Journal of IKEEE (전기전자학회논문지)
- Volume 12 Issue 3
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- Pages.138-143
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- 2008
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- 1226-7244(pISSN)
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- 2288-243X(eISSN)
LAM 공정을 위한 Underpass를 갖지 않는 나선형 박막 인덕터의 주파수 특성
Frequency Characteristics of Spiral Planar Inductor without Underpass for LAM Process
- Kim, Jae-Wook (Dept. of Electronics Engineering, Namseoul University)
- 김재욱 (남서울대학교 전자공학과)
- Published : 2008.09.30
Abstract
In this study, we propose that the structures of spiral inductors have the environment advantage utilizing direct-write and LAM(Laser Ablation of Microparticles) processes without process step of lithography and etching etc. of existing semiconductor process. The structures of inductors have Si thickness of 540
본 논문에서 기존 반도체공정들이 갖는 리소그래피와 식각 등의 공정단계를 배제하는 direct-write 공정과 LAM(Laser Ablation of Microparticles) 공정을 이용하여 친환경적인 이점을 가질 수 있는 나선형 인덕터의 구조를 제안하고 주파수 특성을 확인하였다. 인덕터의 구조는 Si를 540