참고문헌
- M. H. Shin, M. S. Park. N. E. Lee, J. Y. Kim, C. Y. Kim, and J. H. Ahn, J. Vac. Sci. Technol. A, 24, 1373 (2006) [DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.2210944].
- B. Cheng, M. Cao, P. V. Vande, W. Greene, H. Stork, Z. Yu, and J. C. S. Woo, IEEE Trans. Electron Devices, 46, 261 (1999) [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/16.737469].
- J. Torfifard and A. K. B. A'ain, ETRI Journal, 35, 226 (2013) [DOI: http://dx.doi.org/10.4218/etrij.13.0112.0300].
- Y. Ma, Y. Ono, L. Stecker, D. R. Evans, and S. T. Hsu, IEDM Tech. Dig., 149 (1999).
- N. S. Ryu, J. H. Jung, and Y. C. Jeong, ETRI Journal, 34, 885 (2012) [DOI: http://dx.doi.org/10.4218/etrij.12.1812.0024].
- J. Chen, W. J. Yoo, Z. Y. Tan, Y. Wang, and D. S. H. Chan, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 1552 (2004) [DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.1705590].
- K. H. Doo, B. I. Y. Yoon, B. C. Lee, S. S. Lee, M. S. Han, and W. W. Kim, ETRI Journal, 34, 827 (2012) [DOI: http://dx.doi.org/10.4218/etrij.12.1812.0046].
- Q. Li, K. M. Koo, W. M. Lau, P. F. Lee, J. Y. Dai, Z. F. Hou, and X. G. Gong, Appl. Phys. Lett., 88, 182903 (2006) [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2196470].
- R. M. Martin, H. O. Blom, and J. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. A, 27, 217 (2009) [DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.3065695].
- J. C. Woo, T. K. Ha, D. S. Um, J. Y. Park, Y. C. Kang, and C. I. Kim, Thin Solid Films, 520, 1141 (2011) [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.08.078].
- T. K. Ha, J. C. Woo, and C. I. Kim, Vacuum, 85, 932 (2011) [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.01.015].
- W. S. Hwang, J. Chen, W. J . Yoo, and V. Bliznetsov, J . Vac. Sci. Technol. A, 23, 964 (2005) [DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.1927536].
- J. Tonotani, T. Iwamoto, F. Sato, K. Hattori, S. Ohmi, and H. Iwai, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2163 (2003) [DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.1612517].
- J. I. Won, J. G. Koo, T. P. Rhee, H. S. Oh, and J. H. Lee, ETRI Journal, 35, 603 (2013) [DOI: http://dx.doi.org/10.4218/etrij.13.1912.0030].
- H. J. Lee, B. S. Kwon, H. W. Kim, S. I. Kim, D. G. Yoo, J. H. Boo, and N. E. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 47, 6960 (2008) [DOI: http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.47.6960].
- M. H. Shin, S. W. Na, N. E. Lee, T. K. Oh, J. Kim, T. Lee, and J. Ahn, Jpn. J. Appl. Phys., 44, 5811 (2005) [DOI: http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.44.5811].
- E. Jud, M. Tang, and Y. M. Chiang, J. Appl. Phys., 103, 114108 (2008) [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2937900
- H. Jin, U. K. Oh, H. J. Kang, S. W. Lee, Y. S. Lee, and K. Y. Lim, J. Korean Phys. Soc., 46, S52 (2005).
- R. Tan, Y. Azuma, and I. Kojima, Appl. Surf. Sci., 241, 135 (2005) [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.030].
- L. P. Feng, Z. T. Liu, and Y. M. Shen, Vacuum, 83, 902 (2009) [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2008.08.004].
- L. Zhang, S. Y. Terauchi, Y. Azuma, and T. Fujimoto, Surf. Interface Anal., 40, 1701 (2008) [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/sia.2901].
- X. Cheng, L. Wan, Z. Song, Y. Yu, and D. Shen, Appl. Phys. Lett., 90, 152910 (2007) [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2722665].
- H. K. Chiu, T. L. Lin, Y. Hu, K. C. Leou, H. C. Lin, M. S. Tsai, and T. Y. Huang, J. Vac. Sci. Technol. A, 19, 455 (2001) [DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.1342866].
- A. M. Efremov, D. P. Kim, and C. I. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 75, 133 (2004).