A Low-Power and Small-Area Pulse Width Modulator y Light Intensity for Photoflash

광량 변화에 따른 저전력 작은 면적을 가지는 포토플래시 용 펄스폭 변조기

  • 이우관 (고려대학교 전자전기공학과) ;
  • 김수원 (고려대학교 전자전기공학과)
  • Published : 2008.07.25

Abstract

This paper presents a low-power and small-area pulse width modulator by light intensity for photoflash. Light intensity controller is achieved by using capacitor, photodiode, and comparator. The proposed circuit designs digital circuit to reduce static power consumption except comparator. And IGBT driver has short circuit protection using delay cell. The pulse width modulator has the operating range of $V_{MS}$ from 0.5V to 2.5V and pulse width of output from 0.14ms to 1.65ms at 300Hz. The pulse width modulator fabricated in $0.35-{\mu}m$ CMOS technology occupies $0.85mm{\times}0.56mm$. This circuit consumes 3.0mW at 300Hz and 3.0V.

본 논문에서는 광량 변화에 따른 저전력 작은 면적을 가지는 포토플래시 용 펄스폭 변조기를 제안한다. 광량 제어 회로는 정전용량, 포토다이오드, 그리고 비교기로 꾸밀 수 있다. 제안된 펄스폭 변조기는 대기 전력 소모를 줄이기 위해서 비교기를 제외한 모든 부분을 디지털회로로 설계하였다. 그리고 IGBT 드라이버는 지연 소자를 사용하여 단락 방지 회로를 추가하였다. 제안된 펄스폭 변조기는 $0.5V{\sim}2.5V$의 변조 신호 전압의 범위와 300Hz 동작 속도에서 $0.14ms{\sim}1.65ms$의 펄스폭 변조 범위를 가진다. 제안된 펄스폭 변조기는 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정으로 제작되었으며, $0.85mm{\times}0.56mm$의 면적을 가진다. 제안된 회로는 300Hz 그리고 3.0V에서 3.0mW의 전력을 소모한다.

Keywords

References

  1. J. Salmon, L. Wang, and A. Krieger, 'Comparison of current controllers that use internal feedback of the controller pwm signals to produce a pwm-cycle zero average current-error' in Proc. of IEEE Power Electronics Specialists Conference, pp. 2012-2018, Recife, Brazil, June 2005
  2. S. Buso, S. Fasolo, L. Malesani, and P. Mattavelli, 'A dead-beat adaptive hysteresis current control,' IEEE Trans. Industry Application, vol. 36, no. 4, 1174-1180, July 2000 https://doi.org/10.1109/28.855976
  3. K.M. Smith, Z. Lai, and K.M. Smedley, 'A new pwm controller with onecycle response,' IEEE Trans. Power Electronics, vol. 14, no. 1 pp.142-150, January 1999 https://doi.org/10.1109/63.737602
  4. A. D. Pathak and S. Ochi 'Unique MOSFET/IGBT Drivers and Their Applications in Future Power Electronic Systems' in Proc. IEEE Conference on Power Electronics and Drive Systems, pp. 85-88, Santa Clara, USA, November 2003
  5. A. Perez, X. Jorda, P. Godignon, M. Vellvehi, J. L. Galvez, and J.Millan 'An IGBT gate driver integrated circuit with full-bridge output stage and short circuit protections' in Proc. of IEEE Semiconductor Conference,pp.245-248, Bellaterra, Spain, September 2003