• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.250-250
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• 2008

This paper describes the resonant characteristics of polycrystalline SiC micro resonators. The $1{\mu}m$ thick polycrystalline 3C-SiC cantilevers with different lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at room temperature. For the 100 ~ $40{\mu}m$ long cantilevers, the fundamental frequency appeared at 147.2 kHz - 856.3 kHz. The $100{\mu}m$ and $80{\mu}m$ long cantilevers have second mode resonant frequency at 857.5 kHz and 1.14 MHz. Therefore, polycrystalline 3C-SiC micro resonators are suitable for RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications.

• 접착 및 계면
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• 제15권4호
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• pp.169-173
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• 2014

크기가 다른 2가지 SiC 필러를 Nylon 66에 충전하여 용융혼련 시켜 복합재료를 제조하고 필러 크기가 열확산도에 미치는 영향을 고찰하였다. 필러를 충전하지 않은 경우에 비하여 60 vol%의 SiC 필러를 함유한 경우에 복합재료의 열확산도가 10배 이상 증가함을 확인하였고, SiC 필러의 평균크기가 $24{\mu}m$인 고분자복합재료의 열확산도가 $2.2{\times}10^{-2}cm^2/sec$였으나 필러크기가 76{\mu}m$인 경우에는 $1.75{\times}10^{-2}cm^2/sec$로 20% 감소하였다. 필러의 크기가 $24{\mu}m$인 경우에 열전도성 필러와 Nylon 66 매트릭스의 계면 접촉과 필러와 필러 사이의 접촉을 용이하게 하여 포논이 효과적으로 전달되는 것으로 보인다. Nylon 66보다 상대적으로 강직한 구조와 높은 가공온도를 가지는 Nylon 46를 매트릭스로 사용한 Nylon 46/SiC 400 (60 vol%) 복합재료의 열확산도는 $1.61{\times}10^{-2}cm^2/sec$였다.

• 센서학회지
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• 제17권6호
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• pp.425-428
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• 2008

This paper describes the resonant characteristics of polycrystalline SiC micro resonators. The $1{\mu}m$ thick polycrystalline 3C-SiC cantilevers with different lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at room temperature. For the $100{\sim}40{\mu}m$ long cantilevers, the fundamental frequency appeared at $147.2kHz{\sim}856.3kHz$. The $100{\mu}m$ and $80{\mu}m$ long cantilevers have second mode resonant frequency at 857.5.kHz and 1.14.MHz, respectively. Therefore, polycrystalline 3C-SiC resonators are suitable for RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.130-130
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• 2009

This paper describes the temperature characteristics of polycrystalline 3C-SiC micro resonators. The 1.2 ${\mu}m$ and 0.4 ${\mu}m$ thick polycrystalline 3C-SiC cantilever and doubly clamped beam resonators with 60 ~ 100 ${\mu}m$ lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at temperature range of $25{\sim}200^{\circ}C$. The TCF(Temperature Coefficient of Frequency) of 60, 80 and 100 ${\mu}m$ long cantilever resonators were -9.79, -7.72 and -8.0 $ppm/^{\circ}C$. On the other hand, TCF of 60, 80 and 100 ${\mu}m$ long doubly clamped beam resonators were -15.74, -12.55 and -8.35 $ppm/^{\circ}C$. Therefore, polycrystalline 3C-SiC resonators are suitable with RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications in harsh environments.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.31-31
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• 2009

PECVD를 이용하여 제조된 미세결정질 p-i-n 실리콘 박막 태양전지에서, p 층은 태양전지의 윈도우 역할 및 그 위에 증착될 i ${\mu}c-Si:H$ 층의 'seed'층 역할을 수행하기 때문에, p층의 구조적 및 전기적, 광학적 특성은 태양전지의 전체 성능에 큰 영향을 미칠 수 있다. 본 연구에서는 $SiH_4$ 농도를 변화시켜 각기 다른 결정 특성을 갖는 p ${\mu}c-Si:H$층을 제조하고 그 위에 i ${\mu}c-Si:H$ 층을 증착하여 p층의 결정 특성변화와 그에 따른 i ${\mu}c-Si:H$ 층 및 'superstrate' p-i-n 미세결정질 실리콘 박막 태양전지의 특성 변화를 조사하였다. P층의 경우, $SiH_4$ 농도가 증가함에 따라 결정분율 (Xc)이 감소하여 비정질화되었으며 그에 따라 dark conductivity가 감소하는 경향을 나타내었다. 각기 다른 결정분율을 가지는 p 'seed' 층 위에 증착된 태양전지는, p 'seed' 층의 결정분율이 증가함에 따라 개방전압, 곡선인자, 변환효율이 경향적으로 감소하였다. 이는 p 층 결정분율 변화에 따른 p/i 계면특성 저하 및 그 위에 증착되는 i ${\mu}c-Si:H$ 층의 결함밀도 증가 등에 따른 태양전지 특성 감소 때문인 것으로 판단되며, 이를 분석하기 위하여 i ${\mu}c-Si:H$ 층의 전기적, 구조적 특성 분석 및 태양전지의 dark I-V 특성 등을 분석하고자 한다.

• 한국분말재료학회지
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• 제7권1호
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• pp.27-34
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• 2000

The fabrication process and mechanical properties of SiC particle prefrrms with high volume fraction ranged 50∼71% were investigated to make metal matrix composites for possible applications as heat sinks in electronic packares. The SiC particle preforms with 50∼71vol% of reinforcement were fabricated by a new modified process named ball milling and pressing method. The SiC particle performs were fabricated by ball milling of SiC particles with single sized of 48${\mu}$m in diameter or two different size of 8${\mu}$m and 48${\mu}$min diameter, with collodal SiO2 as inorgnic binder in distilled water, and the mixed slurries were cold pressed for consolidation into final prefom. The compressive strengths og calcined SiC particle prefoms increased from 20MPa to 155MPa with increasing the content of inorganis binder, temperature and time for calcination. The increase of compressive strength of SiC particle bridge the interfaces of two neighboring SiC particles.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제3권3호
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• pp.199-207
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• 1997

$Al_2O_3$/SiC particulate composites were fabircated by pressureless sintering. The dispersed phase was SiC of which the content was varied from 1.0 to 10 vol%. Three SiC powders having different median diameters from 0.28 $\mu\textrm{m}$ to 1.9 $\mu\textrm{m}$ were used. The microstructure became finer and more uniform as the SiC content increased except the 10 vol% specimens, which were sintered at a higher temperature. Under the same sintering condition, densification as well as grain growth was retarded more severly when the SiC content was higher or the SiC particle size was smaller. The highest flexural strength obtained at 5.0 vol% SiC regardless of the SiC particle size seemed to be owing to the finer and more uniform microstructures of the specimens. Annealing of the specimens at $1300^{\circ}C$ improved the strength in general and this annealing effect was good for the specimens containing as low as 1.0 vol% of SiC. Fracture toughness did not change appreciably with the SiC content but, for the composites containing 10 vol% SiC, a significantly higher toughness was obtained with the specimen containing 1.9$\mu\textrm{m}$ SiC particles.

• 한국재료학회지
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• 제10권12호
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• pp.793-798
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• 2000

석출경화형 6061Al기지합금과 SiC입자크기를 0.7$\mu\textrm{m}$ 및 7.0$\mu\textrm{m}$로 변화시켜 강화한 SiCp/6061Al 합금복합재료의 시효 거동을 경도측정, DSC 시험 및 TEM관찰을 통하여 조사하였다. 17$0^{\circ}C$에서 등온시효시 6061Al기지합금에 비하여 복합화한 0.7$\mu\textrm{m}$SiCp/6061Al합금복합재료 및 7.0$\mu\textrm{m}$SiCP/6061Al합금복합재료에서 최고경도에 도달하는 시간이 짧았으며, 또한 강화재의 크기가 큰 7.0$\mu\textrm{m}$SiCp/6061Al합금복합재료에서 시효촉진이 보다 크게 나타났다. 이것은 복합화 및 SiC입자크기 증가에 따른 전위 밀도 상승에 기인한다. 6061Al기지합금 및 복합재료에서 최고시효처리시의 주강화상은 봉상의 중간상 $\beta$(Mg$_2$Si)이며,$\beta$상 생성의 활성화에너지는 복합화 및 SiG입자크기의 증가에 따라 감소되었다

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2011년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.128.2-128.2
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• 2011

스테인레스 스틸 유연기판 위에 플라즈마 화학기상 증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 nip 구조의 미세결정질 실리콘 박막 태양전지 (microcrystalline silicon thin film solar cell)를 제조하고 i ${\mu}c$-Si:H광 흡수층과 p ${\mu}c$-Si:H 사이에 i a-Si:H 버퍼 층을 삽입하여 i/p 계면특성을 개선하고 이에 따른 태양전지 성능특성 변화를 조사하였다. ${\mu}c$-Si:H 박막으로 이루어진 i/p 계면에서의 구조적, 전기적 결함은 태양전지 내에서 생성된 캐리어의 재결합과 shunt resistance 감소를 초래하여 개방전압 (open circuit voltage) 및 곡선 인자 (fill factor)를 감소시키는 것으로 알려졌다. 제조된 미세결정질 실리콘 박막 태양전지는 SUS/Ag/ZnO:Al/n ${\mu}c$-Si:H/i ${\mu}c$-Si:H/p ${\mu}c$-Si:H 구조로 제작되었으며 i/p 계면 사이의 i a-Si;H 버퍼층 두께를 변화시키고 이에 따른 태양전지의 특성을 조사하였다. 태양전지의 구조적, 전기적 특성 변화는 Scanning Electron Microscope (SEM), UV-visible-nIR spectrometry, Photo IV와 Dark IV를 통하여 조사하였다.

• 자연과학논문집
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• 제8권2호
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• pp.137-146
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• 1996

Sol-Gel법에 의해 흑연소지의 표면에 SiC막을 형성해 줌으로써 내산화성을 향상시키고자 하였다. 규소(Si) 및 탄소(C)의 근원물질로는 TEOS(Tetraethyl orthosilicate)와 phenol수지를 각각 사용하였으며, TEOS sol의 농도가 SiC막의 형성에 미치는 영향을 알아 보기 위해, $H_2O$/TEOS의 몰비를 2, 4, 6, 8 및 10으로 변화시켜 흑연소지에 SiC가 피복된 상태를 X-ray diffractometer와 SEM(scanning electron microscope)을 이용하여 분석한 결과, 약 5 ${\mu}m$, 12 ${\mu}m$, 7 ${\mu}m$, 7 ${\mu}m$ 및 2 ${\mu}m$의 SiC코팅층이 각각 형성되었음을 알 수 있다. 또, 내산화성을 알아보기 위해 $1600^{\circ}C$에서 코팅된 흑연소지를 다시 공기중에서 $1000^{\circ}C$의 온도하에서 1 시간 동안 열처리 해 준 후의 무게소실율을 조사한 결과, 각각 26.17%, 20.97%, 17.28%, 21.73% 및 28.13%로 나타났다.