반도체용 실리콘 젤의 경화조건에 따른 체적고유저항 특성

Volume Resistivity Properties due to the Curing Condition of Silicone Gel for Semiconductor

실리콘 젤의 경화조건에 따른 전기적 특성을 조사하기 위하여 절연파괴특성에 대한 실험을 실시하였다. 실험을 위해 온도 100[$^{\circ}C$], 125[$^{\circ}C$], 150[$^{\circ}C$], 160[$^{\circ}C$], 170[$^{\circ}C$], 180[$^{\circ}C$]에서 각각 30[Min], 1[H], 2[H]동안 경화된 여러 시료를 제작하였다. 절연파괴실험에서 사용된 전극의 재료는 순도 99.9[%]의 구리이며, 전극간 간격은 1~3[mm]로 하였고, 전극의 두께는 0.2[mm]이다. 실험결과 온도 170[$^{\circ}C$]에서 2[H] 경화된 시료의 전기적 특성이 가장 우수하였다.

In order to study the electrical properties of silicone gel due to the curing condition, AC breakdown test is researched. For experiment, we have made up several samples cured during each 30[Min], 1[H], 2[H] at 100[$^{\circ}C$], 125[$^{\circ}C$], 150[$^{\circ}C$], 160[$^{\circ}C$], 170[$^{\circ}C$], 180[$^{\circ}C$]. The equipment for this test can measure the dipole output voltage to 50[kV], with increasing rate of about 3[kV] per second. A material of electrode using to the breakdown test is a copper(purity : 99%), the gap between electrodes is to 1[mm]~3[mm], and it thickness is 0.2[mm]. As a result of the experiment, the electrical properties of specimen cured at 170[$^{\circ}C$] for 2[H] is superior.