High-Q Resonator with Substrate Integrated Waveguide(SIW) Structure

높은 Q 값을 갖는 기판 집적형 도파관(SIW) 공진기

  • Yun Tae-Soon (RFIC Research and Education Center, Kwangwoon University) ;
  • Nam Hee (RFIC Research and Education Center, Kwangwoon University) ;
  • Lee Jong-Chul (RFIC Research and Education Center, Kwangwoon University)
  • Published : 2006.04.01

Abstract

In this paper, a resonator with the substrate integrated waveguide(SIW) structure at the satellite communication band is presented. The SIW structure is realized by via-holes on the dielectric substrate and has an advantage of integration with other circuits. For the measurement, a designed back-to-back transition has the insertion loss of 0.4 dB at 18 GHz. Also, the quality factor of the resonator with the SIW structure including back-to-back transition is obtained to be 222. The high-Q resonator with the SIW structure can be used in filter, oscillator, and voltage controlled oscillator.

본 논문에서는 위성 통신 대역에서 사용할 수 있는 기판 집적형 도파관(SIW: Substrate Integrated Waveguide) 공진기에 관하여 논의된다. 기판 집적형 도파관은 기판에 비아 홀을 삽입하여 근사적으로 도파관을 구현한 것으로써 다른 회로와 집적화 시킬 수 있다는 장점을 지닌다. 측정을 위해 설계된 back-to-back 트랜지션은 18 GHz 에서 0.4 dB의 삽입 손실을 갖는다. 또한, 측정된 기판 집적형 도파관을 이용한 공진기의 Q 값은 back-to-back 트랜지션을 포함하였을 때 222를 나타낸다. 이러한 높은 Q 값을 갖는 기판 집적형 도파관을 이용한 공진기는 필터, 발진기, 전압 제어 발진기 등에 이용될 수 있다.

Keywords

References

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