마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제11권4호
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- Pages.29-35
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- 2004
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
암모니아 펄스 플라즈마를 이용한 원자층 증착된 질화텅스텐 확산방지막 특성
[ $NH_3$ ] Pulse Plasma Treatment for Atomic Layer Deposition of W-N Diffusion Barrier
초록
암모니아 펄스플라즈마를 이용하여
We have deposited the W-N diffusion barrier on Si substrate with