초록
전자소재의 원료물질 혹은 보호물질에 사용되는 고분자수지내에 포함된 U, Th과 이들의 붕괴산물인 딸핵종과 같은 방사성 불순물이 있는 경우 전자소자의 오작동을 일으키는 주 요인으로 알려져 있으며, Na, Cl, Fe 등과 같은 이온성 불순물은 소자의 수명을 단축시키는 것으로 알려져 있어 극미량 무기불순물의 정확한 분석이 필요하다. NAA의 경우, 위와 같은 분석의 문제점인 시료전처리가 필요하지 않은 비파괴 분석이 가능하여 가장 적합한 분석법으로서 고분자수지중의 극미량 불순물 분석을 위한 시료 전처리법과 최적 분석방법을 개발하였다. 이 방법을 사용하여 전자소재의 밀봉보호재로 널리 이용되고 있는 에폭시수지와 페놀수지중의 극미량 무기 불순물을 분석기술을 개발하였으며, 그 결과 U, Th과 이온성 불순물인 Cl, Fe, Na 외에 20가지의 미량 무기불순물을 분석할 수 있었다.
When the polymer was used for the guard raw materials of electronic device, the content of U, Th and their daughter nuclides were known as a factor of soft error. Because emitted alpha ray could be caused of mis-operation. And ionic impurities such as Cl, Fe, Na could shorten the device life-time. For the analysis of trace impurities in the polymer, neutron activation analysis(NAA) and ICP/AES have been studied. To improve the accuracy and sensitivity of the trace and ultratrace metallic impurities in the epoxy and phenol polymer, sample pretreatment method and optimum analytical condition of NAA were developed. Using the above method, U, Th and other 23 trace impurity elements were analyzed.
