마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제14권3호
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- Pages.29-36
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- 2007
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
펨토초 레이저 어블레이션을 이용한 Si 웨이퍼의 미세 관통 홀 가공
Femto-second Laser Ablation Process for Si Wafer Through-hole
- Kim, Joo-Seok (Dept. of Mechanical Engineering, Ching-Ang University) ;
- Sim, Hyung-Sub (Dept. of Mechanical Engineering, Ching-Ang University) ;
- Lee, Seong-Hyuk (Dept. of Mechanical Engineering, Ching-Ang University) ;
- Shin, Young-Eui (Dept. of Mechanical Engineering, Ching-Ang University)
- 발행 : 2007.09.30
초록
본 논문에서는 펨토초 레이저를 사용하여 정밀하고 효과적인 레이저 어블레이션 작업이 가능한지를 확인하기위한 수치 해석 및 가공 작업을 수행하였다. 이를 위하여 Si 재료 내부의 에너지 전달 메커니즘에 대한 수치해석을 실시하였으며, Si 웨이퍼에 각각 다른 조건으로 적용된 레이저 플루언스 값으로
The main objectives of this study are to investigate the micro-scale energy transfer mechanism for silicon wafer and to find an efficient way for fabrication of silicon wafer through-hole by using the femtosecond pulse laser ablation. In addition, the electron-phonon interactions during laser irradiation are discussed and the carrier number density and temperatures are estimated. In particular, the present study observes the shapes of silicon wafer through-hole with