2$ : $1.50NaAlO_2$ : 8.02NaOH : $454H_2O$ : 5.00TEA의 겔 조성으로부터 합성되어졌다. $Na^+$ 이온으로 완전히 이온교환 된 아날심은 0.1 M 농도의 NaCl 수용액으로부터 준비하였다(이온교환용액의 pH는 NaOH 용액을 첨가하여 6에서 11로 맞추었다). $|Na_{0.94}(H_2O)|[Si_{2.06}Al_{0.94}O_6]-ANA(a=13.703(3){\AA})$의 분자식을 가지는 수화된 아날심 단결정의 구조는 294 K에서 Ibca의 orthorhombic 공간군으로 단결정 X-선 회절기법에 의해 결정되었다. 결정 구조의 최종 에러값은 $R_1/wR_2$= 0.054/0.143에 수렴되었다. 약 15개의 $Na^+$ 이온이 팔면체 배위로 3군데의 비동등한 위치에서 발견되었다. 합성된 아날심의 화학적 조성은 $Na_{0.94}(H_2O)Si_{2.06}Al_{0.94}O_6$ 확인되었으며, Si/Al 비는 단결정 구조 정밀화를 통하여 찾은 양이온의 점유수인 14.79개에 의해 2.19로 결정되었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권6호
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• pp.30-37
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• 1989

Silane($SiH_4$), methane($CH_4$), diborane(B_2H_6)그리고 phosphine($PH_3$)을 이용하여 rf글로방전분해법으로 PIN형 a-SiC:H/a-Si:H 이종접합 태양전지를 제작하였다. $SnO_2/ITO$층 형성치 태양전지의 효율은 ITO 투명전극만의 경우보다 1.5% 향상되었다. 제작조건은 P층의 경우 $CH_4/SiH_4$의 비를 5로 하고 두께는 $100{\AA}$이었다. I층은 P층위에 증착하였으나 진성이 아니고 N형에 가깝다. 이 I층을 진성으로 바꾸기 위해서 0.3ppm의 $B_2H_6$를 $SiH_4$에 혼합하여 5000${\AA}$증착했다. 또한 N층은 $PH_4/SiH_4$의 비를 $10^{-2}$로 하여 $400{\AA}$ 증착시켰다. 그 결과 입사강도가 15mW/$cm^2$일 때 개방전압 $V_{oc}=O'$단락전류밀도 $J_{sc=14.6mA/cm^2}$, 충진율 FF=58.2%, 그리고 효율 ${eta}=8.0%$를 나타내었다. 빛의 반사에 의한 손실을 감소시키기 위하여 $MgF_2$를 유리기판위에 도포하였다. 이에 의한 효율은 0.5% 향상되어 전체적인 효율은 8.5%였다.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제7권2호
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• pp.33-38
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• 2003

Fluorinated amorphous carbon thin films (a-C:F) for the use of low dielectric constant intermetallic layer dielectrics are deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition with $C_4$F$_{8}$ and Si$_2$H$_{6}$/He gas mixture as precursors. To characterize and improve film properties, we changed various conditions such as deposition temperature, and RF power, and we measured the thickness and refractive indexes and FT-IR spectrum before and after annealing. At low temperatures the film properties were very poor although the growth rate was very high. On the other hand, the growth rate was low at high temperature. The growth rate increased in accordance with the deposition pressure. The dielectric constants of samples were in the range of 1.5∼5.5∼5.

• 자원리싸이클링
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• 제18권4호
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• pp.62-69
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• 2009

반도체 웨이퍼 제조 공정 중 발생하는 질산, 불산, 초산으로 구성된 혼합폐산을 재활용하기 위한 연구를 수행하였다. 초기에 $NaNO_3$와 Si powder를 사용하여 불산을 $Na_2SiF_6$로 침전시켜 불소화합물을 제조하였고, 이 때 혼산 중 불산의 농도는 초기 127g/L에서 0.5g/L로 낮아져 불산 회수율은 99.5%였다. $Na_2SiF_6$ 제조 후 남은 혼산의 질산과 초산의 농도는 각각 502g/L, 117g/L였고, 이 혼산에 NaOH를 투입하여 pH=4로 맞춘 후 -440 mmHg, $95^{\circ}C에서 증발농축을 하여 초산 분리 회수하였다. 회수된 초산의 농도는 약 15%였고, 회수율은 85.3% 이상이었다. 또한, 농축여액을 $20^{\circ}C$까지 냉각하여 $NaNO_3$ 결정을 석출시킴으로 질산나트륨을 제조하였고, 그 회수율은 약 93%이상이었다. 제조된 $Na_2SiF_6$와 $NaNO_3$를 $90^{\circ}C$에서 건조시킨 후, XRD 분석한 결과, 순수 $Na_2SiF_6$와 $NaNO_3$만 합성된 것을 확인하였고, 그 순도는 각각 약 97%, 98%로 시판용과 유사하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1555-1558
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• 2002

This paper presents deposition and characterizations of microcrystalline silicon(${\mu}c$-Si:H) films prepared by hot wire chemical vapor deposition at substrate temperature below $300^{\circ}C$. The $SiH_4$ Concentration$[F(SiH_4)/F(SiH_4)+F(H_2)]$ is critical parameter for the formation of Si films with microcrystalline phase. At 6% of silane concentration, deposited intrinsic ${\mu}c$-Si:H films shows sufficiently low dark conductivity and high photo sensitivity for solar cell applications. P-type ${\mu}c$-S:H films deposited by Hot-Wire CVD also shows good electrical properties by varying the rate of $B_2H_6$ to $SiH_4$ gas. The solar cells with structure of Al/nip ${\mu}c$-Si:H/TCO/glass was fabricated with sing1e chamber Hot-Wire CVD. About 3% solar efficiency was obtained and applicability of HWCVD for thin film solar cells was proven in this research.

• 한국진공학회지
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• 제7권4호
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• pp.403-409
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• 1998

본 연구에서는 자장강화된 유도결합형 플라즈마를 사용하여 이 플라즈마의 특성을 조사하고 또한 산화막 식각에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 자장 강화를 위해 4쌍의 영구자석이 사용되었고, 산화막 식각을 위해 $C_2F_6, CHF_3, C_4F_8$ 가스 및 이들 혼합가스가 사 용되었으며 첨가가스로 $H_2$를 사용하였다. 자장강화된 유도결합형 플라즈마 특성 분석을 위 해 Langmuir probe와 optical emission spectrometer를 이용하여 산화막 식각 속도 및 photoresist에 대한 식각 선택비를 stylus profilometer를 이용하여 측정하였다. 이온 밀도에 있어서 자장 유무에 따른 큰 변화는 관찰되지 않았으나 이온전류밀도의 균일도는 자장을 가 한 경우 웨이퍼가 놓이는 기판 부분에서 상당히 증가된 것을 알 수 있었다. 또한 자장이 가 해진 경우, 자장을 가하지 않은 경우에 비해 플라즈마 전위가 감소된 반면 전자온도 및 라 디칼 밀도는 크게 증가되는 것을 알 수 있었으며 산화막 식각시에도 높은 식각 속도와 식각 균일도를 보였다. 산화막 식각을 위해 수소가스를 사용한 가스조합중에서 C4F8/H2가스조합 이 가장 우수한 식각 속도 및 photoresist에 대한 식각 선택비를 나타내었으며 공정변수를 최적화 함으로써 순수 C4F8에서 4이상의 선택비와 함께 8000$\AA$/min의 가장 높은 식각속도 를 얻을 수 있었으며, 50%C4F8/50%H2에서 4000$\AA$/min의 산화막 식각 속도와 함께 15이상 의 식각 선택비를 얻을 수 있었다.

• 한국콘크리트학회:학술대회논문집
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• 한국콘크리트학회 1999년도 학회창립 10주년 기념 1999년도 가을 학술발표회 논문집
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• pp.123-126
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• 1999

On this study, CaCO3(CF) treated with H2SiF6 as a fluorine copmpound and analyzed its basic property. When CF added with cement and mortar, we also examined effect of CF on the physical property of cement and mortar.