SiO 기판에 이온빔 조사를 통해서 제조한 IPS Cell의 특성에 관한 연구

IPS property using ion beam irradiation on SiOF surfaces

최근 비접촉식 액정배향방법에 대한 요구가 산업계 전반으로 확산되면서, 기존의 UV 광배향을 비롯하여, 여러 가지 비접촉식 액정 배향방법이 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 이러한 비접촉식 액정배향방법 중에서 SiOF 무기막에 이온빔을 정량적으로 조사하는 방법을 사용하여 액정을 배향하고, 이 기술을 사용하여, 상용화 수준의 IPS(In-Plane Switching) 방식의 액정 셀을 제작함으로써 전기광학 특성을 평가하였다. 특히 이러한 무기막 배향의 경우 배향안정성에 많은 문제를 가지고 있는 것이 보통이나, 본 연구에서 제안한 방법으로 제조된 평가셀은 $200^{\circ}C$의 높은 온도로 열처리를 하여도 배향성을 잃지 않고 균일한 배향을 지속하는 것을 관찰할 수 있었다.

Nematic liquid crystal (NLC) alignment effects on SiOF layers via ion-beam (IB) irradiation for four types of incident energy were successfully studied. The effect of fluorine addition on silicon oxide film properties as a function of $SiOF_4/O_2$ gas flow ration was investigated. The SiOF thin film exhibits good chemical and the thermal stability of the SiOF thin film were sustained as function of the NLC alignment until $200^{\circ}C$ Also, the response-time characteristics of aligned LCD based on SiOF film were studied.