마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제8권3호
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- Pages.63-67
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- 2001
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
Pt 박막의 SF$_6$ /Ar과 C1$_2$ /Ar 플라즈마 가스와의 표면반응에 관한 연구
Study on the Surface Reaction of Pt Thin Film with SF$_6$ /Ar and Cl$_2$ /Ar Plasma Gases
초록
최근가지 Pt박막의 식각은 Cl 계열의 가스에 의한 물리적인 스퍼터링 기구에 초점을 맞추어 연구가 진행되어왔으며 F 계열의 가스에 의한 식각 특성은 상당히 미진하였다. 본 연구에서는 ECR(electron cyclotron resonance) 플라즈마 식각 장비를 이용하여
Up to now, most studies about Pt-etching have been focused on physical sputtering mechanism with Cl-based plasma, while only a limited results are available for etching characteristics with fluorine-based plasma. In this study, etch characteristics of Pt thin film with