Envelope Detection 바이어스 제어를 이용한 AB급 증폭기 선형화

Linearization of Class AB Amplifier Using Envelope Detection Bias Control

  • 이희민 (충남대학교 전파공학과) ;
  • 강상기 (군산대학교 정보통신공학부) ;
  • 홍성용 (충남대학교 전파공학과)
  • Yi Hui-Min (Dept. of Radio Science & Eng., Chungnam National Univ.) ;
  • Kang Sang-Gee (Dept. of Information & Telecommunication, Kunsan National Univ.) ;
  • Hong Sung-Yong (Dept. of Radio Science & Eng., Chungnam National Univ.)
  • 발행 : 2006.02.01

초록

사전 왜곡형 선형 증폭기는 회로가 간단하고 제작 비용이 적은 장점이 있으나, 상호 변조 왜곡 hump 특성 때문에 낮은 출력 전력에서 상호 변조 왜곡 특성이 나빠지는 단점이 있다. 본 논문에서는 출력 전력에 따라 전력 증폭기의 바이어스를 제어하는 방법으로 이와 같은 단점을 개선하였다. AB급 바이어스를 사용한 16 W급 사전 왜곡형 전력 증폭기에 본 논문에서 제안한 방법을 적용한 결과, 넓은 출력 전력 범위에서 약 10 dB의 3차 상호변조 왜곡 특성이 개선됨을 확인하였다.

In spite of the advantage of simple circuit, small size, and low price, predistortered power amplifier does not satisfy the IMD specification at low power range because of an IMD hump characteristic. To reduce the performance degradation by IMD hump, the method which is to control the operating point of amplifier according to its output power is presented. This method using envelope detection bias control is applied to the implemented class AB predistortered 16 W power amplifier. The measured result shows 10 dB improvement of $3^{rd}$ IMD performance in wide dynamic range of output power.

키워드

참고문헌

  1. Scott R. Novis, Leonard Pelletier, 'IMD parameters describe LDMOS device performance', Microwave & RF, vol. 37, no. 7, pp. 69-74, Jul. 1998
  2. Sanggee Kang, Himin Lee, and Sungyong Hong, 'Bias control for linearizing class AB amplifiers using envelope detection', VTC2005 Fall, Sep. 2005
  3. P. B Kenington, High-Linearity RF Amplifier Design, Artech House, 2000