K. Matsuzaki, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 93, 202107 (2008).https://doi.org/10.1063/1.3026539
E. Fortunato, V. Figueiredo, P. Barquinha, E. Elamurugu. R. Barros, G. Goncalves, S. -H. K. Park, C. -S. Hwang, and R. Martins, Appl. Phys. Lett. 96, 192102/239902 (2010).
Z. Q. Yao, S. L. Liu, L. Zhang, B. He, A. Kumar, X. Jiang, W. J. Zhang, and G. Shao, Appl. Phys. Lett. 101, 042114 (2012).https://doi.org/10.1063/1.4739524
S. Y. Kim, C. H. Ahn, J. H. Lee, Y. H. Kwon, S. Hwang, J. Y. Lee, and H. K. Cho, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 2417 (2013).https://doi.org/10.1021/am302251s
Y. Ogo, H. Hiramatsu, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 93, 032113 (2008).https://doi.org/10.1063/1.2964197
Y. Ogo, H. Hiramatsu, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Kimura, M. Hirano, and H. Hosono, Phys. Status Solidi A 206, 2187 (2009).https://doi.org/10.1002/pssa.200881792
L. Y. Liang, Z. M. Liu, H. T. Cao, Z. Yu, Y. Y. Shi, A. H. Chen, H. Z. Zhang, Y. Q. Fang, and X. L. Sun, J. Electrochem. Soc. 157, H598 (2010).https://doi.org/10.1149/1.3385390
E. Fortunato, R. Barros, P. Barquinha, V. Figueiredo, S. -H. K. Park, C. -S. Hwang, and R. Martins, Appl. Phys. Lett. 97, 052105 (2010).https://doi.org/10.1063/1.3469939
R. Martins, A. Nathan, R. Barros, L. Pereira, P. Barquinha, N. Correia, R. Costa, A. Ahnood, I. Ferreira, and E. Fortunato, Adv. Mater. 23, 4491 (2011).https://doi.org/10.1002/adma.201102232
J. A. C. -Frescas, P. K. Nayak, H. A. A. -Jawhari, D. B. Granato, U. Schwingenschlogl, and H. N. Alshareef, ACS NANO, 7, 5160 (2013).https://doi.org/10.1021/nn400852r
Y. Li, J. Yang, Y. Wang, P. Ma, Y. Yuan, J. Zhang, Z. Lin, L. Zhou, Q. Xin, and A. Song, IEEE Electron Device Lett. 39, 208 (2018).https://doi.org/10.1109/LED.2017.2786237