Electrical Conductivity of Donor Doped $BaTiO_3$

Donor형 불순물로 치환시킨 $BaTiO_3$

The investigation of the electrical conductivities donor doped $BaTiO_3$at isothermal temperature 700K and 1200K as a function of the oxygen partial press between I and $10^{-20}$atm yields evidence concerning the kind of defects. The position of the minimum conductivity is moved in some orders of magnitude with increasing of donor contents when comparing that of the pure $BaTiO_3$. The conductivity for all the samples with various concentration of donor blends into a same value and the conduction properties become independent of donor contents at very oxygen pratial pressure. This indicates that the reduction has become the major source of defects.

$1-10^{-20}$atm의 산소 압력과 700K 및 1200K의 등온상태에서 Donor를 첨가한 $BaTiO_3$의 전기전도도를 조사하여 결함의 형태를 조사하였다. Donor를 첨가한 $BaTiO_3$에서 Donor의 첨가량이 증가함에 따라 최소 전기도도를 나타내는 극소점의 위치가 순수한 경우에 비아여 어느 정도 이동이 있었다. 이러한 극소점 위치의 이동으로 불순물의 상대적 함유량을 비교할 수 있었다. 매우 낮은 산소압력에서는 Dopant의 양에 무관하게 전도도 값이 일정하였으며 이러한 현상은 환원반응이 주된 원인임을 알았다.