한국항행학회논문지 (Journal of Advanced Navigation Technology)
- 제7권2호
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- Pages.211-216
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- 2003
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- 1226-9026(pISSN)
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- 2288-842X(eISSN)
NMOS 소자의 Ta-Ti 게이트 전극 특성
Characteristics of Ta-Ti Gate Electrode for NMOS Device
- 강영섭 (한국항공대학교 전자.정보통신.컴퓨터공학부) ;
- 서현상 (한국항공대학교 전자.정보통신.컴퓨터공학부) ;
- 노영진 (한국항공대학교 전자.정보통신.컴퓨터공학부) ;
- 이충근 (한국항공대학교 전자.정보통신.컴퓨터공학부) ;
- 홍신남 (한국항공대학교 전자.정보통신.컴퓨터공학부)
- Kang, Young-Sub (School of Electronics, Telecommunication, and Computer Eng., Hankuk Aviation University) ;
- Seo, Hyun-Sang (School of Electronics, Telecommunication, and Computer Eng., Hankuk Aviation University) ;
- Noh, Young-Gin (School of Electronics, Telecommunication, and Computer Eng., Hankuk Aviation University) ;
- Lee, Chung-Keun (School of Electronics, Telecommunication, and Computer Eng., Hankuk Aviation University) ;
- Hong, Shin-Nam (School of Electronics, Telecommunication, and Computer Eng., Hankuk Aviation University)
- 투고 : 2003.11.11
- 발행 : 2003.12.31
초록
본 논문에서는 오래 전부터 NMOS의 게이트 전극으로 사용된 폴리실리콘을 대체할 수 있는 Ta-Ti 합금의 특성에 대해 연구하였다. 실리콘 기판 위에 열적으로 성장된
In this paper, characteristics of Ta-Ti alloy was studied as a gate electrode for NMOS devices to replace the widely used polysilicon. Ta-Ti alloy was deposited directly on