References
- G. E. Gadd, M. Blackford, D. Moricca, N. Webb, P. J. Evans, A. M. Smith, G. Jacobson, S. Leung, A. Dat and Q. Hun, Science, 277, 933 (1997) https://doi.org/10.1126/science.277.5328.933
- Y. S. Shi, C. C. Zhu, W. Qikun and Li. Xin, Diamond and Related Materials, 12(9), 1449 (2003) https://doi.org/10.1016/S0925-9635(03)00170-5
- Y. M. Wong, W. P. Kang, J. L. Davidson, A. Wisitsora and K. L. Soh, Sensors and Actuators B: Chemical, 93(1), 327 (2003) https://doi.org/10.1016/S0925-4005(03)00213-2
- D. H. Rho, J. S. Kim, D. J. Byun, J. W. Yang and N. R. Kim, Kor. J. Mater, Res., 13(6), 404 (2003) https://doi.org/10.3740/MRSK.2003.13.6.404
- J. Zhang, L. Zhang, F. Jianf and Z. Dai, Chem. Phys. Lett., 383(3), 423 (2004) https://doi.org/10.1016/j.cplett.2003.11.057
- G. W. Meng, L. D. Zhand, C. M. Mo, F. Phillipp, Y. Qin, H. J. Li, S. P. Feng and S. Y. Zhang, Mater. Res. Bull., 34(5), 783 (1999) https://doi.org/10.1016/S0025-5408(99)00073-2
- D. H. Rho, J. S. Kim, D. J. Byun, J. W. Yang and N. R. Kim, Kor. J. Mater, Res., 13(10), 677 (2003) https://doi.org/10.3740/MRSK.2003.13.10.677
- Y. B. Li, S. S. Xie, X. P. Zhou, D. S. Tang, Z. Q. Jiu, W. Y. Zhou and G. Wang, J. Crystal Growth, 223(2), 125 (2000) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)00597-8
- W. Shi, Y, Zheng, H. Peng, N. wang, C. S. Lee and S. T. Lee, J. Am. Ceram. Soc., 83(12), 3228 (2000) https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.2000.tb01714.x
- D. H. Rho, J. S. Kim, D. J. Byun, J. W. Yang and N. R. Kim, J. Kor. Met. & Mater., 41(9), 600 (2003)
- Y. Yao, S. T. Lee and F. H. Li, Chem. Phys. Lett., 381(5), 628 (2003) https://doi.org/10.1016/j.cplett.2003.09.149
- X. H. Sun, C. D. Li, W. K. Wong, N. B. Wong, C. S. Lee, S. T. Lee and B. K. Teo, J. Am. Chem. Soc., 124(48), 14464 (2002) https://doi.org/10.1021/ja0273997
- J. B. Yoo, J. H. Han, S. H. Choi, T. Y. Lee, C. Y. Park, T. W. Jeong, J. H. Lee, S. G. Yu, G. S. Park and W. K. Yi, Physica B: Condensed Matter, 323(1), 180 (2002) https://doi.org/10.1016/S0921-4526(02)00894-3
- C. C. Tang, S. S. Fan, H. Y. Dong, J. H. Zhao, C. Zhang, P. Li and Q. Gu, J. Crystal Growth, 210(4), 595 (2000) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(99)00737-X
- Z. Shi, Y. Lian, F. Liao, X. Zhou, Z. Gu, Y. Zhang and S. Ijima, Solid, State Comm., 112(1), 35 (1999) https://doi.org/10.1016/S0038-1098(99)00278-1
- Z. Shi, Y. Lian, F. Liao, X. Zhou, Z. Gu, Y. Zhang, S. Iijima, H. Li, K. T. Yue and S. L. Zhang, J. Phys. & Chem. of Solids, 61(7), 1031 (2000) https://doi.org/10.1016/S0022-3697(99)00358-3
- X. T. Zhou, H. L. Lai, H. Y. Peng, F. C. K. Au, L. S. Liao, N. Wang, I. Bello, C. S. Lee and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett., 318(1), 58 (2000) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(99)01398-6
- Y. Zhang, N. wang, R. He, S. Miaigno, I. Zhu and X. Zhang, Chem. Mater., 14(8) 3564 (2002) https://doi.org/10.1021/cm0201697
- J. W. Liu, D. Y. Zhang, F. Q. Xie, M. Sun, E. G. Wang and W. X. Liu. Chem. Phys. Lett., 348(5), 357 (2001) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(01)01113-7
- W. han, S. fan, Q. Li, W. Liang, B. Gu and D. Yu, Chem Phys. Lett., 265, 374 (1997) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(96)01441-8
- M. Shajahan, Y. H. Mo, A. K. M. F. Kibria, K. C. Kim, K. S. Nahm and E. K. Suh, J. Kor. Phys. Soc., 41(5), 789 (2002)
- Z. G. Bai, D. P. Yu, H. Z. Zhang, Y. Ding, Y. P. wang, X. Z. Gai, Q. L. Hang, G. C. Xiang and S. Q. Feng, Chem. Phys. Lett., 303(3), 311 (1999) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(99)00066-4
- H. J. Li, Z. J. Li, A. L. Meng, K. Z. Li, X. N. Zhang and Y. P. Xu, J. Alloys and Compounds, 352(2), 279 (2003) https://doi.org/10.1016/S0925-8388(02)01111-8
- B. C. Satishkumar, P. J. Thomas, A. Govindara and C. N. R. Rao, Appl. Phys. Lett., 77(16), 2530 (2000) https://doi.org/10.1063/1.1319185