• 한국세라믹학회지
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• 제32권12호
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• pp.1323-1330
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• 1995

The effects of various additives on the microstructures of sintered ZnO varistors were examined. Bi2O3, Sb2O3 and Cr2O3 were added to ZnO step by step to identify the effect of each component. The specimens were prepared by sintering at 110$0^{\circ}C$ and 120$0^{\circ}C$ in ambient atmosphere. In ZnO-Bi2O3-Sb2O3 ternary system, decrease of averge grain size due to antimony oxide addition depends on sintering temperature as well as Bi2O3 content. When Sb2O3 was partly or completely replaced by Cr2O3, grain size was further reduced. A significant amount of pyrochlore phase which was not transformed to spinel and Bi2O3-rich liquid phase seemed to remain during sintering at 110$0^{\circ}C$. Unlike ZnO-Bi2O3-Sb2O3 system, the $\alpha$-spinel phase containing significant amount of Cr did not transform to pyrochlore during furnace cooling. Fine spinel particles around 1${\mu}{\textrm}{m}$ size were ovserved within ZnO grains and grain boundaries, which were believed to be responsible for grain-growth inhibition in ZnO-Bi2O3-Sb2O3.

• 한국재료학회지
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• 제3권5호
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• pp.553-561
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• 1993

본 연구에서는 입계의 성질을 이용한 PTCR 재료에 입계 modifier로서 $Bi_2O_3$를 첨가하고 입계의 미세구조와 결함농도를 변화시켜 이에 따른 소결 및 전기적 특성변화를 TMA, XRD, 복합 임피던스방법 등을 이용하여 해석하였다. 실험 결과 Y이 도우핑된 $BaTiO_3$PTCR 재료에 $Bi_2O_3$를 첨가하였을때 약 0.1mol%까지 고용이 되는 것으로 밝혀졌다. $Bi_2O_3$를 고용한계 이하로 첨가시에는 생성되는 vacancy등의 결함으로 말미암아 $Y-BaTiO_3$의 치밀화가 촉진되었으나, 그 이상 첨가하면 치밀화 뿐만 아니라 결정립 성장도 억제되었다. $Bi_2O_3$의 첨가량에 따라 계내에 존재하는 각 이온의 반경, 결함 반응식 및 격자 탄성 변형 에너지 등을 고려하면 $Y-BaTiO_3$결정립 내부에 Ba와 Ti vacancy가 동시에 생길 수 있어 고온저항이 높아짐을 알 수 있었다. BN은 $BaTiO_3$에 고용이 되지 않는 것으로 밝혀졌으며 $B_2O_3$를 주성분으로한 액상형성으로 인하여 저온에서의 급격한 치밀화가 관찰되었다. 또 Ba-Y-Ti-B-O의 비정질 상이 tripie junction에 존재함으로써 상온저항이 크게 변화하였으며, PTCR jump도 높아졌다.

• 한국자기학회지
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• 제8권2호
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• pp.62-66
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• 1998

본 논문은 자기적 특성이 우수한 Ni-Zn-Cu ferrite를 얻기 위해 Bi2O3와 V2O5를 첨가하여 90$0^{\circ}C$에서 4시간 동안 소결한 후 각각의 시편에 대해서 물리적, 자기적 특성을 조사하였다. 큐리 온도는 Ni의 첨가량이 증가할수록 240~27$0^{\circ}C$까지 거의 직선적으로 증가하였다. 첨가제로 V2O5 와 Bi2O3를 사용한 경우 저온에서 소결을 가능하게 하여 최대 자속 밀도 Bm을 2650G에서 각각 3300G, 3500G로 높일수 있었으며 보자력은 2.05~1.05Oe까지 감소하였다. 첨가제로 V2O5와 Bi2O3를 사용한 경우 모두 투자율이 증가하였다. 상대 손실 계수는 Bi2O3를 첨가한 경우 입게의 비저항을 높여, 1 MHz의 주파수 대역에서 상대 손실 계수를 측정한 결과 6.3$\times$10-5~7.84$\times$10-5의 낮은 값을 얻었다. V2O5의 경우에는 투자율은 증가하였으나 Q값이 감소하여 상대 손실 계수가 증가하였다.

• Journal of Ceramic Processing Research
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• 제19권5호
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• pp.388-393
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• 2018

Sublimation of $Bi_2O_3$-based materials is an important degradation issue for the long-term applications of many electronic devices. A series of $SnO_2$-doped $Bi_2O_3$ materials (SBO), was synthesized, densified, and then tested in air or strong reducing atmosphere. The $SnO_2$-doping effects and sublimation kinetics of the SBO materials were studied by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM) and precise mass loss measurement. The results show that formation of $Bi_2Sn_2O_7$ phase greatly retards the mass loss of SBO. The SBO samples show a surface sublimation in an energy of $52.6kJ{\cdot}mol^{-1}$. However, the sublimation is also controlled by surface microstructure as the amount of vaporizing species (the Bi or gaseous Bi-oxides) is more than 0.1 mass%. The evaporation is retarded on the rough surface and the mechanism of surface evaporation is changed to diffusional control.

• 한국재료학회지
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• 제11권4호
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• pp.290-293
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• 2001

세라믹 타겟인 Sr$_2$Nb$_2$O$_{7}$ (SNO)과 Bi$_2$O$_3$을 장착한 RF-마그네트론 스퍼터링을 이용하여 SrBi$_2$Nb$_2$O$_{9}$ (SBN) 박막을 p-type Si(100) 기판 위에 증착하였다. 증착시 두 타겟의 파워비를 조절하여 조성의 변화에 따른 SBN 박막의 구조적 및 전기적 특성을 조사하였다. 증착된 SBN 박막은 $700^{\circ}C$의 산소분위기에서 1시간 동안 열처리를 하였으며 상부전극으로 Pt를 증착한 후 산소분위기에서 30분 동안 $700^{\circ}C$에서 전극 후열처리를 실시하였다. 증착된 SBN 박막은 $700^{\circ}C$ 열터리 후에 페로브스카이트 상을 나타냈으며 SNO 타겟과 Bi$_2$O$_3$타겟의 파워가 120 W/100 W 일 때 가장 좋은 전기적 특성을 나타내었다. 이때의 조성은 EPMA(Electron Probe X-ray Micro Analyzer) 분석을 통하여 확인하였으며 Sr:Bi:Nb의 비가 약 1:3:2임을 나타내었다. 이러한 과잉의 Bi조성을 가진 SBN 박막은 3-9 V의 인가전압에서 1.8 V-6.3 V의 우수한 메모리 윈도우 값을 나타내었으며 누설전류 값은 인가전압 5 V에서 1.54$\times$$10^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.1208-1211
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• 2003

High quality $Bi_2Sr_2Ca_nCu_{n+1}O_x$ superconducting thin films fabricated by using the evaporation method at various substrate temperatures, $T_{sub}$, and ozone gas pressures, $pO_3$. The correlation diagrams of the $Bi_2Sr_2Ca_nCu_{n+1}O_x$ phases with $T_{sub}$ and $pO_3$ are established in the 2212 and 2223 compositional films. In spite of 2212 compositional sputtering, Bi2201 and Bi2223 as well as Bi2212 phases come out as stable phases depending on $T_{sub}$ and $pO_3$. From these results, the thermodynamic evaluation of ${\Delta}H$ and ${\Delta}S$, which are related with Gibbs' free energy change for single Bi2212 or Bi2223 phase, was performed.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.89-94
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• 2007

다양한 기판 온도와 산화 가스 압력 하에서 i-beam 스퍼터링 법으로 BiSrCaCuO 박막을 제작하였다. 기판온도 $T_{sub}$와 산화 가스 압력 $pO_3$를 변화시키며 제작된 Bi2212 및 Bi2223 박막의 생성상도를 작성하였다. Bi2212 조성으로 스퍼터링 하였으나 Bi2212 상 뿐 아니라 Bi2201 상과 Bi2223 상이 모두 생성되었고, Bi2212나 Bi2223 단상은 매우 좁은 온도 영역에서만 형성되었다. 생성 엔탈피의 변화 ${\Delta}{\bar}HO_2$와 생성 엔트로피의 변화 ${\Delta}{\bar}SO_2$에 대한 열역학적인 계산을 통해 Bi2212 단상이 형성된 경우 각각 -260 kJ/mol 및 $-225J/mol{\cdot}K$의 값을 얻었다.

• 한국초전도저온공학회:학술대회논문집
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• 한국초전도저온공학회 1999년도 제1회 학술대회논문집(KIASC 1st conference 99)
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• pp.51-53
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• 1999

The crystallization mechanism of an amorphous $Bi_{2}$$Sr_{2}$$Ca_{2 x}$$Cd_{x}$$Cu_{3}$$O_{y}$ phase were studied from the relations between crystallization and volume changes by dilatometry. Further, the effect of addition of CdO on the crystallization mechanism and superconductivity was discussed. The shrinkage of the amorphous $Bi_{2}$$Sr_{2}$$Ca_{2 x}$$Cd_{x}$$Cu_{3}$$O_{y}$ occurred with the crystallization of $Bi_{2}$$Sr_{2}$Cu$O_{6}$ phase decrease with increasing CdO content with a minimum at x=0.4. Better superconductivity was obtained in the specimens formation less amount of the$Bi_{2}$$Sr_{2}$Cu$O_{6}$ phase during the crystallization process.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.342-342
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• 2008

The low temperature sintering and microwave dielectric properties of ceramic/glass composites which were composed of ceramics in the $Bi_2(Zn_{1/3}Nb_{2/3})_2O_7$ and zinc borosilicate glass/bismuth-zinc borosilicate glass were investigated with a view to applying the microwave dielectrics to low temperature co-fired ceramics. The $Bi_2(Zn_{1/3}Nb_{2/3})_2O_7$ addition of 5 wt% ZBS and BZBS glass ensured a successful sintering below $900^{\circ}C$. In addition, pyrochlore phase was observed in the all composition. $Bi_2(Zn_{1/3}Nb_{2/3})_2O_7$ with 5 wt% BZBS glasss demonstrated 70 as the dielectric constant ($\varepsilon_r$), 2,500 GHz as the Q$\times$f value, and -40 ppm/$^{\circ}C$ as TCF.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권10호
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• pp.2935-2940
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• 2014

Monodispersed $Bi_2O_2CO_3$ nanoplates with an average width of 320 nm and thicknesses of 50-90 nm were successfully synthesized by a simple solvothermal method in a mixture solution of polyethylene glycol and $H_2O$. The obtained nanoplates were characterized by means of XRD, FT-IR, SEM and TEM. The effect of surfactant sodium dodecyl benzene sulfonate on the morphology of $Bi_2O_2CO_3$ product was investigated. Under simulated solar light irradiation, $Bi_2O_2CO_3$ nanoplates exhibited superior photocatalytic activities towards the degradation of RhB as well as high chemical stability upon cycling photocatalytic test. The nanoplates also showed promising photodegradation ability for eliminating refractory pollutant of phenol. The excellent photocatalytic performance of $Bi_2O_2CO_3$ nanoplates as compared with P25-$TiO_2$ endows them as promising high efficiency photocatalysts.