Electronics and Telecommunications Trends (전자통신동향분석)
- Volume 27 Issue 4
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- Pages.96-106
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- 2012
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- 1225-6455(pISSN)
Next Generation Energy Efficient Semiconductors: Status of R&D of GaN Power Devices
차세대 고효율/고출력 반도체: GaN 전력소자 연구개발 현황
Abstract
차세대 에너지 절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN(Gallium Nitride) 전자소자의 연구개발 동향, 특히 전력증폭기용 GaN 기술동향에 관하여 기술하였다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(
Keywords