Abstract
Much interests has been drawn for noble micro-engineering processes for the continuous size reduction on bulk materials from the field of micro-electronics with much downsized IC chips. A traditional microprocessing based on mechanical blade as well as a relatively long pulsed laser usually influence the physico-chemical properties of intact materials when the techniques are applied to process materials with a spatial resolution less than 10 microns. Meanwhile, ultrafast laser pulses are known to exhibit a very small heat-affect zone(HAE) compared to the traditional laser processing and to be applicable for the new functional materials with high performance in optical and electrical properties. In this report, we will review in brief the recent research works on the enhancement of micro-cutting speed of thin silicon wafer as well as the formation of Ge nanostructures based on ultrafast laser pulses.
전자 산업의 발달과 더불어 더욱 더 작은 구조물의 제작을 위한 새로운 물질공정 기술에 대한 수요가 증가하고 있다. 물질 고유의 물리적인 성질을 유지하면서 초미세 공정이 필용한 시점에서 기존의 전통적으로 사용하여 왔던 기계적인 방법과 레이저 공정은 공정 분해능의 한계와 물리화학적인 변형 때문에 최종 부품의 성능저하와 불량률을 증가시켜 많은 문제점을 내포하고 있다. 반면에 고출력 펨토초 레이저 기반물질 공정 기술은 기존 레이저 공정에 비해 열적 손상이 매우 작기 때문에 최근 많은 분야에서 큰 관심을 불러일으키고 있다. 본 해설 논문에서는 박형 실리콘 기판의 마이크로 패키징 및 게르마늄 표면 공정을 통한 나노구조체 형성에 대해 본 연구진에서 발표한 최근의 개발 내용을 중심으로 관련 연구 분야를 소개하고자 한다.
