• 한국세라믹학회지
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• 제35권5호
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• pp.499-504
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• 1998

Pechini 방법으로 98.0 mol% ZnO, 1.0mol% $Bi_2O_3$, 0.5mol% CaO, 그리고 0.5mol% $MnO_2$ 조성의 ZnO 바리스터를 제조하여 소결거동과 전기적 특성을 관찰하였다. Pechini 방법으로 제조된 ZnO 바리스터 분말은 평균 입자크기가 $1.5\mu$m 정도이며 좁은 입도 분포를 보였다. $1100^{\circ}C$의 소결온도에서 전형적인 액상소결 과정에서 나타나는 입자성장 거동을 보였으며, 균일한 입자크기와 입계를 따라 Bi가 풍부한 액상이 고르게 분포된ZnO 바리스터를 제조할 수 있었다. 본 실험에서 비직선계수는 40~60 정도의 비교적 높은 값을 보였으며, 항복전압의 역수는 입자크기에 거의 비례하였다. 이것은 Pechini 방법으로 제조한 ZnO 바리스터가 균일한 입자크기와 균일한 액상의 분포를 갖는 바람직한 미세구조를 갖는 것을 보여 주는 것으로, Pechini 방법을 이용함으로서 ZnO 바리스터의 미세구조를 효과적으로 조절할 수 있으므로, 그 전기적 특성의 제어가 가능할 것으로 사료된다.

• 한국재료학회지
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• 제20권7호
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• pp.370-373
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• 2010

In fabricating plasma display panels, the photolithographic process is used to form patterns of barrier ribs with high accuracy and high aspect ratio. It is important in the photolithographic process to control the refractive index of the photosensitive paste. The composition of this paste for photolithography is based on the $B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$ glass system, including additives of alkali oxides and rare earth oxides. In this work, we investigated the density, structure and refractive index of glasses based on the $B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$ system with the addition of $Li_2O$, $K_2O$, $Na_2O$, CaO, SrO, and MgO. The refractive index of the glasses containing K2O, Na2O and CaO was similar to that of the [BO3] fraction while that of the SrO, MgO and Li2O containing glasses were not correlated with the coordination fraction. The coordination number of the boron atoms was measured by MAS NMR. The refractive index increased with a decrease of molar volume due to the increase in the number of non-bridging oxygen atoms and the polarizability. The lowest refractive index (1.485) in this study was that of the $B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3-K_2O$ glass system due to the larger ionic radius of $K^+$. Based on our results, it has been determined that the refractive index of the $B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$ system should be controlled by the addition of alkali oxides and alkali earth oxides for proper formation of the photosensitive paste.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권1호
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• pp.40-45
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• 2008

We developed small molecular organic nonvolatile $4F^2$ memory cells using metal layer evaporation followed by $O_2$ plasma oxidation. Our memory cells sandwich an upper ${\alpha}$-NPD layer, Al nanocrystals surrounded by $Al_2O_3$, and a bottom ${\alpha}$-NPD layer between top and bottom electrodes. Their nonvolatile memory characteristics are excellent: the $V_{th},\;V_p$ (program), $V_e$ (erase), memory margin ($I_{on}/I_{off}$), data retention time, and erase and program endurance were 2.6 V, 5.3 V, 8.5 V, ${\approx}1.5{\times}10^2,\;1{\times}10^5s$, and $1{\times}10^3$ cycles, respectively. They also demonstrated symmetrical current versus voltage characteristics and a reversible erase and program process, indicating potential for terabit-level nonvolatile memory.

• 대한환경공학회지
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• 제30권12호
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• pp.1281-1286
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• 2008

하수처리과정에서 온실가스인 N$_2$O가 발생하는데, N$_2$O의 지구온난화 기여율은 CO$_2$의 310배에 달한다. 본 연구에서는 하수처리공정에 따라 온실가스 배출계수가 어떤 차이를 보이는지를 분석하기위해 운전 중인 4개의 하수처리공정을 대상으로 조사하였다. 배출계수 산정을 위한 시료채취는 Flux Chamber를 이용하였으며, N$_2$O 정량은 6 port gas sampling valve가 장착된 Agilent사의 GC로 분석하였으며, 검출기는 ECD를 사용하였다. 하수처리공정별 오염물질 유입 부하에 대한 N$_2$O 배출계수 산정결과 5-stage공정은 0.94 g-N$_2$O/kg-TN으로 가장 낮았으며, 다음으로 활성슬러지공정이 2.65 g-N$_2$O/kg-TN, Denipho공정이 9.30 g-N$_2$O/kg-TN, 그리고 SBR공정이 26.73 g-N$_2$O/kg-TN으로 가장 높게 나타났다. 하수처리에서 N$_2$O 배출량 감소를 위해서는 조사대상 시설 중 5-stage 공정이 가장 적절한 것으로 평가하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제43권1호
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• pp.129-135
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• 2005

본 연구에서는 펄스 코로나 방전 공정에 의해 $SO_2$와 $SO_2/NO$의 제거효율을 분석하였으며, 여러 공정변수가 제거효율에 끼치는 영향을 체계적으로 조사하였다. 공정변수로서 인가전압, 펄스 주파수, 체류시간, 반응물의 초기 농도(NO, $SO_2$, $NH_3$, $H_2O$, and $O_2$)의 영향을 분석하였다. 인가되는 전압, 펄스 주파수 또는 체류시간이 증가함에 따라 또는 $O_2$와 $H_2O$가 첨가됨에 따라 $SO_2$의 제거효율과 $SO_2/NO$의 동시 제거효율은 증가하였다. 또한, $NH_3$의 초기 농도가 증가할수록 $SO_2/NO$의 제거효율은 증가하였다. 이 실험적인 결과들은 $NO_x$와 $SO_x$를 제거하기 위한 펄스 코로나 방전 공정 장치 설계의 기초 자료로 사용될 수 있다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제11권5호
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• pp.202-205
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• 2010

In this study, the etch properties of $Al_2O_3$ thin films deposited by atomic layer deposition were investigated as a function of the $O_2$ content in $BCl_3$/Ar inductively coupled plasma. The experiments were performed by comparing the etch rates and selectivity of $Al_2O_3$ over the hard mask materials as functions of the input plasma parameters, such as the gas mixing ratio, DC-bias voltage, ratio-frequency (RF) power and process pressure. The highest obtained etch rate was 477 nm/min at an RF power of 700 W, $O_2$ to $BCl_3$/Ar gas ratio of 15%, DC-bias voltage of -100 V and process pressure of 15 mTorr. The deposition occurred on the surfaces when the amount of $O_2$ added to the $BCl_3$/Ar gas was too high at a low DC-bias voltage or high process pressure. X-ray photoelectron spectroscopy was used to investigate the chemical reactions on the etched surface.

• 한국생산제조학회지
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• 제19권1호
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• pp.7-14
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• 2010

AE(acoustic emission) sensor has been used for a state monitoring and observation during a ultra-precision machining because AE signal, which has high frequency range, is sensitive enough. In case of ceramic fabrication, a monitoring of machining state is important because of its hard and brittle nature. A machining characteristic of ceramic is susceptibly different in accordance with variable machining conditions. In this study, Yttria($Y_2O_3$) ceramic was fabricated using the ultra-precision lapping process with in-process electrolytic dressing(IED) method. And the surface machining characteristic and AE sensor signal were compared and analyzed.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권3호
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• pp.7-11
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• 2000

공침법을 이용하여 제조한 $SrTiO_3$분말에 $CuO-SiO_2$첨가물을 혼합하여 저전압구동형 SrTiO$_3$세라믹 바리스터 소자를 제조하였다. $CuO-SiO_2$첨가물을 이용한 $SrTiO_3$세라믹 바리스터제조 공정은 복잡한 공정을 단순화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 일반적인 소결온도보다 100~$150^{\circ}C$ 낮은 온도에서도 소결이 되었다. 이 바리스터의 비직선계수($\alpha$) 값은 첨가물 5 wt% 혼합하여 $1350^{\circ}C$에서 하소한 시편에서 8.47의 최고값을 나타냈으며, 이때의 구동전압은 7 V 이하로 낮은 구동전압을 가진 바리스터를 제조할 수 있었다.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제6권3호
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• pp.21-26
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• 2004

Deposition condition of YBa$_2$Cu$_3$$O_{7-x}$ (YBCO) films on moving IBAD templates (CeO$_2$/IBAD-YSZ/SS) was studied in a hot-wall type metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process using single liquid source. The reel velocity was 40 cm/hr and the source mole ratios of Y(tmhd)$_3$:Ba(tmhd)$_2$:Cu(tmhd)$_2$ were 1:2.3:3.1 and 1:2.1:2,9, Two different types of IBAD templates with thin CeO$_2$ and thick CeO$_2$ layers were used, The YBCO films were successfully deposited at the deposition temperatures of 780~89$0^{\circ}C$ ; the a-axis growth was observed together with the c-axis growth up to 83$0^{\circ}C$. while the c-axis growth became dominant above 83$0^{\circ}C$. The top surface of the c-axis film was fairly dense and included a small amount of the a-axis growth, although the peaks of the a-axis grains were not observed in XRD pattern, The YBCO film deposited on IBAD template with thin CeO$_2$ layer showed low critical current of 2.5 A/cm-width. while the YBCO film deposited on IBAD template with thick CeO$_2$ layer showed higher critical current of 50 A/cm-width. This result indicates that thick CeO$_2$ layer is thermally more stable than thin CeO$_2$ layer at the high deposition temperature of the MOCVD process.s.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권2호
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• pp.141-147
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• 2005

나노재료 $TiO_2-SiO_2$는 2-prOH(2-propanol)를 용매로 사용하여 가수분해와 축합반응으로 제조하였고, FT-IR, DSC, XRD, FE-SEM을 사용하여 $TiO_2-SiO_2$의 특성을 조사하였다. FT-IR분석으로부터 Ti-0-Si의 흡수피크에 대해 설명하였으며, DSC분석 결과를 Ozawa 방정식에 적용하여, 결정화에 필요한 활성화 에너지를 계산하였다. 결정학적 특징은 XRD를 이용하여 하소 온도의 변화에 따른 시료의 회절패턴과 반가폭의 변화 등에 관련하여 설명하였다. FE-SEM을 통하여 Ti mol$\%$가 증가할수록 입자크기가 커지는 것을 확인 할 수 있었다.