한국응용과학기술학회지 (Journal of the Korean Applied Science and Technology)

  • 제24권1호
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  • Pages.54-60
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  • 2007
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  • 1225-9098(pISSN)
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  • 2288-1069(eISSN)
한국응용과학기술학회 (The Korean Society of Applied Science and Technology)
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Investigation of Top-Contact Organic Field Effect Transistors by the Treatment Using the VDP Process on Dielectric

  • Kim, Young-Kwan (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) ;
  • Hyung, Gun-Woo (Department of Materials Science and Engineering, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) ;
  • Park, Il-Houng (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) ;
  • Seo, Ji-Hoon (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) ;
  • Seo, Ji-Hyun (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) ;
  • Kim, Woo-Young (Dept. of Digital Display, Hoseo University)
  • 발행 : 2007.03.31
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초록

이 논문에서는 게이트 절연막 위에 vapor deposition polymerization(VDP)방법을 사용하여 성막한 유기 점착층을 진공 열증착하여 유기 박막 트랜지스터(OTFTs)소자를 제작할 수 있음을 증명하였다. 우리가 제작한 Staggered-inverted top-contact 구조를 사용한 유기 박막 트랜지스터는 전기적 output 특성이 포화 영역안에서는 포화곡선을, triode 영역에서는 비선형적인 subthreshold를 확실히 볼 수 있음을 발견했다. $0.2{\mu}m$ 두께를 가진 게이트 절연막위에 유기 점착층을 사용한 OTFTs의 장 효과 정공의 이동도와 문턱전압, 그리고 절멸비는 각각, 약 0.4cm2/Vs, -0.8V, 106 이 측정되었다. 게이트 절연막의 점착층으로써 폴리이미드의 성막을 위해, 스핀코팅 방법 대신 VDP 방법을 도입하였다. 폴리이미드 고분자막은 2,2bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride(6FDA)와 4,4'-oxydianiline(ODA)을 고진공에서 동시에 열 증착 시킨 후, 그리고 $150^{\circ}C$에서 1시간, 다시 $200^{\circ}C$에서 1시간 열처리하여 고분자화된 막을 형성하였다. 그리고 점착층이 OTFTs의 전기적 특성에 주는 영향을 설명하기 위해 비교 연구하였다.

키워드

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