• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.9-10
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• 2005

We report on the fabrication and characterization of self- and artificially-controlled ZnO nanostructures have been investigated to establish nanostructure blocks for ZnO-based nanoscale device application. Systematic realization of self- and artificially-controlled ZnO nanostructures on $SiO_2/Si$ substrates was proposed and successfully demonstrated utilizing metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) in addition with a focused ion beam (FIB) technique. Widely well-aligned two-dimensional ZnO nanodot arrays ($4{\sim}10^4$ nanodots of 130-nm diameter and 9-nm height over $150{\sim}150{\mu}m^2$ with a period of 750 nm) have been realized by MOCVD on $SiO_2/Si$ substrates patterned by FIB. A low-magnification FIB nanopatterning mode allowed the periodical nanopatterning of the substrates over a large area in a short processing time. Ga atoms incorporated into the surface areas of FIB-patterned nanoholes during FIB engraving were found to play an important role in the artificial control of ZnO, resulting in the production of ZnO nanodot arrays on the FIB-nanopatterned areas. The nanodots evolved into dot clusters and rods with increasing MOCVD growth time.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.13-15
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• 2005

The growth of $Bi_2Te_3$ thin films on (001) GaAs substrates by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) is discussed in this paper. The results of surface morphology, electrical and thermoelectrical properties as a function of growth parameters are given. The surface morphologies of $Bi_2Te_3$ films were strong1y dependent on the deposition temperatures. Surface morphologies varied from step-flow growth mode to island coalescence structures depending on deposition temperature. In-plane carrier concentration and electrical Hall mobility were highly dependent on precursor's ratio of Te/Bi and deposition temperature. The high Seebeck coefficient (of $-160{\mu}VK^{-1}$) and good surface morphology of our result is promising for $Bi_2Te_3$ based thermoelectric thin film and two dimensional supperlattice device applications.

• Journal of Plant Biotechnology
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• v.33 no.4
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• pp.263-270
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• 2006

Pongamia pinnata Pierre is a tree legume, having potential in production of raw material for biodiesel. A protocol for in wk propagation of this plant was standardized using seedling explants. Growth regulators (GR) including gibberellic acid $(GA_3),\;N^6-benzylaminopurine(BA)$, thidiazuron (TDZ), and Adenine sulphate (Ads) were tested for optimum germination of seeds. Removal of seed coat prior to germination, controlled fungal growth partially but enhanced bacterial growth. Antibiotic cefotaxime was ineffective in controlling bacterial contamination. Seedling derived nodal explants and cotyledon nodes with attached cotyledons were excised and cultured for induction of shoots. Optimum sprouting and multiplication of shoot buds were obtained in MS medium supplemented with $8.88{\mu}M$ BA. These buds differentiated and rooted on medium devoid of GR. Optimum growth of Pongamia seedling was obtained in cotton plugged culture vessels. Reculturing of the cotyledon node explants produced more shoots from the same site. This process of removing shoots and reculturing of cotyledon node was followed for eight passages yielding 4 to 8 shoots in each cycle. The shoots (75%) rooted on half strength MS basal medium supplemented with 0.22% charcoal. All plants survived on transfer to soil. This is the first report on in vitro regeneration of Pongamia pinnata. This report demonstrates the possibility of coupling more than one parameter in single experiment to hasten the process of standardization. The process of cycling the nodal explant repeatedly for production of large number of shoots from single meristem may find application in genetic transformation experiments wherein meristems are used for transformation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.42-42
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• 2011

본 연구에서는 광학소자에 폭넓게 이용되는 AlGaP III-V족 화합물 반도체 중에서 한쪽 끝 이 종화합물인 AlP의 유전함수를 0.75~5.05 eV의 에너지 영역에서 타원편광분석법을 이용하여 분석하였다. AlP는 산소와 급격히 반응하기 때문에, 대기 중에서 물질 고유의 광특성이 유지되기 어려울 뿐만 아니라, 박막 위에 생성되는 산화막 때문에 순수한 AlP의 유전함수 측정이 불가능 하다. 본 연구에서는 물질의 유전함수에 미치는 산화 효과를 최소화하기 위하여 Molecular Beam Epitaxy로 성장한 $1.0{\mu}m$ 두께의 AlP 박막을 초고진공 상태의 chamber 안에서 타원편광분석기를 이용하여 실시간으로 측정하였다. 박막의 투명도에 의해 나타나는 간섭 pattern과 표면거칠기 효과로 인한 유전함수의 왜곡을 보정하기 위하여 변수화 모델이 이용되었으며 다층 변수화모델 계산을 통하여 순수한 AlP의 유전함수를 얻어낼 수 있었다. 본 연구에서 측정된 순수한 AlP의 유전함수는 타원편광분석기를 이용한 최초의 실험결과로서 이차미분을 이용한 전이점 (Critical Point) 분석결과 이론적인 electronic band structure에서 $E_1$, $E_1+_{{\Delta}_1}$, $E_2$에 해당하는 전이점들을 확인할 수 있었다.

• Journal of Magnetics
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• v.10 no.2
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• pp.41-43
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• 2005

We have investigated an optical waveguide isolator with a multimode interference section by wafer direct bonding, operating at a wavelength $1.55\;{\mu}m$. In order to fabricate the device for monolithic integration, the wafer direct bonding between a magnetic garnet material as a cladding layer and a semiconductor guiding layer has been achieved. We found that wafer direct bonding between InP and GGG $(Gd_3Ga_5O_{12})$ is effective for the integration of a waveguide optical isolator. The isolation ratio was obtained to be 2.9 dB in the device.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.582-582
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• 2013

Oxide TFT (thin film transistor) active channel layer에 대한 저온 열처리 공정은 투명하고 flexibility을 기반으로하는 display 산업과 AMOLED (active matrix organic light emitting diode) 분야 등 다양한 분야에서 필요로 하는 기술로서 많은 연구가 이루어지고 있다. 과거 active layer는 ALD (atomic layer deposition), CVD (chemical vapor deposition), pulse laser deposition, radio frequency-dc (RF-dc) magnetron sputtering 등과 같은 고가의 진공 장비를 이용하여 증착 되어져 왔으나 현재에는 진공 장비 없이 spin-coating 후 열처리 하는 저가의 공정이 주로 연구되어 지고 있다. Flexible 기판들은 일반적인 OTFT (oxide thin films Transistor)에 적용되는 열처리 온도로 공정 진행시 열에 의한 기판의 손상이 발생한다. Flexible substrate의 열에 의한 기판 손상을 막기 위해 저온 열처리 공정이 연구되고 있지만 기존 열처리와 비교하여 소자의 특성 저하가 동반 되었다. 본 연구에서는 Si 기판위에 SiO2 (100)를 절연층으로 증착하고 그 위에 IZO (indium zinc oxide) solution을 spin-coating 한뒤 $250^{\circ}C$ 이하의 온도에서 열처리하였다. 저온 공정으로 인하여 소자의 특성 저하가 동반 되었으므로 소자의 저하된 특성 복원하고자 post-treatment로 고가의 진공장비가 필요 없고 roll-to roll system 적용이 수월한 remote-type의 APP (atmospheric pressure plasma) 처리를 하였다. Post-treatment로 APP를 이용하여 $250^{\circ}C$ 이하에서 소자에 적용 가능한 on/off ratio를 얻을 수 있었다.

• Journal of Ginseng Research
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• v.23 no.3 s.55
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• pp.148-163
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• 1999

The efficacy of three auxins, viz. 2,4-0, NAA and dicamba, were compared for the induction of somatic embryogenesis in American ginseng (Panax quinquefolium L.). Somatic embryos (SEs) formed on ginseng cotyledonary, zygotic embryo and shoot explants after 8 weeks of induction by the auxin stimuli. Significantly more somatic embryos were induced by culture of any of the ginseng explants on media supplemented with $5{\mu}M$ 2,4-0 than any other auxin treatment. Shoots derived from somatic embryos had the greatest regenerative potential and zygotic embryos the least. Explants generated from green (unstratified) seeds gave similar or higher frequency of embryogenesis as the explants derived from stratified seeds. Histological and SEM studies confirmed that the regenerimts were somatic embryos. Somatic embryos germinated and developed into normal plants in $3\~6$ months. About $10\%$ of plantlets from second generation SEs formed flowers within 10 weeks, particularly on media supplemented with $GA_3$ The development of a regeneration system for ginseng through somatic embryogenesis is a necessary first step for mass propagation and genetic improvement of American ginseng.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.178-178
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• 2008

초소형 박막의 열전 발전모듈은 작은 부피와 한번 설치시 교체없이 지속적인 전원공급으로 소형의 센서 노드에 전원으로 각광 받고 있다. 이에 본 논문에서는 In Plane방식의 PIN Junction의 박막형 열전소자를 제작하여 보았다. 열전 박막인 P-type의 $BiSbTe_3$와 N-type의 $Bi_2Te_3$은 (001)GaAs 기판에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapour Deposition)방식으로 성장하였으며 전극으로는 E-Beam Evaporator를 이용하여 금(Au), 알루미늄(Al)을 사용하였다. 열전박막의 두께는 MOCVD의 성장시간과 온도 MO-x 가스의 압력으로 조절하여 주었다. 제작결과 1Pairs 당 약 $63{\mu}V$/K을 나타내었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.10a
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• pp.145-146
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• 2006

본 논문은 부분방전(PD: Partial Discharge)의 패턴인식 확률 극대화를 목적으로 신경망(NN: Neural Network) 파라미터 중에서 은닉층 뉴런의 수, 모멘텀(momentum)의 Step size와 Decay rate 를 최적화하기 위하여 유전 알고리즘(GA: Genetic Algonthm)을 적응하였다. 실험적 연구의 대상으로서, GIS(Gas Insulated Switchgear)사고의 주요 원인으로 보고되어있는 결함들을 인위적으로 모의한 16개 Test cell을 이용하여 부분방전을 발생시켰다. 부분방전 신호는 본 연구팀이 개발한 센서를 이용하여 검출되어 데이터베이스가 구축되어 그로부터 추출된 학습 데이터들의 학습에 다음과 같은 5가지 신경망 모델이 적응되었다: Multilayer Perception (MLP), Jordan-Elman Network (JEN), Recurrent Network (RN), Self-Organizing Feature Map (SOFM), Time-Lag Recurrent Network (TLRN). 유전 알고리즘 적용 효율성을 분석하기 위하여 동일한 데이터를 이용하여 다음과 같은 두 가지 방법을 적용한 결과를 상호 비교하였다. 우선 상기 선택된 모델만 적용하였고 다근 하나는 상기 모델과 Genetic Algorithm이 동시에 적용되었다. 모든 모델에 대하여 학습오차와 패턴 분류 확률을 비교한 결과, 유전 알고리즘 적응 시 부분방전 패턴인식 확률이 향상되었음이 확인되어 향후 신뢰성 있는 GIS 부분방전 진단기술에 활용될 수 있을 것으로 사료된다.

• Korean Journal of Ichthyology
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• v.21 no.1
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• pp.61-64
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• 2009

Four specimens (114.2~134.2 mm SL) of Icelus stenosomus Andriashev, family Cottidae, were collected from Goseong-gun, Gangwon-do, East Sea of Korea. They were identified based on the following characters : a pair of strong spines on occipital region, distinct row of scales on both dorsal and ventral sides of body, vermiculate white lines on dorsal side of body, and small prickled scales scattered sparsely on the head. We propose a new Korean name for the species as a new Korean name : 'Mu-nui-jul-ga-si-hoet-dae'.