A Study of Semiconductor Process Simulator with User Friendly Framework

사용자 친숙형 반도체 공정 시뮬레이터의 구성에 관한 연구

In this paper, we modeling the oxidation, diffusion, and ion-implantation for semiconductor process simulation, and construct the integrated framework for efficient execution and continuous process simulation. For oxidation process, to predict the accurate LOCOS shape and stress distributions, stress-dependent viscous model was performed using SVP algorithm. For diffusion process, predeposition and OED simulation was performed using point defect theory. For ion implantation, Monte-Carlo method based on TRIM simulation was performed with various process conditions. For input to each unit process, we used the dialog boxes which are windows application's standards. This dialog box allows us to verify and minimize input error at input steps. Using the combination of compiler's function and windows's API function, simulation was done with small memory size.

본 논문에서는 반도체 공정 시뮬레이션을 위해 산화, 확산 및 이온 주입 공정을 모델링하고, 효율적인 실행과 상호 연관된 연속 공정의 시뮬레이션이 가능하도록 통합화된 환경을 구축하였다. 점성적 스트레스 모델을 이용한 산화 공정은 유속-압력 알고리즘과 경계요소법을 이용하여 안정된 해를 얻었으며, 선확산과 산화증배 현상이 포함된 확산 공정은 전진해법과 유한요소법을 이용하였다 또한 이온 주입 공정은 TRIM을 기본으로 다양한 공정 조건에 대한 모델이 추가된 몬테카를로 방법을 사용하였다. 편리한 사용자 입력 인터페이스와 그래픽적 출력을 제공하고, 윈도즈의 API함수를 이용하여 PC상에서 적은 메모리로도 빠른 결과를 얻을 수 있도록 하였으며, 객체 지향적인 모듈화로 타 시뮬레이터와의 호환성이 가능하도록 구성하였다.