초록
반도체 박막의 분석에서 중요한 분석 대상의 하나인 미량 불순물의 정량분석을 위한 표준절차를 확립하고 그에 필요한 인증표준물질의 개발하였으며 이를 이용하여 국내공동분석을 실시하였다. 공동분석에 사용된 붕소가 균질하게 도핑된 박막 인증표준물질과 분석시편은 이온빔 스퍼터증착법에 의해 제작하였으며, 가장 정량적이고 감도가 높은 ICP-MS를 이용한 동위원소희석법으로 인증하였다. 이러한 인증표준물질과 SIMS에 의한 실리콘 내 의 붕소의 정량분석에 대해 이미 확립되어 있는 국제표준절차인 ISO/DIS-14237에 의거하여 국내 공동 분석을 시행하였는데, 이번의 공동분석에서 얻어진 붕소농도의 전체 평균값이 ICP-MS에 의한 인증치에 약 2% 정도의 오차를 보여주고 있어 분석의 정확성이 확인되었다.
A domestic round robin test(RRT) for the quantitative analysis of minor impurities was performed by a standard procedure and standard reference material. The certified reference material(CRM)s for B-doped Si thin film and analysis specimens and the analysis specimens were prepared by an ion beam sputter deposition method. These samples were certified by inductively coupled plasma mass spectrometry(ICP-MS) with isotope dilution method which il one of the most quantitative methods in chemical analysis. By using an international standard procedure(ISO/DIS-l4237) for the quantitative analysis of B in Si by SIMS, a domestic RRT was performed for these specimens. Although only a few laboratories participated in this RRT, the average B concentration well agreed with the certified value within 2% error.
