• 공업화학
• /
• 제10권2호
• /
• pp.242-246
• /
• 1999

${\gamma}-chromia$ 촉매상에서 이염화이불화메탄 ($CF_2Cl_2$)과 사염화메탄 ($CCl_4$)을 불화수소로 불화하여 얻은 생성물의 분포에 대해 반응온도와 접촉시간, 그리고 반응주입 몰비 (HF/$CF_2Cl_2$ 또는 HF/$CCl_4$)의 영향을 조사하였다. 이염화이불화메탄의 불화반응은 주입 몰비 (HF/$CF_2Cl_2$)가 3 이상에서 접촉시간과 반응온도가 증가함에 따라 사불화메탄의 수율이 증가하여 반응온도 $370^{\circ}C$ 이상과 접촉시간 3초 이상에서 100%에 가까운 수율을 얻었다. 사염화메탄의 불화반응의 경우에는 이염화이불화메탄의 불화반응보다 반응온도가 높은 $500^{\circ}C$와 접촉시간 3초, 그리고 과량의 불화수소가 포함된 HF/$CCl_4$의 몰비 5에서 사불화메탄의 수율이 90% 이상 얻어졌다.

• 공업화학
• /
• 제4권2호
• /
• pp.318-323
• /
• 1993

CFC-11$(CFCl_3)$의 대체품인 HCFC-123$(CF_3CHCl_2)$의 합성을 위하여 Pentachloroethane($CHCl_2CCl_3$)을 제조하고, 이것을 antimony pentahalide 촉매의 존재하에서 불화수소와 반응시켰다. $CHCl_2CCl_3$의 불소화 반응은 촉매와 반응물간의 Cl-F교환 mechanism에 의해 진행되었으며 $CHCl_2CCl_3$의 불화도는 반응온도가 높을수록 증가하는 경향을 보여 주었다. 촉매농도 또한 생성물의 불화도에 영향을 미치나 반응온도에 비해 상대적으로 낮았다. $CCl_3CFCl_2$, $CFCl_2CFCl_2$, $CF_2ClCFCl_2$와 같은 부산물의 생성원인을 규명하기 위한 실험을 실시하여 부산물 생성 mechanism을 제안하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.1512-1514
• /
• 2001

In this work, PZT thin films were etched as a function of $Cl_2$/Ar and additive $CF_4$ into $Cl_2$(80%)/Ar(20%). The etch rates of PZT films were 1600 $\AA$/min at $Cl_2$(80%)/Ar(20%) gas mixing ratio and 1973 $\AA$/min at 30% additive $CF_4$ into $Cl_2$(80%)/Ar(20%). Therefore the etch rate of PZT in $CF_4/Cl_2/Ar$ plasma is faster than in $Cl_2$/Ar. From XPS and SIMS analysis, metal halides and C-O, FCI and $CClF_2$ were detected. The etching of PZT films in Cl-based plasma is primarily chemically assisted ion etching and the remove of nonvolatile etch byproducts is the dominant step. Consequently, we suggest that the increase of Cl radicals and the volatile oxy-compound such as $CO_y$ are made by adding $CF_4$ into $Cl_2$/Ar plasma. Therefore, the etch rate of PZT in $CF_4/Cl_2/Ar$ plasma is faster than in $Cl_2$/Ar. The etched profile of PZT films was obtained above 70$^{\circ}$ by the SEM micrograph.