References
- O. Kordina, L. O. Bjorketun, A. Henry, C. Hallin, R. C. Glass, L. Hultman, J. E. Sundgren, E. Janzen, J. Crystal Growth, 154(3), 303 (1995) https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00136-0
- J. M. Bonard, H. Kind, T. Stockli, L. O. Nilson, Solid State Electronics, 45(6), 893 (2001) https://doi.org/10.1016/S0038-1101(00)00213-6
- L. C. Chen, S. W. Chang, C. S. Chang, C. Y. Wen, J. J. Wu, Y. F. Chen, Y. S. Huang, K.H. Chen, J. Phys. Chem. Solids, 62(9), 1567 (2001) https://doi.org/10.1016/S0022-3697(01)00096-8
- M. He, I. Minus, P. Zhou, S. N. Mohammed, J. B. Halpern, R. Jacobs, W. L. Sarney, L. S. Riba, R. D. Vispute, Appl. Phys. Lett., 77(22), 3731 (2000) https://doi.org/10.1063/1.1329863
- H. Z. Zhang, Y. C. Kong, Y. Z. Wang, X. Du, Z. G. Bai, J. J. Wang, D. P. Yu, Y. Ding, Q. L. Hang, S. Q. Feng, Solid State Comm., 109(11), 677 (1999) https://doi.org/10.1016/S0038-1098(99)00015-0
- B. Xu, H. He, S. Boussaad, N. J. Tao, Electrochimica Acta, 48(21), 3085 (2003) https://doi.org/10.1016/S0013-4686(03)00386-4
- J. V. Milewski, F. D. Gac, J. J. Petrovic, S. R. Skaggs, J. Mater. Sci., 20, 1160 (1985) https://doi.org/10.1007/BF01026309
- H. J. Dai, E. W. Wang, Y Z. Lu, S. S. Fang, C. M. Liber, Nature, 375(9), 769 (1995) https://doi.org/10.1038/375769a0
- G. W. Meng, L. D. Zhang, C. M. Mo, F. Phillipp, Y Qin, H. J. Li, S. P. Feng, S. Y Zhang, Mater. Res. Bull., 34(5), 783 (1999) https://doi.org/10.1016/S0025-5408(99)00073-2
- C. C. Tang S. S. Fan, H. Y dang, J. H. Zhao, C. Zhang, P. Li, Q. Gu, J. Crystal Growth, 210(4), 595 (2000) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(99)00737-X
- W Shi, Y Zheng, H. Peng, N. Wang, C. S. Lee, S. T. Lee, J. Am. Ceram. Soc, 83(12), 3228 (2000) https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.2000.tb01714.x
- Y. B. Li, S. S. Xie, X. P. Zou, D. S. Tang, Z. Q. Jiu, W. Y Zhou, G. Wang, J. Crystal Growth, 223(2), 125 (2000)
- D. H. Rho, J. S. Kim, D. J. Byun, J. W. Wang, R. I. Kim, Kor. J. Mater. Res., 13(6), 404 (2003) https://doi.org/10.3740/MRSK.2003.13.6.404
- E. I. Givargizov, J. Crystal Growth, 31(1), 20 (1975) https://doi.org/10.1016/0022-0248(75)90105-0
- Z. W. Pan, S. S. Xie, L. F. Sun, G. Wang, Chem. Phys. Lett., 299(1), 97 (1999) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(98)01240-8
- C. J. Lee, J. H. Park, J. Park, Chem. Phys. Lett., 323(6), 560 (2000) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(00)00548-0
- Z. G. Bai, D. P. Yu, H. Z. Zhang, Y Ding, Y P. Wang, X. Z. Gai, Q. L. Hang, G. C. Xiong, S. Q. Feng, Chem. Phys. Lett., 303(3), 311 (1999) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(99)00066-4
- H. Yumoto, R. R. Hasiguti, T. Watanabe, N. Igata, J. Crystal growth, 87(1), 1 (1988) https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90337-5
- E. I. Givargizov, J. Crystal Growth, 20(3), 217 (1973) https://doi.org/10.1016/0022-0248(73)90008-0
- X, T. Zhou, H. L. Lai, H. Y. Peng, F. C. K. Au, L. S. Liao, N. Wang, I. Bello, C. S. Lee, S. T. Lee, Chem. Phys. Lett., 318(1), 58 (2000) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(99)01398-6
- Y Zhang, N. Wang, R. He, X. Chen, J. Zhou, Solid State Communications, 118(11), 595 (2001) https://doi.org/10.1016/S0038-1098(01)00181-8
- S. R. Nutt, J. Am. Ceram. Soc, 71(3), 149 (1988) https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1988.tb05021.x
- K. M. Knowels, M. V. Ravichandran, J. Am. Ceram. Soc, 80(5), 1165 (1997) https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1997.tb02959.x
- Y. Zhang, N. Wang, S. Gao, R. He, S. Miaigno, I. Zhu, X. Zhang, Chem. Mater., 14(8), 3564 (2002) https://doi.org/10.1021/cm0201697
- W. Han, P. Redlich, F. Ernst, Appl. Phys. Lett., 75(13), 1875 (1999) https://doi.org/10.1063/1.124857
- H. J. Li, Z. J. Li, A. L. Meng, K. Z. Li, X. N. Zhang, Y. P. Xu, J. Alloys and Compounds, 352(2), 279 (2003) https://doi.org/10.1016/S0925-8388(02)01111-8
- B. C. Satishkumar, P. J. Thomas, A. Govindaraj, C. N. R. Rao, Appl. Phys. Lett., 77(16), 2530 (2000) https://doi.org/10.1063/1.1319185
- X. T. Zhou, N. Wang, F. C. K. Au, H. L. Lai, H. Y. Peng, I. Bello, C. S. Lee, Mater. Sci. and Eng., A286, 119 (2000)