초록
본 논문에서는 먼저 RTP(Rapid Thermal Processor) 장치를 스트레스 측정에 용이한 구조로 제작하고 PC에서 통합 공정관리 시스템을 설계하였다. 다음으로는 Large deformation 이론을 바탕으로 반도체 웨이퍼 표면의 변형검사를 위한 레이져 인터페로미터리를 구성하였다. 궁극적으로 이러한 레이져장치로부터 웨이퍼 표면의 영상을 추출하고 세선화, 블록화 그리고 스트레스 분포도의 순서로 영상처리 하여 스트레스로 인한 웨이퍼 표면의 변형을 검사하였다. 실험을 하기 위해 변형이 이루어지도록 웨이퍼의 후면을 1mm정도 갈아낸 후 약 1000도에서 $3\sim4$회 열처리를 수행하였으며, 열처리를 가한 영상과 가하지 않은 영상을 통하여 웨이퍼 열처리 후 심각한 변형이 이루어졌음을 알 수 있었다.
In this paper, firstly we made of the rapid thermal processor equipment with the specifically useful structure to measure wafer stress. Secondly we made of the laser interferometry to inspect the wafer surface curvature based on the large deformation theory. And then the wafer surface fringe image was obtained by experiment, and the full field stress distribution of wafer surface comes into view by signal processing with thining and pitch mapping. After wafer was ground by 1mm and polished from the back side to get easily deformation, and it was heated by three to four times thermal treatments at about 1000 degree temperature. Finally the severe deformation between wafer before and after the heat treatment was shown.