한국전자파학회논문지 (The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science)

  • 제27권10호
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  • Pages.877-882
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  • 2016
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  • 1226-3133(pISSN)
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  • 2288-226X(eISSN)
한국전자파학회 (The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science)
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높은 Q-지수를 갖는 대칭 구조의 CMOS 2 단자 능동 인덕터

CMOS Symmetric High-Q 2-Port Active Inductor

  • 구자건 (전북대학교 전자정보공학부 및 IT융합연구센터) ;
  • 정승호 (전북대학교 전자정보공학부 및 IT융합연구센터) ;
  • 정용채 (전북대학교 전자정보공학부 및 IT융합연구센터)
  • Koo, Jageon (Division of Electonics and Information Engineering and IT Convergence Research Center, Chonbuk National University) ;
  • Jeong, Seungho (Division of Electonics and Information Engineering and IT Convergence Research Center, Chonbuk National University) ;
  • Jeong, Yongchae (Division of Electonics and Information Engineering and IT Convergence Research Center, Chonbuk National University)
  • 투고 : 2016.07.08
  • 심사 : 2016.09.16
  • 발행 : 2016.10.31
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초록

본 논문에서는 LC 공진회로를 이용한 2 단자 능동 인덕터를 제안한다. 제안된 회로는 기존 자이레이터 구조의 1 단자 능동 인덕터들을 캐스코드 형태로 결합하였으며, 두 자이레이터 사이에 LC 공진회로를 추가시켰다. LC 공진회로는 능동 인덕터를 구성하는 트랜지스터의 기생 성분들을 상쇄시킴으로써 넓은 대역에서 높은 Q-지수를 제공한다. 제안된 회로는 삼성전자 65 nm 공정을 이용하여 시뮬레이션과 제작을 수행하였으며, 1~6 GHz 대역에서 2 nH의 일정한 인덕턴스와 40 이상의 높은 Q-지수를 가진다.

In this paper, a novel CMOS high Q factor 2-port active inductor has been proposed. The proposed circuit is designed by cascading basic gyrator-C structural active inductors and attaching the feedback LC resonance circuit. This LC resonator can compensate parasitic capacitance of transistor and can improve Q factor over wide frequency range. The proposed circuit was fabricated and simulated using 65 nm Samsung RF CMOS process. The fabricated circuit shows inductance of above 2 nH and Q factor higher than 40 in the frequency range of 1~6 GHz.

키워드

참고문헌

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