Information Display (인포메이션 디스플레이)
- Volume 4 Issue 4
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- Pages.6-10
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- 2003
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- 1975-3667(pISSN)
산화물 음극 표면의 과잉 바륨 형성 메커니즘 규명
- Won, Byeong-Muk ;
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- Park, Gong-Seok ;
- Hwang, Cheol-Ho ;
- Han, Su-Deok ;
- Kim, In-U ;
- Gwon, Yong-Beom ;
- Seol, Seung-Gwon ;
- Jo, Chang-Sik ;
- Je, Jeong-Ho ;
- Hwu, Y. (Institute of Physics, Academia Sinica) ;
- Tsai, W.L. (Institute of Physics, Academia Sinica) ;
- Ruterana, P. (ISMRA, CNRS)
- 원병묵 (LG. Philips Displays Device 연구소) ;
- 아랜반담 (LG. Philips Displays Device 연구소) ;
- 박공석 (LG. Philips Displays Device 연구소) ;
- 황철호 (LG. Philips Displays Device 연구소) ;
- 한수덕 (LG. Philips Displays Device 연구소) ;
- 김인우 (포항공대 신소재공학과) ;
- 권용범 (포항공대 신소재공학과) ;
- 설승권 (포항공대 신소재공학과) ;
- 조창식 (포항공대 신소재공학과) ;
- 제정호 (포항공대 신소재공학과) ;
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- Published : 2003.08.27
Abstract
우리는 연-X-선 흡수 분광법(soft-X-ray Absorption Spectroscopy ; XAS)을 사용하여 실제 산화물 음극 전자 방출 물질 표면의 화학 구조에 대해 연구하였다. 바륨 3d 흡수단의 고-에너지 분해 스펙트럼은 활성화 과정(온도와 전압 인가) 후에 산화물 음극표면에서 수십 나노미터 깊이 아래까지 바륨 함량이 현저히 증가한다는 것을 보여주었다. 바륨과 산소의 XAS 데이터를 비교해보면 표면에서 과잉 바륨이 형성되는 것을 확실히 입증하고 있다. 게다가 우리는 표면에서의 과잉 바륨의 증가가 활성화 과정에서 열에너지에 의한 것이 아니라 인가된 전압에 의한 것임을 밝혀냈다. 이 결과로 우리는 표면의 과잉 바륨 형성 전체 과정을 규명하고 활성화 동안 표면의 바륨 증가가 분말 입자로부터 니켈 계면으로의 바륨 이온의 전해 이동 속도에 의해 제어된다는 것을 제안한다. 우리는 또한 표면 바륨 증가가 전해 이동에 의한 분말 입자 내의 바륨의 고갈에서 비롯되는 것으로 추정한다.
Keywords