References
- X. Luan, J. Liu, Q. Pei, G. C. Bazan and H. Li, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9, 16750 (2017).
- Z. A. Page, B. Narupai, C. W. Pester, R. Bou Zerdan, A. Sokolov, D. S. Laitar, S. Mukhopadhyay, S. Sprague, A. J. McGrath, J. W. Kramer, P. Trefonas and C. J. Hawker, ACS Cent. Sci., 3, 654 (2017).
- H.-J. Kim, M.-H. Shin, J.-S. Kim, S.-E. Kim and Y.-J. Kim, Sci. Rep., 7, 43063 (2017).
- J. Smith, A. Shah, Y. K. Lee, B. O'Brien, D. Kullman, A. Sridharan, J. Muthuswamy and J. B. Christen, Electron. Lett., 52, 900 (2016).
- T. Kamiya, K. Nomura and H. Hosono, Sci. Technol. Adv. Mater., 11, 044305 (2010).
- K. Myny, Nat. Electron., 1, 30 (2018).
- K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys., 45, 4303 (2006).
- C. Liu, Y. Xu, Y. Li, W. Scheideler and T. Minari, J. Phys. Chem. C, 117, 12337 (2013).
- C. Wang, Z. Hu, X. He, C. Liao and S. Zhang, IEEE Trans. Electron Devices, 63, 3800 (2016).
- W. Shin, H. Ahn, J. Na, S. Hong, O. Kwon, J. Lee, J. Um, J. Jang, S. Kim and J. Lee, IEEE Electron Device Lett., 38, 760 (2017).
- J. Park, W. Maeng, H. Kim and J. Park, Thin Solid Films, 520, 1679 (2012).
- K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004).
- J.-K. Jeong, J.-H. Jeong, H.-W. Yang, J.-S. Park, Y.-G. Mo and H.-D. Kim, Appl. Phys. Lett., 91, 113505 (2007).
- Y. H. Kim, J. S. Heo, T. H. Kim, S. Park, M. H. Yoon, J. Kim, M. S. Oh, G. R. Yi, Y. Y. Noh and S. K. Park, Nature, 489, 128 (2012).
- J.-K. Um, S.-H. Lee, S.-H. Jin, M. Mativenga, S.-Y. Oh, C.-H. Lee and J. Jang, IEEE Electron Device Lett., 62, 2212 (2015).
- N. Tiwari, R. Chauhan, H. Shieh, P. Liu and Y. Huang, IEEE Trans. Electron Devices, 63, 1578 (2016).
- M. Mativenga, D. Geng, B. Kim and J. Jang, ACS Appl. Mater. Interfaces, 7, 1578 (2015).
- Y. Chen, D. Geng, M. Mativenga, H. Nam and J. Jang, IEEE Electron Device Lett., 36, 153 (2015).
- X. Xu, Q. Cui, Y. Jin and X. Guo, Appl. Phys. Lett., 101, 222114 (2012).
- J. Lee, I. Cho, J. Lee and H. Kwon, Appl. Phys. Lett., 93, 093504 (2008).
- Y.-C. Han, M.-S. Lim, J.-H. Park and K.-C. Choi, Org. Electron., 14, 3437 (2013).
- K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 93, 192107 (2008).
- N. Morosawa, Y. Ohshima, M. Morooka, T. Arai and T. Sasaoka, J. Soc. Inf. Disp., 20, 47 (2012).
- A. Wang, T. Chen, S. Lu, Z. Wu, Y. Li, H. Chen and Y. Wang, Nanoscale Res. Lett., 10, 75 (2015).
- S. J. Kim, S. Y. Lee, Y. W. Lee, W. G. Lee, K. S. Yoon, J. Y. Kwon and M. K. Han, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 024104 (2011).
- M. Mativenga, S. Hong and J. Jang, Appl. Phys. Lett., 102, 023503 (2013).
- S. Lee, D. Jeong, M. Mativenga and J. Jang, Adv. Funct. Mater., 27, 1700437 (2017).
- D. E. Walker, M. Major, M. B. Yazdi, A. Klyszcz, M. Haeming, K. Bonrad, C. Melzer, W. Donner and H. von Seggern, ACS Appl. Mater. Interfaces, 4, 6835 (2012).
- J. C. Jeong, I. H. Song, S. I. Kim, S. W. Kim, C. J. Kim, J. C. Lee, H. G. Lee, E. H. Lee, H. Yim, K. L. Kim, K. W. Kwon and Y. S. Park, Appl. Phys. Lett., 93, 053501 (2008).
- S. Lee, J. Shin and J. Jang, Adv. Funct. Mater., 27, 1604921 (2017).