References
- L. F. Weber, Inform Display, vol. 16, no. 12, pp 16-20, 2000
- A. Sobel, Information Display, vol. 14, no. 9, pp 26-28, 1998
- G. Oversluizen, S. de Zwart, T. Dekker, T. Juestel, and S. van Heusden, IDW'01, pp. 833-836
- B. K. Min, H. Y. Choi, S. H. Lee, and H. S. Tae, J. Vac. Sci. Technol. B 19(1), pp. 7-13, Jan/Feb. 2001 https://doi.org/10.1116/1.1333077
- Y. Hashimoto, Y. Sea, O. Toyoda, K. Betsui, T. Kosada, and F. Namiki, SID'01, pp. 1328-1331
- C. Koshio, H. Taniguchi, K. Amemiya, N.. Saegusa, T. Komaki, and Y. Sato, IDW'01, pp. 781-784, 2001
- C. H. Park, S. H. Lee, D. H. Kim, Y. K. Kim, and J. H Shin, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, NO. 10, pp 2255-2259, Oct. 2001 https://doi.org/10.1109/16.954463
- C. K. Y00n, Y. J. Kim, J. H. Sea, M. S. Yo0, C. B. Park, W. J. Chung, J. H. Yang, K. W. Whang, and K. C. Choi, SID'01, pp 1332-1335, 2001
- T. Shinoda, M. Wakitani, T. Nanto, N. Awaji, and S. Kanagu, IEEE Trans. Electron Device, vol. 47, No.1, pp. 77-81, Jan. 2000 https://doi.org/10.1109/16.817570
- T. Akiyama, and M. Ueoka, ASID'95, pp. 377-380, 1995
- R. Ganter, J. Ouyang, Th. Callegari, and J. P. Boeuf, J. Appl, Phys., Vol. 91, No.3, pp. 992-999, Feb, 2002 https://doi.org/10.1063/1.1425425
- J. H. Sea, W. J. Chung, C. K. Y00n, J. K. Kim, and K. W. Whang, IEEE Trans. Plasma Science, Vol. 29, No.5, pp.824-831, Oct. 2001 https://doi.org/10.1109/27.964482
- K. Tachibana, S. Feng, and T. Sakai, J. Appl, Phys., Vol. 88, No.9, pp. 4967-4974, Nov. 2000 https://doi.org/10.1063/1.1314312
- H. Uchike, ASID'98, pp. 195-198, 1998
- G. S. Cho, E. H. Choi, Y. G. Kim, D. I. Kim, H. S. Uhm, Y. D. J00, J. G. Han, M. C. Kim, J. D. Kim, J. Appl, Phys., Vol. 87, No.9, pp. 4113-4118, May. 2000 https://doi.org/10.1063/1.373038