In order to investigate the effect of the second phase on Al2O3 matrix, SiC whisker was dispersed in Al2O3 matrix as a second phase over the content range of 5vol% to 20vol%. To this mixture, Y2O3 or TiO2 powder was added as a sintering additive before isostatically pressing and pressureless sintering at 1800-190$0^{\circ}C$ for 90min in N2 atmosphere. With increasing SiC whisker content, relative densities of composites were decreased and the grain growth of Al2O3 was restricted. When Y2O3 was added as a sintering aid the sintering temperature was 180$0^{\circ}C$, the maximum values of flexural strength, hardness and fracture toughness were 537MPa, 12.1GPa, 3.7MPa.m1/2, respectively. However, when the sintering temperature was elevated to 190$0^{\circ}C$, maximum values of flexural strength, hardness and fracture toughness were 453MPa, 17.5GPa, 4.9MPa.m1/2, respectively. Improved mechanical properties are assumed to be attributed to the crack deflection by the second phase SiC whisker and whisker pullout mechanism.
The main object of this study is to investigate the effect of Al powder as an additive on the sintering of calcined alumina comparing with that of calcined alumina alone. The degree of Al oxidation is calculated by measuring the weight increase during the firing Water absorption bulk density and compressive strength of the $Al_2O_3+Al$ system at each temperature are compared with those of $Al_2O_4$ alone. The $Al_2O_3+Al$ system shows better physical propeties than Al2O3 alone and it seems by the SEM observation that the fine oxidized Al particles(fine $Al_2O_3$ particles submicron unit) fill the interstices of the original $Al_2O_3$ par-ticles and thus result in the well-close-packed arrangement of the particles.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.12
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pp.1017-1024
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2000
Effect of the microwave dielectric properties and the microstructure on a mole fraction(x=0.1~0.9) of (1-x)Mg$_2$SiO$_4$-xZnAl$_2$O$_4$ ceramics was investigated. When (1-x)Mg$_2$SiO$_4$-xZnAl$_2$O$_4$(x=0.1~0.9) ceramics were sintered at 130$0^{\circ}C$, 135$0^{\circ}C$ and 140$0^{\circ}C$ for 2hr, the microwave dielectric properties were obtained $\varepsilon$r=6.8~8.3, Q.f$_{0}$=36000~77600. On the other hand, the temperature coefficients of resonant frequency($\tau$$_{f}$) were obtained in the properties of -62ppm/$^{\circ}C$ to -49ppm/$^{\circ}C$. In order to adjust the temperature coefficient of resonant frequency($\tau$$_{f}$), CaTiO$_3$was added in (1-x)Mg$_2$SiO$_4$-xZnAl$_2$O$_4$ceramics. 0.7Mg$_2$SiO$_4$-0.2ZnAl$_2$O$_4$-0.1CaTiO$_3$ceramics sintered at 135$0^{\circ}C$ for 2hr showed the excellent microwave dielectric properties of $\varepsilon$r=7.7, Q.f$_{0}$=32000, and $\tau$$_{f}$=-7.9 ppm/$^{\circ}C$.EX>.>.EX>.
The Mg-PSZ/$Al_2O_3$ fibers were fabricated by the sol-gel method. The added $Al_2O_3$ amounts were varied from 5 to 20 mol%. The phase transformation studies of a drawn Mg-PSZ/$Al_2O_3$ fibers were investigated by use of X-ray diffraction, IR and Raman spectroscopy. Microstructure and tensile strength of fibers were subjected to scanning electron microscopy and tensile strength tester. When $Al_2O_3$ was added to the Mg-PSZ fibers, it was found out from the analysis of XRD patterns and Raman spectra that a small amount of crystalline spinel($MgAl_2O_4$) started to form due to the reaction between $Al_2O_3$ and MgO, at $1000^{\circ}C$, and the phase transformation temperature of $ZrO_2$ crystal phase at different sintering temperatures increased. Also, the rapid grain growth with average size of 2.0 ${\mu}m$ shown in Mg-PSZ fiber at $1500^{\circ}C$ was considerably suppressed to 0.39 ${\mu}m$ by adding $Al_2O_3$ at the same temperature. When the Mg-PSZ/$Al_2O_3$ fibers containing 5 mol% $Al_2O_3$ were sintered $800^{\circ}C$ for 1 hr, average tensile strength of fibers was 0.9 GPs at diameters of 20 to 30 ${\mu}m$, but as the sintering temperatures was increased to $1000^{\circ}C$ for 1 hr, average tensile strength of fibers increased to 1.2 GPa in the same diameter range.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.9
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pp.510-515
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2000
The mechanical and electrical properties of the hot-pressed and annealed $\beta-SiC-TiB_2$ electroconductive ceramic composites were investigated as a function of the liquid forming additives of Al_2O_3+Y_2O_34. The result of phase analysis of composites by XRD revealed $\alpha-SIC(6H)\;TiB_2,\; and YAG(Al5Y3O12) crystal phase. The relative density and the mechanical properties of composites were increased with increasing $Al_2O_3+Y_2O_34 contents because YAG of reaction between $Al_2O_3\; and\; Y_2O_3$ was increased. The Flexural strength showed the highest value of 432.5MPa for composites added with 12wt% $Al_2O_3+Y_2O_34 additives at room temperature. Owing to crack deflection crack bridging phase transition and TAG of fracture toughness mechanism the fracture toughness showed 7.1MPa.m1/2 for composites added with 12wt% $Al_2O_3+Y_2O_34 additives at room temperature. The electrical resistivity and the resistance temperature coefficient showed the lowest of $6.0\times10-4\Omega.cm\; and\; 3.1\times10-3/^{\circ}C4 respectively for composite added with 12wt% \Omega additives at room temperature. The electrical resistivity of the composites was all positive temperature coefficient resistance (PTCR) in the temperature range of $25^{\circ}C\; to\; 700^{\circ}C$.
This study assessed the feasibility of a Ti3AlC2 MAX phase as an Al-source for the formation of a mullite bond in the fabrication of porous SiC tubes with high strength. The as-received Ti3AlC2 was partially oxidized at 1200℃ for 30 min before using to minimize the abrupt volume expansion caused by oxidation during sintering. Thermal treatment at 1100-1400℃ for 3 h in air led to the formation of Al2O3 by the decomposition of Ti3AlC2, which reacted further with oxidation-derived SiO2 on the SiC surface to form a mullite phase. The fabricated porous SiC tubes with a relative density of 48 - 62 % exhibited mechanical strengths of 80 - 200 MPa, which were much higher than those with the Al2O3 filler material. The high mechanical strength of the Ti3AlC2-added porous SiC was explained by the rigid mullite neck formation along with the retained Ti3AlC2 with good mechanical properties.
Two types of CoMo/zeolite as well as $NiMo/{\gamma}-Al_2O_3$ were prepared and their activities and selectivities of low-temperature dibenzothiophene(DBT) hydrodesulfurization(HDS) were studied in high pressure fixed bed reactor. The HDS activities of CoMo/zeolites were higher than that of $NiMo/{\gamma}-Al_2O_3$ at temperatures below $225^{\circ}C$ while they were lower than that of $NiMo/{\gamma}-Al_2O_3$ at temperatures higher than $275^{\circ}C$. The main products from $NiMo/{\gamma}-Al_2O_3$ were biphenyl and cyclohexylbenzene. The product distribution of CoMo/zeolite catalysts was different from that of $NiMo/{\gamma}-Al_2O_3$. It is speculated that DBT is converted to alkylcyclohexane over zeolite based catalysts through both alkylation and hydrogenation reactions. The crystal structure of molybdenum was $MoO_3$ in fresh zeolite support while mixtures of $MoO_3$ and $MoS_2$ were observed in the aged catalyst.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.462-462
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2014
The effect of rear passivation for passivated emitter and rear cell (PERC) using ozone and H2O oxidant of atomic layer deposited (ALD) Al2O3 was studied by post-annealing in N2 and forming gas ambients. Rear surface of PERC solar cell was passivated by Al2O3 grown by ALD with ozone and H2O oxidant. Al2O3 grown by ALD with ozone oxidant has been known to have many advantages, such as lower interface defects, low leakage current density. Its passivation quality is better than Al2O3 with H2O. Al2O3 layer with 10 nm and 20 nm thickness was grown at $150^{\circ}C$ with ozone oxidant and at $250^{\circ}C$ with H2O oxidant. And then each samples were post-annealled at $450^{\circ}C$ in N2 ambients and at $850^{\circ}C$ in forming gas ambients. The passivation quality was investigated by measuring the minority carrier lifetime respectively. We examined atomic layer deposited Al2O3 such as growth rate, film density, thickness, negative fixed charge density at AlOx/Si interface, and reflectance. The influences of process temperature and heat treatment were investigated using Sinton (WCT-120) by Quasi-Steady State Photoconductance (QSSPC) mode. Ozone-based ALD Al2O3 film shows the best carrier lifetime at lower deposition temperature than H2O-based ALD.
Composite powder of$B_4C-A1_2O_3$was prepared from a mixed powder of$B_2O_3/A1/C$by SHS under argon pressure instead of using a chemical furnace. A mixture of$B_2O_3,$Al and C powder (equivalent amounts to the reaction,$2B_2O_3+4A1+C=B_4C+2A1_2O_3)$was ball milled for 2 h. The mixed powder was placed in a SHS reactor and filled with 10 atm of argon gas and ignited. The inner and outer products were the same by XRD analysis. It was consisted of a composite powder of$B_4C-A1_2O_3$without $AlB_{12}/C_2$which was always produced using a chemical furnace. The composite powder was about$60~100{mu}m$size which was composed of crystalline particles of about 0.3~l${mu}m$size. But when 15 atm of argon was employed, partial sintering took place to give rise hard composite powder of$15~25{mu}m$$B_4C$with $0.1~0.2{mu}m$$A1_2O_3.$
90.24 mol% ZrO$_2$-5.31 mol% $Y_2$O$_3$-4.45 mol% Nb$_2$O$_{5}$ 조성의 (Y,Nb)-TZP와 (Y,Nb)-TZP/Al$_2$O$_3$복합체를 155$0^{\circ}C$~1$600^{\circ}C$에서 1~2시간 소결하여 제조하였다. 시편의 결함에 대한 저항성을 조사하기 위하여 R-curve, Weibull modulus, slow crack growth 변수 등을 조사하였다. 실험결과, (Y,Nb)-TZP와 (Y,Nb)-TZP/Al$_2$O$_3$복합체 모두 상용 3Y-TZP 보다 우수한 결함 저항성이 관찰되었다. (Y,Nb)-TZP/Al$_2$O$_3$복합체의 결함 저항성은 $Al_2$O$_3$첨가에 의한 결정립 가교 인화, 분산강화, R-curve 효과에 의한 것으로 추정된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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