Abstract
This study presents a process control of the wafer edge exposure (WEE) used in 300[mm] wafer environment. WEE, as a key module of the overall track system (coater and developer) for making patterns on wafer, is a system to expose the UV-ray on the wafer to remove a photo resist around edge of the wafer. It can measure, memorize and control the distance and angles from wafer center to edge. Recently in the 300[mm] semiconductor fabrication, the track system strongly requires that WEE station has a controller with high throughput and accuracy to increase process efficiency. We have designed and developed the controller, and present here a WEE control algorithm and experimental results.
본 논문에서는 웨이퍼 에지 노광장비에 핵심 부분인 웨이퍼의 편심오차의 측정알고리즘과 플랫/노치의 방향을 해석하는 알고리즘을 제안하였다. 또한 새로 제안된 알고리즘을 전산 시뮬레이션을 통해 그 유효성을 확인하였으며 제작된 웨이퍼 에지 노광기에 적용하여 실제 장비에 적용 가능함을 확인하였다. 제안된 알고리즘을 위해 필요한 웨이퍼 에지 위치 검출방식에 있어 과거의 접촉식 방법을 사용함으로서 발생하는 파티클의 오염을 제거하기 위해 선형 CCD 센서를 적용한 비접촉 방식의 데이터 측정법을 적용함으로서 파티클의 오염을 제어 할 수 있었다.