Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

산화물 기반 저항변화메모리의 연구 동향

  • 류성연 (서울과학기술대학교 신소재공학과) ;
  • 권유림 (서울과학기술대학교 신소재공학과) ;
  • 최병준 (서울과학기술대학교 신소재공학과)
  • Published : 2017.03.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

Keywords

References

  1. C. S. Hwang, Adv. Electron. Mater. 1400056 (2015).
  2. J. J. Yang, D. B. Strukov, and D. R. Stewart, Nat. Nanotechnol. 8, 13 (2013). https://doi.org/10.1038/nnano.2012.240
  3. D. S. Jeong, B. J. Choi, and C. S. Hwang, in Resist. Switch. From Fundam. Nanoionic Redox Process. to Memristive Device Appl . (Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2016), pp. 289-316.
  4. D.-H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X.-S. Li, G.-S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, and C. S. Hwang, Nat. Nanotechnol. 5, 148 (2010). https://doi.org/10.1038/nnano.2009.456
  5. W. Yi, S. E. Savel'ev, G. Medeiros-Ribeiro, F. Miao, M.-X. Zhang, J. J. Yang, A. M. Bratkovsky, and R. S. Williams, Nat. Comm. 7, 11142 (2016). https://doi.org/10.1038/ncomms11142
  6. K. M. Kim, J. Zhang, C. Graves, J. J. Yang, B. J. Choi, C. S. Hwang, Z. Li, and R. S. Williams, Nano Lett. 16, 6724 (2016). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b01781
  7. A. Fantini, G. Gorine, R. Degraeve, L. Goux, C. Y. Chen, A. Redolfi, S. Clima, A. Cabrini, G. Torelli, and M. Jurczak, in Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. (2015), p. 169.
  8. K. M. Kim, J. J. Yang, J. P. Strachan, E. M. Grafals, N. Ge, N. D. Melendez, Z. Li, and R. S. Williams, Sci. Rep. 6, 20085 (2016). https://doi.org/10.1038/srep20085
  9. K. M. Kim, S. R. Lee, S. Kim, M. Chang, and C. S. Hwang, Adv. Func. Mater. 25, 1527 (2015). https://doi.org/10.1002/adfm.201403621
  10. K. M. Kim, J. J. Yang, E. Merced, C. Graves, S. Lam, N. Davila, M. Hu, N. Ge, Z. Li, and R. S. Williams, Adv. Electron. Mater. 1500095 (2015).
  11. B. J. Choi, A. C. Torrezan, K. J. Norris, F. Miao, J. P. Strachan, M.-X. Zhang, D. A. A. Ohlberg, N. P. Kobayashi, J. J. Yang, and R. S. Williams, Nano Lett. 13, 3213 (2013). https://doi.org/10.1021/nl401283q
  12. B. Govoreanu, L. Di Piazza, J. Ma, T. Conard, A. Vanleenhove, A. Belmonte, D. Radisic, M. Popovici, A. Velea, A. Redolfi, O. Richard, S. Clima, C. Adelmann, H. Bender, and M. Jurczak, in Tech. Dig. - VLSI (2016), p. 8.3.
  13. S. Ambrogio, S. Balatti, A. Cubeta, A. Calderoni, N. Ramaswamy, and D. Ielmini, in Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet . (2013), pp. 782-785.
  14. F. M. Puglisi, P. Pavan, A. Padovani, and L. Larcher, Solid State Electron. 102, 69 (2014). https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.06.001
  15. M. Terai, Y. Sakotsubo, Y. Saito, S. Kotsuji, and H. Hada, in Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet . (2009), pp. 775-778.
  16. G. W. Burr, R. S. Shenoy, K. Virwani, P. Narayanan, and A. Padilla, J. Vac. Sci. Technol. B 32, 40802 (2014).
  17. J. Huang, Y. Tseng, W. Luo, C. Hsu, and T. Hou, in Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. (2011), pp. 733-736.
  18. W. Lee, J. Park, J. Shin, J. Woo, S. Kim, G. Choi, S. Jung, S. Park, D. Lee, E. Cha, H. D. Lee, S. G. Kim, S. Chung, and H. Hwang, in Tech. Dig. - VLSI (2012), p. 37.
  19. S. G. Kim, T. J. Ha, S. Kim, J. Y. Lee, K. W. Kim, J. H. Shin, Y. T. Park, S. P. Song, B. Y. Kim, W. G. Kim, J. Chul, H. S. Lee, S. H. Cho, J. C. Ku, J. Il Kim, K. S. Kim, J. H. Yoo, H. J. Kim, H. G. Jung, K. J. Lee, S. Chung, J. H. Kang, J. H. Lee, H. So, S. J. Hong, and G. Gibson, in Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. (2015), pp. 249-252.
  20. M.-J. Lee, D. Lee, H. Kim, H.-S. Choi, J.-B. Park, H. G. Kim, Y.-K. Cha, U.-I. Chung, I.-K. Yoo, and K. Kim, in Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. (2012), pp. 33-35.
  21. G. W. Burr, K. Virwani, R. S. Shenoy, G. Fraczak, C. T. Rettner, A. Padilla, R. S. King, K. Nguyen, A. N. Bowers, M. Jurich, M. Brightsky, E. A. Joseph, A. J. Kellock, N. Arellano, B. N. Kurdi, and K. Gopalakrishnan, in Tech. Dig. - VLSI (2013), pp. 66-67.
  22. Z. Wang, S. Joshi, S. E. Savel, H. Jiang, R. Midya, P. Lin, M. Hu, N. Ge, J. P. Strachan, Z. Li, Q. Wu, M. Barnell, G. Li, H. L. Xin, R. S. Williams, Q. Xia, and J. J. Yang, Nat. Mater. 16, 101 (2017). https://doi.org/10.1038/nmat4756
  23. J. Y. Seok, S. J. Song, J. H. Yoon, K. J. Yoon, T. H. Park, D. E. Kwon, H. Lim, G. H. Kim, D. S. Jeong, and C. S. Hwang, Adv. Func. Mater. 24, 5316 (2014). https://doi.org/10.1002/adfm.201303520
  24. S. Lee, J. Sohn, Z. Jiang, H. Chen, H. P. Wong, and S. Lee, Nat. Comm. 1 (2015).
  25. J. H. Yoon, S. Yoo, S. J. Song, K. J. Yoon, D. E. Kwon, Y. J. Kwon, T. H. Park, H. J. Kim, X. L. Shao, Y. Kim, and C. S. Hwang, ACS Appl. Mater. Inter. 8, 18215 (2016). https://doi.org/10.1021/acsami.6b05657
  26. B. J. Choi, A. C. Torrezan, J. P. Strachan, P. G. Kotula, A. J. Lohn, M. J. Marinella, Z. Li, R. S. Williams, and J. J. Yang, Adv. Func. Mater. 26, 5290 (2016). https://doi.org/10.1002/adfm.201600680