Abstract
Pd/Si/Ti/Pt ohmic contact to n-type InGaAs was investigated. As-deposited contact showed non-ohmic behavior, and high specific contact resistivity of $5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}^2$ was achieved by rapid thermal annealing at $375^{\circ}C$ for 10 seconds. However, the specific contact resistivity decreased remarkably to $1.7\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$ and $2\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$ at $375^{\circ}C$/60sec and $425^{\circ}C$/10sec, respectively. Superior ohmic contact and non-spiking planar interface between ohmic materials and InGaAs were maintained even at $450^{\circ}C$, therefore, this thermally stable ohmic contact system is a promising candidate for compound semiconductor devices.
N형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉 특성을 조사하였다. 증착 상태에서는 접촉 비저항을 측정할 수 없을 정도의 비오믹 특성을 보였으며, $375^{\circ}C$에서 10초 동안 열처리한 경우 $5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}^2$의 높은 접촉 비저항을 나타내었다. 그러나 열처리 시간을 60초로 연장할 경우 접촉 비저항이 $1.7\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$로 급격히 감소하였고, 열처리 조건을 $425^{\circ}C$, 10초로 변화시킬 경우 $2\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 나타내었다. 또한 $450^{\circ}C$까지도 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용가능하다.
