References
- K. C. Kim, K. S. Nahm, Y. B. Hahn, Y. S. Lee and H. S. Byun, J. vac. Sci. Technol. A, 18(3), 891 (2000) https://doi.org/10.1116/1.582272
- E. Xie, Z. Zhang, Z. Ma, H. Lin and D. He, Optical Materials, 23, 157 (2003) https://doi.org/10.1016/S0925-3467(03)00078-8
- X, T. Zhou, H. L. Lai, H. Y. Peng, F. C. K. Au, L. S. Liao. N. Wang, I. Bello, C. S. Lee and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett., 318(1), 58 (2000) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(99)01398-6
- Z. Pan, H. L. Lai, F. C. K. Au, X. Duan, W. Zhou, W. Shi, N. wang, C. S. Lee, N. B. Wong, S. T. Lee and S. Xie, Adv. Mater., 12(16), 1186 (2000) https://doi.org/10.1002/1521-4095(200008)12:16<1186::AID-ADMA1186>3.0.CO;2-F
- G. W. Meng, L. D. Zhang, C. M. Mo, F. Phillipp, Y. Qin, H. J. Li, S. P. Feng and S. Y. Zhang, Mater. Res. Bull., 34(5), 783 (1999) https://doi.org/10.1016/S0025-5408(99)00073-2
- J. V. Milewski, F. D. Gac, J. J. Petrovic and S. R. Skaggs, J. Mater. Sci., 20, 1160 (1985) https://doi.org/10.1007/BF01026309
- D. H. Rho, J. S. Kim, D. J. Byun, J. W. Yang and N. R. Kim, Kor. J. Mater. Res., 13(10), 677 (2003) https://doi.org/10.3740/MRSK.2003.13.10.677
- Y. B. Li, S. S. Xie, X. P. Zou, D. S. Tang, Z. Q. Jiu, W. Y. Zhou and G. Wang, J. Crystal Growth, 223(2), 125 (2000) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)00597-8
- W. Shi, Y. Zheng, H. Peng, N. Wang, C. S. Lee and S. T. Lee, J. Am. Ceram. Soc., 83(12), 3228 (2000) https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.2000.tb01714.x
- C. C. Tang, S. S. Fan, H. Y. Dang, J. H. Zhao, C. Zhang, P. Li and Q. Gu, J. Crystal. Growth, 210(4), 595 (2000) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(99)00737-X
- D. H. Rho, J. S. Kim. D. J. Byun, J. W. Yang and N. R. Kim, Kor. J. Mater. Res., 13(6), 404 (2003) https://doi.org/10.3740/MRSK.2003.13.6.404
- G. Shen, D. Chen, K. Tang, Y. Qian and S. Zhang, Chem. Phys. Lett., 375, 177 (2003) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(03)00877-7
- K. M. Knowels and M. V. Ravichandran, J. Am. Ceram. Soc., 80(5), 1165 (1997) https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1997.tb02959.x
- H. J. Li, Z. J. Li, A. L. Meng, K. Z. Li, X. N. Zhang and Y. P. Xu, J. Alloys and Compounds, 352(2), 279 (2003) https://doi.org/10.1016/S0925-8388(02)01111-8
- D. H. Rho, J. S. Kim, D. J. Byun, J. W. Yang and N. R. Kim, J. Kor. Inst. Met. & Mater., 41(9), 600 (2003)
- G. W. Meng, L.D. Zhang, Y. Qin, C. M. Mo and Y. Phillipp, Nanostructures Materials, 12, 1003 (1999) https://doi.org/10.1016/S0965-9773(99)00287-1
- K. S. Wenger, D. Cornua, F. Chassagneuxa, G. Ferroa, T. Epicierb and P. Mielea, Solid State Comm., 124, 157 (2002) https://doi.org/10.1016/S0038-1098(02)00408-8
- B. C. Satishkimar, P. J.Tomas, A. Govindaraj and C. N. R. Rao, Appl. Phys. Lett., 77, 2530 (2000) https://doi.org/10.1063/1.1319185
- E. Munoz, A. B. Dalton, S. Collins, A. A. Zakhidov, R. H. Baughman, W. L. Zhou, J. He, C. J. O'Connor, B. Mccarthy and W. J. Blau, Chem. Phys. Lett., 359, 397 (2002) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(02)00745-5
- Z. W. Pan, S. S. Xie, L. E Sun and G. Wang, Chem. Phys. Lett., 299, 97 (1999) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(98)01240-8
- C. J. Lee, J. H. Park and J. Park, Chem. Phys. Lett., 326(6), 560 (2000)
- D. H. Rho, J. S. Kim, D. J. Byun, J. W. Yang and N. R. Kim, J. Kor. Inst. Surf. Eng., 36(3), 234 (2003)
- Y. Zhang, N. Wang, S. Gao, R. He, S. Miaigno, I. Zhu and X. Zhang, Chem. Mater., 14(8), 3564 (2002) https://doi.org/10.1021/cm0201697
- E. I. Givargizov, J. Cryst. Gr., 31, 20 (1975) https://doi.org/10.1016/0022-0248(75)90105-0
- Z. W. Pan, S. S. Xie, L. E Sun and G. Wang, Chem. Phys. Lett., 299, 97 (1999) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(98)01240-8
- W. Han, S. Fan, Q. Li, W. Liang, B. Gu and D. Yu, Chem. Phys. Lett., 265, 374 (1997) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(96)01441-8
- Y. H. Mo, M. Shajahan, K. S. Lee, K. C. Lee, K. C. Kim, O. H. Cha, E. K. Suh and K. S. Nahm, Diamond and Realted Materials, 11, 1703 (2002) https://doi.org/10.1016/S0925-9635(02)00141-3
- R. M. Bayazitov, I. B. Khaibullin, R. I. batalov, R. M. Nurntdinov, L. K. Antonova, V. P. Aksenov and G. N. Mikhailova, Nuclear inst. and Meth. Phys. Res. B., 206, 984 (2003) https://doi.org/10.1016/S0168-583X(03)00907-8
- Y. P. Guo, J. C. Zheng, A. T. S. Wee, C. H. A. Huan, K. Li, J. S. Pan, Z. C. Feng and S. J. Chua, Chem. Phys Lett., 339, 319 (2001) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(01)00308-6
- C. Tan, X. L. Wu, S. S. deng, G. S. Huang, X. N. Liu and X. M. Bao, Physics Letters A, 310, 236 (2003) https://doi.org/10.1016/S0375-9601(03)00342-6
- M. Tiginyanu, V. V. Urasaki, V. V. Zalama, S. Langa, S. Hubbarde, D. Pavlids and H. Foll, Appl. Phys. Lett., 83(8), 1551 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1605231
- H. W. Seo. S. Y. Bae, J. H. Park, H. I. Yang, K. S. Park and S. S. Kim, J. Chem. Phys., 116(21), 9492 (2002) https://doi.org/10.1063/1.1475748