Journal of the Microelectronics and Packaging Society (마이크로전자및패키징학회지)
- Volume 8 Issue 4
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- Pages.11-15
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- 2001
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
Wafer Level Hermetic Sealing Characteristics of RF-MEMS Devices using Non-Conductive Epoxy
비전도성 에폭시를 사용한 RF-MEMS 소자의 웨이퍼 레벨 밀봉 실장 특성
- 박윤권 (한국과학기술연구원 디스플레이 및 나노소자연구실, 서울시립대학교 전자전기공학부) ;
- 이덕중 (한국과학기술연구원 디스플레이 및 나노소자연구실) ;
- 박흥우 (한국과학기술연구원 디스플레이 및 나노소자연구실) ;
- 송인상 (삼성종합기술연구원 MEMS Lab) ;
- 김정우 (삼성종합기술연구원 MEMS Lab) ;
- 송기무 (삼성종합기술연구원 MEMS Lab) ;
- 이윤희 (한국과학기술연구원 디스플레이 및 나노소자연구실) ;
- 김철주 (서울시립대학교 전자전기공학부) ;
- 주병권 (한국과학기술연구원 디스플레이 및 나노소자연구실)
- Published : 2001.12.01
Abstract
In this paper, hermetic sealing technology was studied for wafer level packaging of the RF-MEMS devices. With the flip-chip bonding method. this non-conductive B-stage epoxy sealing will be profit to the MEMS device sealing. It will be particularly profit to the RF-MEMS device sealing. B-stage epoxy can be cured by 2-step and hermetic sealing can be obtained. After defining 500
본 연구에서는 RF-MEMS소자의 웨이퍼레벨 패키징에 적용하기 위한 밀봉 실장 방법에 대하여 연구를 하였다. 비전도성 B-stage에폭시를 사용하여 밀봉 실장하는 방법은 플립칩 접합 방법과 함께 MEMS 소자 패키징에 많은 장점을 줄 것이다. 특히 소자의 동작뿐만 아니라 기생성분의 양을 줄여야 하는 RF-MEMS 소자에는 더욱더 많은 장전을 보여준다. 비전도성 B-stage 에폭시는 2차 경화가 가능한 것으로 우수한 밀봉 실장 특성을 보였다. 패키징시 상부기관으로 사용되는 유리기판 위에 500