References
- S. Kenji, O. Faki, ujio, U. Hiroyuki, I. Shinji, K. Setsuo and H. Kazu, Electron Devices, IEEE Transactions 36(12), 2868 (1989). https://doi.org/10.1109/16.40970
- K. C. Park, J. H. Ryu, K. S. Kim, Y. Y. Yu and J. Jang, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 1261 (2007).
- S. H. Lim, H. S. Yoon, J. H. Moon, K. C. Park and J. Jang, Appl. Phys. Lett. 88, 033114 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2166690
- K. C. Park, H. S. Yoon, J. H. Ryu, S. H. Lim, J. H. Moon and J. Jang, J. Korean Phys. Soc. 48, 1365 (2006).
- Spindt, C. A., Journal of Applied Physics 39(7), 3504 (1968). https://doi.org/10.1063/1.1656810
- W. S. Chang, H. Y. Choi and J.U. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7175 (2006). https://doi.org/10.1143/JJAP.45.7175
- E. H. Lee, S. W. Lee, Y. J. Eom, H. N. Won, J. Jang, B. Y. Moon and K. C. Park, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 63, 20302 (2013). https://doi.org/10.1051/epjap/2013130161