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Modeling and Digital Predistortion Design of RF Power Amplifier Using Extended Memory Polynomial

확장된 메모리 다항식 모델을 이용한 전력 증폭기 모델링 및 디지털 사전 왜곡기 설계

  • Published : 2008.11.30

Abstract

This paper suggests an extended memory polynomial model that improves accuracy in modeling memory effects of RF power amplifiers(PAs), and verifies effectiveness of the suggested method. The extended memory polynomial model includes cross-terms that are products of input terms that have different delay values to improve the limited accuracy of basic memory polynomial model that includes the diagonal terms of Volterra kernels. The complexity of the memoryless model, memory polynomial model, and the suggested model are compared. The extended memory polynomial model is represented with a matrix equation, and the Volterra kernels are extracted using least square method. In addition, the structure of digital predistorter and digital signal processing(DSP) algorithm based on the suggested model and indirect learning method are proposed to implement a digital predistortion linearization. To verify the suggested model, the predicted output of the model is compared with the measured output for a 10W GaN HEMT RF PA and 30 W LDMOS RF PA using 2.3 GHz WiBro input signal, and adjacent-channel power ratio(ACPR) performance with the proposed digital predistortion is measured. The proposed model increases model accuracy for the PAs, and improves the linearization performance by reducing ACPR.

본 논문에서는 RF 전력 증폭기의 메모리 효과 모델링의 정확성을 향상시키기 위한 확장된 메모리 다항식 모델을 제안하고 검증하였다. 볼테라 커널 중에서 대각행렬의 성분만을 고려하는 기본적인 메모리 다항식 기반의 모델의 정확성을 향상시키기 위하여 지연차수가 다른 성분들에 의한 교차항을 추가하여 확장 모델을 구성하였다. 제안된 확장 메모리 다항식의 복잡성을 메모리리스 모델, 메모리 다항식 모델과 비교하였다. 확장된 모델을 이용하여 비선형 관계식을 행렬식으로 표현한 후, 최소 자승법(least square method)을 이용하여 변수를 추출하는 모델링 기법을 제시하였다. 또한, 제안된 기법과 간접 학습 방식을 이용하여 디지털 사전 왜곡기를 구현하기 위한 디지털 사전 왜곡부 구현 방안 및 디지털 신호 처리(DSP) 방식을 제시하였다. 제안된 모델의 성능을 검증하기 위하여 2.3 GHz 대역의 WiBro 신호를 인가한 10 W급 GaN HEMT 전력 증폭기와 30W급 LDMOS 전력 증폭기에 대하여 모델의 정확도를 비교 검토하였으며, 10W GaN HEMT 전력 증폭기에 대하여 제안된 모델을 이용하는 간접 학습 방식에 기반한 디지털 사전 왜곡기를 적용하여 인접 채널 간섭비(ACPR) 성능을 검증하였다. 제안한 모델은 메모리 다항식에 비하여 모델의 정확성을 향상시키고 10 W GaN HEMT에 대하여 디지털 사전 왜곡기 적용시 기존 방식에 비하여 3차 비선형 영역에서 평균 3 dB의 ACPR 성능 향상을 보여주었다.

Keywords

References

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